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Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP P-doped
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WWD40525250P1314SXX2
Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 2280 nm SiO2 +/- 5 %
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