TechniStrip P1331 - 5,00 l - MOS
Produktinformationen "TechniStrip P1331 - 5,00 l - MOS"
TechniStrip® P1331
Hochleistung Remover
Allgemeine Informationen
TechniStrip® P1331 ist ein Remover mit sehr starker Ablösekraft für Novolak-basierte Lacke (einschließlich aller AZ® positivlacke), epoxidbasierte Beschichtungen, Polyimide und Trockenfilme. Bei typischen Anwendungstemperaturen um 75°C kann TechniStrip® P1331 auch vernetzte Resists rückstandsfrei auflösen, z. B. durch Trockenätzen oder Ionenimplantation. Das Remover kann auch in Sprühverfahren verwendet werden.
TechniStrip® P1331 ist für alkaliempfindliche Materialien eine Alternative zum P1316.
Produkteigenschaften
- Flammpunkt: 100,5°C
- Viskosität (20°C): < 2 cP
- Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar
- Siedepunkt: 189°C
- Dichte (bei 20°C): 1.109 g/cm3
Verträglichkeit
- Metalle: greift Al, Cu, Au an
- Metalle: kein Angriff auf Ta, Ni, Ti, TiN
- Substrate: Si, SiO2
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Wichtigste Merkmale
- Sehr hohe Abtragsrate, >10µm/min
- Hohe Effizienz bei der Harzauflösung
- Erhöhte Harzbeladungskapazität, > 2 Mal so hoch wie bei Standard-POR
- THB121N, 21µm, 8" Wafer - bis zu 15 Wafer/Liter
- Badlebensdauer bis zu 72 Stunden bei 70°C
- Vollständige Metallverträglichkeit, <10A/min @60°C
- Vollständig mit Wasser mischbar
- Sicherheit: als reizend eingestuft
Einige Anwendungen
TechniStrip® P1316 ist ein leistungsstarkes NMP-freies Remover für:
- Novolak-basierte Positivlacke, wie z. B. alle positiven AZ® lacke
- Epoxid-basierte Resists
- Polyimide, Haftkleber
- Trockene Filme
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1331 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1331 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip P1331 (MOS) englisch
Technische Daten:
Specs TechniStrip P1331 (MOS)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Compatible Substrates: | Si, SiO2 |
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Purity: | MOS |
Selectivity (attacked): | Al, Au, Cu |
Selectivity (no attack on): | Ni, Ta, Ti, TiN |
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