TechniStrip Micro D350 - 2.50 l - ULSI
TECHNIC France
TechniStrip® Micro D350 is an excellent stripper for resists respectively Lift-off media and is a non-toxic substitute for the NMP.
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Produktnummer:
TD350U1025
Hersteller:
TECHNIC France
Produktinformationen "TechniStrip Micro D350 - 2.50 l - ULSI"
TechniStrip Micro D350
DMSO-basiert Stripper
Allgemeine Informationen
TechniStrip® Micro D350 ist ein Stripper auf DMSO-Basis und ist ein sehr gut geeigneter ungiftiger Ersatz für das seit einiger Zeit als giftig geltende NMP. Als Stripper oder als Ablösemittel kann TechniStrip® Micro D350 als ungiftige Alternative zu NMP angesehen werden. Mischungen mit Cyclopentanon oder mit MEK erhöhen die Abziehleistung dieses Produkts sogar noch.
HINWEIS: Das Lösungsmittel TechniStrip® Micro D350 hat einen Schmelzpunkt knapp unter der Raumtemperatur, so dass es bei der Lagerung in kühleren Räumen möglicherweise gefrieren kann. Das Auftauen kann mehrere Tage dauern, aber danach kann das Produkt so verwendet werden, wie es ist. Für weitere Details lade bitte den Infobrief herunter.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip Micro D350 (ULSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip Micro D350 (ULSI) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip Micro D350 (ULSI) englisch
Technische Daten:
Spezifikationen TechniStrip Micro D350 (ULSI)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Ähnliche Produkte
Acetone MC - 2.50 l - ULSI - EUD/EVE!
MACU1025
Bottle size:
2.50 l
|
Manufacturer:
MicroChemicals GmbH
|
Purity:
ULSI
Aceton
CH3COCH3
Allgemeine Informationen
Aceton entfernt organische Verunreinigungen von Substraten und ist gut für fettige/ölige Verschmutzungen geeignet. Sein hoher Dampfdruck bewirkt jedoch ein schnelles Austrocknen und eine Resorption der Verunreinigungen auf dem Substrat. Daher wird ein sofortiges Nachspülen mit einem höher siedenden Lösungsmittel wie Isopropanol empfohlen.
Aceton eignet sich nicht gut als Ablösemittel, da bei Erhitzung eine hohe Brandgefahr besteht und die anzuhebenden Partikel dazu neigen, sich wieder auf dem Substrat festzusetzen.
Produkteigenschaften
Dichte: 0,79 g/cm^3
Schmelzpunkt: 95°C
Siedepunkt: 56°C
Flammpunkt: < -18°C
Dampfdruck @ 20°C: 244 hPa
Aceton Molekül
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Aceton englisch (TECHNIC France)
Sicherheitsdatenblatt Aceton deutsch (TECHNIC France)
Sicherheitsdatenblatt Aceton englisch (MicroChemicals GmbH)
Sicherheitsdatenblatt Aceton deutsch (MicroChemicals GmbH)
Specs:
Technische Daten Aceton ULSI (TECHNIC Frankreich)
Spezifikationen Aceton VLSI (TECHNIC Frankreich)
Spezifikationen Aceton ULSI (MicroChemicals GmbH)
Anwendungshinweise:
Lösemittel englisch
Lösemittel deutsch
n-Butylacetat - 5,00 l - VLSI
TNBAV1050
Butylacetat
C6H12O2
Allgemeine Informationen
Butylacetat ist ein Lösungsmittel mit einem Siedepunkt von 127°C. Der Dampfdruck bei Raumtemperatur beträgt 10,7 hPa. Butylacetat hat die chemische Formel C6H12O2. Es lässt sich leicht in unpolaren (organischen) Lösungsmitteln lösen, aber ziemlich schlecht in Wasser (4,3 g pro Liter).
Produkt-Eigenschaften
Dichte: 0,88 g/cm3
Schmelzpunkt: -77°C
Siedepunkt: 127°C
Flammpunkt: 27°C
Dampfdruck @ 20°C: 10.7 hPa
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Butylacetat (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt Butylacetat (VLSI) deutsch
Technische Daten:
Technische Daten Butylacetat (VLSI)
Anwendungshinweise:
Lösungsmittel: Theory and Application english
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
Cyclopentanon - 2,50 l - ULSI
TCYU1025
Cyclopentanon
C5H8O
Allgemeine Informationen
Cyclopentanon wird häufig in Verbindung mit epoxidbasierten Resist Formulierungen sowie als organisches Developer für die Vernetzung von Fotolacken wie E-Beam Resists verwendet.
Produkteigenschaften
Dichte: 0,88 g/cm3
Schmelzpunkt: -77°C
Siedepunkt: 127°C
Flammpunkt: 27°C
Dampfdruck @ 20°C: 10.7 hPa
Cyclopentanon Molekül
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Cyclopentanon (ULSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt Cyclopentanon (ULSI) deutsch
Technische Daten:
Technische Daten Cyclopentanon (ULSI)
Anwendungshinweise:
Lösungsmittel: Theory and Application english
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
DMSO - 2,50 l - ULSI
MDMU1025
DMSO
Dimethylsulfoxid
Allgemeine Informationen
Aufgrund seines niedrigen Dampfdrucks und seiner Wasserlöslichkeit ist DMSO ein ausgezeichnetes Stripper für Resists bzw. Lift-off-Medien und ist ein ungiftiger Ersatz für das seit einiger Zeit als giftig eingestufte NMP. Die optionale Zugabe von Cyclopentanon oder MEK erhöht die Leistung des Stripper für bestimmte Anwendungen und senkt den Schmelzpunkt von reinem DMSO erheblich.
HINWEIS:
Das Lösungsmittel DMSO (Dimethylsulfoxid) hat einen Schmelzpunkt knapp unter der Raumtemperatur, so dass es bei der Lagerung in kühleren Räumen möglicherweise einfrieren kann. Das Auftauen kann mehrere Tage dauern, aber danach kann das Produkt so verwendet werden, wie es ist.
Für weitere Details lade bitte den Infobrief herunter.
Produkt-Eigenschaften
Dichte: 1,1 g/cm3
Schmelzpunkt: 18°C
Siedepunkt: 189°C
Flammpunkt: 87°C
Dampfdruck @ 20°C: 0.56 hPa
DMSO Molekül
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) deutsch
Specs:
Technische Daten DMSO (ULSI)
Anwendungshinweise:
Lösungsmittel: Theorie und Anwendung english
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
Isopropyl Alcohol MC - 2.50 l - ULSI
MIPU1025
Bottle size:
2.50 l
|
Manufacturer:
MicroChemicals GmbH
|
Purity:
ULSI
Isopropanol
IPA, 2-Propanol
Allgemeine Informationen
Isopropanol eignet sich gut zum Abspülen von verunreinigtem Aceton und zum Entfernen von Partikeln von Oberflächen. Daher wird dieses Lösungsmittel oft im zweiten Schritt der Substratreinigung nach Aceton verwendet. Außerdem Isopropanol als Additiv für anisotropes Si-Ätzen verwendet.
Produkt-Eigenschaften
Dichte: 0,78 g/cm3
Schmelzpunkt: - 88°C
Siedepunkt: 82°C
Flammpunkt: 13°C
Dampfdruck @ 20°C: 43 hPa
Isopropanol Molekül*
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Isopropanol (ULSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt Isopropanol (ULSI) deutsch
Sicherheitsdatenblatt Isopropanol (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt Isopropanol (VLSI) deutsch
Technische Daten:
Technische Daten Isopropanol (ULSI)
Technische Daten Isopropanol (VLSI)
Anwendungshinweise:
Lösungsmittel: Theory and Application englisch
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
MEK - 2,50 l - ULSI - EVE/EUD!
MMEU1025
MEK
Methylethylketon
Allgemeine Informationen
MEK (Methylethylketon) mit seinem niedrigen Siedepunkt kann von MicroChemicals als zusätzlicher Verdünner für Spritzlacke verwendet werden, die eine schnelle Resist Filmtrocknung auf dem Substrat erfordern.
Produkteigenschaften
Dichte: 0,81 g/cm3
Schmelzpunkt: -86°C
Siedepunkt: 80°C
Flammpunkt: -4°C
Dampfdruck @ 20°C: 105 hPa
MEK Molekül
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt MEK (ULSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt MEK (ULSI) deutsch
Specs:
Technische Daten MEK (ULSI)
Anwendungshinweise:
Lösungsmittel: Theorie und Anwendung english
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
Methanol - 2.50 l - VLSI - EVE/EUD!
TMLU1025
Methanol
Methylalkohol
Allgemeine Informationen
Methanol kann aufgrund seiner guten Lösekraft für verunreinigtes Aceton in einem dreistufigen Reinigungsprozess (Aceton à Methanol à Isopropylalkohol) zur verbesserten Substratreinigung eingesetzt werden. Aufgrund der Toxizität sollte dessen Anwendung gegen seinen potenziellen Nutzen abgewogen werden.
Produkt-Eigenschaften
Dichte: 0,79 g/cm3
Schmelzpunkt: -98°C
Siedepunkt: 65°C
Flammpunkt: 11°C
Dampfdruck @ 20°C: 129 hPa
Methanol Molekül
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Methanol (ULSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt Methanol (ULSI) deutsch
Specs:
Technische Daten Methanol (ULSI)
Anwendungshinweise:
Lösungsmittel: Theorie und Anwendung english
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
MIBK - 2,50 l - VLSI - EVE/EUD!
TMIV1025
MIBK
Methyl Isobuthyl Keton
Allgemeine Informationen
MIBK wird in der Mikroelektronik u.a. als Developer für E-Beam Resists verwendet.
Produkteigenschaften
Dichte: 0,80 g/cm3
Schmelzpunkt: -80°C
Siedepunkt: 116°C
Flammpunkt: 14°C
Dampfdruck @ 20°C: 19 hPa
MIBK Molekül
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt MIBK (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt MIBK (VLSI) deutsch
Specs:
Technische Daten MIBK (VLSI)
Anwendungshinweise:
Lösungsmittel: Theorie und Anwendung englisch
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
PGMEA - 5.00 l - ULSI
MPGU1050
PGMEA
1-Methoxy-2-propyl-acetat
Allgemeine Informationen
PGMEA ist das Hauptlösungsmittel/Verdünnungsmittel für fast alle AZ® und TI-Fotoresists, da es einen niedrigen Dampfdruck hat und die Partikelbildung in der (weiter verdünnten) Resist unterdrückt. Darüber hinaus wird PGMEA häufig zum Entfernen von Randwülsten verwendet, da sein niedriger Dampfdruck eine weitere Verdünnung des beschichteten Resist Films verhindert.
Produkteigenschaften
Dichte: 0,97 g/cm3
Schmelzpunkt: -66°C
Siedepunkt: 125°C
Flammpunkt: 45°C
Dampfdruck @ 20°C: 5 hPa
PGMEA Molekül
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt PGMEA (ULSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt PGMEA (ULSI) deutsch
Specs:
Technische Daten PGMEA (ULSI)
Anwendungshinweise:
Lösungsmittel: Theorie und Anwendung english
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
MC Spray Thinner MEK - 5.00 l
1SPTHM005
Bottle size:
5.00 l
MC Spray Thinner MEK
Lösungsmittel für Sprühbeschichtungen
Allgemeine Informationen
MC Spray Thinner MEK ist ein Lösungsmittel für die Herstellung einer Sprühbeschichtungsformulierung. Wie der Name schon sagt, basiert diese Verdünnung auf einer Formulierung aus MEK und verschiedenen Tensiden, die zu einem optimalen Sprühbeschichtungsergebnis beitragen.
Sprühbeschichtungsformulierungen werden oft aus drei Komponenten hergestellt - der niedrig siedenden MC Spray Thinner MEK, der hoch siedenden Spray Thinner PGMEA und der entsprechenden Resist. Je nach Mischungsverhältnis und gewünschtem Ergebnis müssen die Anteile der Stoffe angepasst werden.
Ein hoher PGMEA-Anteil (niedriger Dampfdruck) erzeugt sehr glatte Schichten mit mäßiger Kantenabdeckung, während eine Formulierung mit hohem MEK-Anteil (hoher Dampfdruck) sehr gute Kantenabdeckung, aber vergleichsweise raue Schichten erzeugt.
Der optimale Kompromiss des Lösemittelgemischs ist oft ein Mischungsverhältnis MEK: PGMEA von 1:3 bis 3:1. Abhängig von der Viskosität, die das verwendete Sprühbeschichtungswerkzeug erfordert, wird dieses Lösungsmittelgemisch im Verhältnis 1:3 bis 1:10 zu Resist hinzugefügt. Also ein Teil Resist zu 3 Teilen Lösemittelgemisch bis zu einem Teil Resist zu 10 Teilen Lösemittelgemisch.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt MC Spray Thinner MEK englisch
Sicherheitsdatenblatt MC Spray Thinner MEK deutsch
Anwendungshinweise:
Lösungsmittel: Theorie und Anwendung englisch
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
MC Spray Thinner PGMEA - 5.00 l
1SPTHP005
Bottle size:
5.00 l
MC Spray Thinner PGMEA
Lösungsmittel für Sprühbeschichtungen
Allgemeine Informationen
MC Spray Thinner PGMEA ist ein Lösungsmittel für die Herstellung einer Sprühbeschichtungsformulierung. Wie der Name schon sagt, basiert diese Verdünnung auf einer Formulierung aus PGMEA und verschiedenen Tensiden, die zu einem optimalen Sprühbeschichtungsergebnis beitragen.
Sprühbeschichtungsformulierungen werden oft aus drei Komponenten hergestellt - der hochsiedenden MC Spray Thinner PGMEA, der niedrig siedenden MEK-Spray Thinner und der entsprechenden Resist. Je nach Mischungsverhältnis und gewünschtem Ergebnis müssen die Anteile der Stoffe angepasst werden.
Ein hoher Anteil an PGMEA (niedriger Dampfdruck) erzeugt sehr glatte Schichten mit mäßiger Randabdeckung, während eine Formulierung mit hohem MEK-Anteil (hoher Dampfdruck) sehr gute Randabdeckung, aber vergleichsweise raue Schichten erzeugt.
Der optimale Kompromiss des Lösemittelgemischs ist oft ein Mischungsverhältnis MEK: PGMEA von 1:3 bis 3:1. Abhängig von der Viskosität, die das verwendete Sprühbeschichtungswerkzeug erfordert, wird dieses Lösungsmittelgemisch im Verhältnis 1:3 bis 1:10 zu Resist hinzugefügt. Also ein Teil Resist zu 3 Teilen Lösemittelgemisch bis zu einem Teil Resist zu 10 Teilen Lösemittelgemisch.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt MC Spray Thinner PGMEA englisch
Sicherheitsdatenblatt MC Spray Thinner PGMEA deutsch
Anwendungshinweise:
Lösemittel: Theory and Application englisch
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
AZ EBR Solvent - 5.00 l
1000002
Bottle size:
5.00 l
AZ® EBR Solvent
1-Methoxy-2-Propyl-Acetat
Allgemeine Informationen
AZ® EBR Solvent ist das Hauptlösungsmittel/Verdünnungsmittel für fast alle AZ® und TI-Fotoresists, da es einen niedrigen Dampfdruck hat und die Partikelbildung in der (weiter verdünnten) Resist unterdrückt. Darüber hinaus wird PGMEA oft zum Entfernen von Randwülsten verwendet, da sein niedriger Dampfdruck eine weitere Verdünnung des beschichteten Resist Films verhindert.
Produkteigenschaften
Dichte: 0,97 g/cm3
Schmelzpunkt: -66°C
Siedepunkt: 125°C
Flammpunkt: 45°C
Dampfdruck @ 20°C: 5 hPa
PGMEA Molekül
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® EBR Lösungsmittel englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® EBR Solvent deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® EBR Solvent englisch
Remover
AZ 100 Remover - 5,00 l
1000100
AZ® 100 Remover
Universal Fotolack Stripper
Allgemeine Informationen
AZ®100 Remover basiert auf Lösungsmittel und Amin (alkalisch). AZ®100 Remover wird zum Fotolack Abbeizen mit geringem Angriff auf Aluminium verwendet. Die geringe Gefährdung wird durch die Verwendung von Ethanol-Amin erreicht.
Die niedrige Verdampfungsrate ermöglicht den Einsatz bei erhöhten Temperaturen (bis zu 80°C), die hohe Effizienz (>3000 Wafer pro Liter) hilft Kosten zu sparen. Wenn ein Angriff auf Aluminium kein Problem darstellt, kann es sogar mit Wasser verdünnt werden.
AZ®100 Remover ist nicht kompatibel mit AZ® nLof 2070 (AZ® nLof 2000 Serie) und anderen stark vernetzten Resistenzen.
Produkteigenschaften
Dichte (bei 25°C): 0.955 kg/l
Farbe (Alpha): max. 20
Flammpunkt (AP): 72°C
Normalität (potentiometrisch): 3.1 mol/l
Siedebereich: 159-194°C
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 100 Remover englisch
Anwendungshinweise:
Fotolack entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
AZ Remover 910 - 5.00 l
1000910
AZ® Remover 910
Auf Basis organischer Lösungsmittel Remover
Allgemeine Informationen
AZ® Remover 910 wurde entwickelt, um Positiv- und Negativtöne, chemisch verstärkte und DNQ/Novolak-Resists zu entfernen und aufzulösen. Es ist ein lösungsmittelbasiertes Produkt, das Säuren enthält und daher säurehaltig ist. Die Formulierung ist EH&S-freundlich, sie enthält kein NMP, DMAC, DMSO und kein TMAH und ist aminfrei.
Sie eignet sich besonders für unsere vernetzenden Negativresiste wie AZ® nLof 2070, 2035 und 2020, den AZ® nLof 5110 und die AZ® 15nXT Serie.
Kompatibilität
Es eignet sich für Prozesse, bei denen empfindliche Metalle und andere Materialien freigelegt werden.
Es zeigt niedrige Ätzraten auf:
Al, Cu, Ti, W, TiW, TiN, Sn, Ni
Si, SiO2
Die Angaben zur Selektivität und Kompatibilität sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 910 englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 910 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® Remover 910 englisch
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen von Fotolack englisch
Entfernen von Fotolack deutsch
AZ Remover 920 - 5,00 l
1000920
AZ® Remover 920
Auf Basis organischer Lösungsmittel Remover
Allgemeine Informationen
AZ® Remover 920 wurde entwickelt, um eine schnelle Delaminierung und Auflösung von Fotolack Mustern zu ermöglichen und gleichzeitig eine breite Kompatibilität mit Bauelementesubstraten und Metallfolien zu gewährleisten.
Die von Merck entwickelte Lösungsmittel- und Additivmischung ist umweltfreundlich und entspricht vollständig der REACH-Verordnung der Europäischen Union. Kompatibel mit den meisten AZ® positivlacken (vollständige Auflösung) und den meisten AZ® negativresisten (Auflösung oder Delamination je nach Vernetzungsgrad).
Produkt-Eigenschaften
Flammpunkt: 84,4°C
Viskosität (20°C): 1.84 cSt
Siedepunkt: 188°C
Dichte (bei 25°C): 1.084 g/cm3
Kompatibilität
Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ti, W, TiW, TiN, Sn, Ni
Substrate: Si, SiO2, GaAs
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Wichtigste Merkmale
Schnelle Delaminierung von Fotolack Mustern
Breite Kompatibilität
Umweltfreundlich
Einige Anwendungen
Bulk Fotolack Entfernung
Metall-Lift-off-Lithografie
Cu-Säulen-Metallisierungsreiniger
RDL-Metallisierungsreinigungen
Delamination von stark ausgehärteten Fotolack Mustern und organischen Rückständen
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 920 englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 920 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® Remover 920 englisch
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Entfernen von Fotolack deutsch
DMSO - 2,50 l - ULSI
MDMU1025
DMSO
Dimethylsulfoxid
Allgemeine Informationen
Aufgrund seines niedrigen Dampfdrucks und seiner Wasserlöslichkeit ist DMSO ein ausgezeichnetes Stripper für Resists bzw. Lift-off-Medien und ist ein ungiftiger Ersatz für das seit einiger Zeit als giftig eingestufte NMP. Die optionale Zugabe von Cyclopentanon oder MEK erhöht die Leistung des Stripper für bestimmte Anwendungen und senkt den Schmelzpunkt von reinem DMSO erheblich.
HINWEIS:
Das Lösungsmittel DMSO (Dimethylsulfoxid) hat einen Schmelzpunkt knapp unter der Raumtemperatur, so dass es bei der Lagerung in kühleren Räumen möglicherweise einfrieren kann. Das Auftauen kann mehrere Tage dauern, aber danach kann das Produkt so verwendet werden, wie es ist.
Für weitere Details lade bitte den Infobrief herunter.
Produkt-Eigenschaften
Dichte: 1,1 g/cm3
Schmelzpunkt: 18°C
Siedepunkt: 189°C
Flammpunkt: 87°C
Dampfdruck @ 20°C: 0.56 hPa
DMSO Molekül
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) deutsch
Specs:
Technische Daten DMSO (ULSI)
Anwendungshinweise:
Lösungsmittel: Theorie und Anwendung english
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniClean CA25 - 5.00 l - MOS
TTCA25M5
TechniCleanTM CA25
Post Etch Residue (PER) Remover
Allgemeine Informationen
TechniCleanTM CA25 ist ein halbwässriges Gemisch zur Entfernung von Post Etch Residue (PER) für alle Verbindungsstellen und Technologieknoten. Es ist äußerst effizient bei der schnellen und selektiven Entfernung von metallorganischen Oxiden von Al, Cu, Ti, TiN, W und Ni.
Produkt-Eigenschaften
Flammpunkt: > 120°C
Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar
Viskosität (20°C): < 3 cP
Siedepunkt: 100°C
Dichte (bei 20°C): 1.041 g/cm3
Verträglichkeit
Entfernt Organo-Metalloxide von:
Metallen: kein Angriff auf Al, Cu, Ti, TiN, W, Ni
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Wichtigste Merkmale
Unerreichte Vielseitigkeit bei der PER-Reinigung
Hohe Effizienz bei niedriger Temperatur
Keine zwischengeschaltete Spülung
Geringe Umweltbelastung (fluorid-, amin-, hydroxylamin- und katechinfrei)
Kosteneffizienz
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniClean™CA25 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniClean™CA25 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniClean™CA25 (MOS) englisch
Technische Daten:
Spezifikationen TechniClean™CA25 (MOS)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip Micro D2 - 5.00 l - VLSI
TPD2V500
TechniStrip® Micro D2
Remover mit hoher Metall- und Materialverträglichkeit
Allgemeine Informationen
TechniStrip® Micro D2 ist ein vielseitiges Stripper, das für das Abheben und Auflösen von Harzen auf Negativ- und Positivtönen Resist geeignet ist. Das organische Gemisch hat die Besonderheit, dass es eine hohe Metall- und Materialverträglichkeit aufweist, so dass es auf allen Stapeln und insbesondere auf empfindlichen Substraten verwendet werden kann.
TechniStrip® Micro D2 ist ein sehr gut geeigneter Ersatz für NMP- und DMSO/Amin-Abbeizer, die seit einiger Zeit als giftig gelten oder für einige Metalle korrosiv sind.
Produkt-Eigenschaften
Flammpunkt: 87°C
Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar
Siedepunkt: 190°C
Dichte (bei 20°C): 1.113 g/cm3
Kompatibilität
Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ni, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Au, Ag, Sn
Substrate: SiO2, Si
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Einige Anwendungen
Positives Ablösen von Harz
Negativer Ton Resist Lift off
Lift-Off-Verfahren zur Strukturierung von Metallen und dielektrischen Schichten
Nachbesserung
Klebstoff, Klebstoffreiniger
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip Micro D2 (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip Micro D2 (VLSI) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip Micro D2 (VLSI) englisch
Technische Daten:
Specs TechniStrip Micro D2 (VLSI)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip MLO-07 - 5,00 l - MOS
TPMLO075
TechniStrip® MLO07
DMSO-basiert Stripper
Allgemeine Informationen
TechniStrip® MLO 07 ist ein hocheffizienter Positiv- und Negativton Fotolack Remover , der für IR-, III/V-, MEMS-, Photonik-, TSV-Masken-, Lötstopp- und Festplatten-Stripping-Anwendungen verwendet wird. TechniStrip® MLO 07 wurde entwickelt, um eine hohe Löseleistung und eine hohe Materialverträglichkeit auf Cu, Al, Sn/Ag, Alu¬mina und gängigen organischen Substraten zu gewährleisten.
Produkt-Eigenschaften
Flammpunkt: 94°C
Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar
Siedepunkt: 189°C
Dichte (bei 20°C): 1.093 g/cm3
Kompatibilität
Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ni, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Au, Ag, Sn
Substrate: Si, SiO2
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Hauptmerkmale
Bessere Leistung als NMP in vielen Anwendungen
Ermöglicht das Auflösen vieler Positivresiste
Hohe Materialverträglichkeit auf Cu, Al, Sn, Ag, Aluminiumoxid, magnetischen Legierungen und organischen Substraten
Ideal geeignet für die Ablösung von Gold- und Aluminiummetallen
Die Formulierung minimiert die Bildung von Metallfragmenten während des Ablösungsprozesses
Einige Anwendungen
Metall-Lift-Off-Prozess
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip MLO-07 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip MLO-07 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip MLO-07 (MOS) englisch
Technische Daten:
Spezifikationen TechniStrip MLO-07 (MOS)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip NF26 - 5,00 l - MOS
TPNF2650
TechniStrip™ NF26
Trockener Film Remover
Allgemeine Informationen
TechniStrip™ NF26 ist ein hochwirksamer Negativton Fotolack Remover , der hauptsächlich für TSV-Masken und Lötstoppanwendungen verwendet wird.
Die neuartige Reinigungsformulierung auf TMAH-Basis wurde für laminierte Fotoharze (Trockenfilmresists) und Flüssigharze entwickelt und zeigte im Vergleich zu Standardmischungen auf TMAH-Basis eine hohe Auflösungsleistung. Weitere Vorteile des TechniStrip™ NF26 sind seine sehr hohe Materialverträglichkeit im Vergleich zu Standardlösungen auf TMAH-Basis. Aufgrund der Beschaffenheit der Additive und des Lösungsmittels ist die Mischung vollständig kompatibel mit den Metallen, die in den BEOL-Verbindungen und WLP-Bumping-Anwendungen verwendet werden.
Produkteigenschaften
Flammpunkt: 90°C
Viskosität (20°C): < 2cP
Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar
Siedepunkt: 189°C
Dichte (bei 20°C): 1.02 g/cm3
Verträglichkeit
Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ni, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Ag, Sn
Substrate: Si, SiO2
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Wichtigste Merkmale
Sehr hohe Ablöserate, > 10µm/min
Große Harzauflösungseffizienz des Trockenfilms
Badlebensdauer bis zu 72 Stunden bei 70°C
Vollständige Metallverträglichkeit, < 2 A/min @ 60°C
Vollständig mit Wasser mischbar
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NF26 (MOS) deutsch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NF26 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip NF26 (MOS) englisch
Technische Daten:
Spezifikationen TechniStrip NF26 (MOS)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip NF52 - 5,00 l - MOS
TPNF5250
TechniStrip™ NF52
Hocheffektiv Remover
Allgemeine Informationen
TechniStrip™ NF52 ist ein hochwirksames Remover für Negativlacke (sowohl Flüssiglacke als auch Trockenfilme). Aufgrund der Beschaffenheit der Additive und des Lösungsmittels ist die Mischung vollkommen kompatibel mit den Metallen, die in den BEOL-Verbindungen und WLP-Bumping-Anwendungen verwendet werden.
Produkteigenschaften
Flammpunkt: 90°C
Viskosität (20°C): < 2cP
Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar
Siedepunkt: 189°C
Dichte (bei 20°C): 1.08 g/cm3
Verträglichkeit
Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ni, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Ag, Sn
Substrate: Si, SiO2
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Wichtigste Merkmale
Sehr hohe Ablöserate, >10µm/min
Große Harzauflösungseffizienz des Trockenfilms
Badlebensdauer bis zu 72 Stunden bei 70°C
Vollständige Metallverträglichkeit, <2A/min @60°C
Vollständig mit Wasser mischbar
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NF52 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NF52 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip NF52 (MOS) englisch
Technische Daten:
Specs TechniStrip NF52 (MOS)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip NI555 - 5,00 l - MOS
TNI555M5
TechniStrip® NI555
Stripper
Allgemeine Informationen
TechniStrip® NI555 wurde entwickelt, um eine schnelle und vollständige Fotolack Filmauflösung zu erreichen und damit das Verstopfen der Filter und die anschließende Ablagerung von unlöslichen Harzresten zu vermeiden, wie sie bei den meisten Standard-Strippern auftreten.
Ein vernetzter AZ® 15 nXT-Film löst sich in DMSO-, NMP- oder TMAH-basierten Strippern vom Substrat ab, während TechniStrip® NI555 den Resist Film nach 20 Minuten vollständig auflöst.
Produkteigenschaften
Flammpunkt: 89°C
Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar
Siedepunkt: 190°C
Dichte (bei 20°C): 0.978 g/cm3
Kompatibilität
TechniStrip® NI555 ist ein leistungsfähiges Remover für Novolak-basierte Negativresists und ultradicke Positivresists wie:
AZ® nLOF200 Serie
AZ® 15nXT
AZ® 40XT
HINWEIS: Bitte beachte, dass der TechniStrip® NI555 nicht mit GaAs** kompatibel ist, was zu Problemen in der Anwendung führen kann.
Metalle: greift GaAs an
Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ni, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Au, Ag, Sn, Pd
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NI555 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NI555 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip NI555 (MOS) englisch
Technische Daten:
Specs TechniStrip NI555 (MOS)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip P1316 - 5,00 l - MOS
TP1316M5
TechniStrip® P1316
Hochleistung Remover
Allgemeine Informationen
TechniStrip® P1316 ist ein Remover mit sehr starker Ablösekraft für Novolak-basierte Lacke (einschließlich aller AZ® positivlacke), epoxidbasierte Beschichtungen, Polyimide und Trockenfilme. Bei typischen Anwendungstemperaturen um 75°C kann TechniStrip® P1316 auch vernetzte Resists rückstandsfrei auflösen, z. B. durch Trockenätzen oder Ionenimplantation. Die Remover kann auch in Sprühverfahren eingesetzt werden.
Produkt-Eigenschaften
Flammpunkt: 93°C
Viskosität (20°C): < 2 cP
Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar
Siedepunkt: 189°C
Dichte (bei 20°C): 1.03 g/cm3
Verträglichkeit
Metalle: greift Al, Cu, Au an
Metalle: kein Angriff auf Ta, Ni, Ti, TiN
Substrate: Si, SiO2
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Einige Anwendungen
TechniStrip® P1316 ist ein leistungsstarkes NMP-freies Remover für:
Novolak-basierte Positivresiste wie z. B. alle positiven AZ® lacke
Epoxid-basierte Resists
Polyimide, Haftkleber
Trockene Filme
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1316 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1316 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip P1316 (MOS) englisch
Technische Daten:
Specs TechniStrip P1316 (MOS)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip P1331 - 5,00 l - MOS
TP1331M
TechniStrip® P1331
Hochleistung Remover
Allgemeine Informationen
TechniStrip® P1331 ist ein Remover mit sehr starker Ablösekraft für Novolak-basierte Lacke (einschließlich aller AZ® positivlacke), epoxidbasierte Beschichtungen, Polyimide und Trockenfilme. Bei typischen Anwendungstemperaturen um 75°C kann TechniStrip® P1331 auch vernetzte Resists rückstandsfrei auflösen, z. B. durch Trockenätzen oder Ionenimplantation. Das Remover kann auch in Sprühverfahren verwendet werden.
TechniStrip® P1331 ist für alkaliempfindliche Materialien eine Alternative zum P1316.
Produkteigenschaften
Flammpunkt: 100,5°C
Viskosität (20°C): < 2 cP
Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar
Siedepunkt: 189°C
Dichte (bei 20°C): 1.109 g/cm3
Verträglichkeit
Metalle: greift Al, Cu, Au an
Metalle: kein Angriff auf Ta, Ni, Ti, TiN
Substrate: Si, SiO2
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Wichtigste Merkmale
Sehr hohe Abtragsrate, >10µm/min
Hohe Effizienz bei der Harzauflösung
Erhöhte Harzbeladungskapazität, > 2 Mal so hoch wie bei Standard-POR
THB121N, 21µm, 8" Wafer - bis zu 15 Wafer/Liter
Badlebensdauer bis zu 72 Stunden bei 70°C
Vollständige Metallverträglichkeit, <10A/min @60°C
Vollständig mit Wasser mischbar
Sicherheit: als reizend eingestuft
Einige Anwendungen
TechniStrip® P1316 ist ein leistungsstarkes NMP-freies Remover für:
Novolak-basierte Positivlacke, wie z. B. alle positiven AZ® lacke
Epoxid-basierte Resists
Polyimide, Haftkleber
Trockene Filme
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1331 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1331 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip P1331 (MOS) englisch
Technische Daten:
Specs TechniStrip P1331 (MOS)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung