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CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP As-doped
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WSD40525150A1050SNN1
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100), 1-side polished, n-type (Arsenic) TTV < 10 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, Flats: 1 SEMI Flat
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