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TechniStrip Micro D350 - 2.50 l - ULSI

TechniStrip® Micro D350 is an excellent stripper for resists respectively Lift-off media and is a non-toxic substitute for the NMP.

Produktinformationen "TechniStrip Micro D350 - 2.50 l - ULSI"

TechniStrip Micro D350

DMSO-basiert Stripper

Allgemeine Informationen

TechniStrip® Micro D350 ist ein Stripper auf DMSO-Basis und ist ein sehr gut geeigneter ungiftiger Ersatz für das seit einiger Zeit als giftig geltende NMP. Als Stripper oder als Ablösemittel kann TechniStrip® Micro D350 als ungiftige Alternative zu NMP angesehen werden. Mischungen mit Cyclopentanon oder mit MEK erhöhen die Abziehleistung dieses Produkts sogar noch.

HINWEIS: Das Lösungsmittel TechniStrip® Micro D350 hat einen Schmelzpunkt knapp unter der Raumtemperatur, so dass es bei der Lagerung in kühleren Räumen möglicherweise gefrieren kann. Das Auftauen kann mehrere Tage dauern, aber danach kann das Produkt so verwendet werden, wie es ist. Für weitere Details lade bitte den Infobrief herunter.

Weitere Informationen

MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip Micro D350 (ULSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip Micro D350 (ULSI) deutsch

TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip Micro D350 (ULSI) englisch

Technische Daten:
Spezifikationen TechniStrip Micro D350 (ULSI)

Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch

Weitere Informationen zur Verarbeitung

Purity: ULSI
Selectivity (no attack on): Ag, Al, Au, Cu, Ni, Sn, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW

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Cyclopentanon - 2,50 l - ULSI
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Cyclopentanon C5H8O Allgemeine Informationen Cyclopentanon wird häufig in Verbindung mit epoxidbasierten Resist Formulierungen sowie als organisches Developer für die Vernetzung von Fotolacken wie E-Beam Resists verwendet. Produkteigenschaften Dichte: 0,88 g/cm3 Schmelzpunkt: -77°C Siedepunkt: 127°C Flammpunkt: 27°C Dampfdruck @ 20°C: 10.7 hPa Cyclopentanon Molekül Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Cyclopentanon (ULSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Cyclopentanon (ULSI) deutsch Technische Daten: Technische Daten Cyclopentanon (ULSI) Anwendungshinweise: Lösungsmittel: Theory and Application english Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
DMSO - 2,50 l - ULSI
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DMSO Dimethylsulfoxid Allgemeine Informationen Aufgrund seines niedrigen Dampfdrucks und seiner Wasserlöslichkeit ist DMSO ein ausgezeichnetes Stripper für Resists bzw. Lift-off-Medien und ist ein ungiftiger Ersatz für das seit einiger Zeit als giftig eingestufte NMP. Die optionale Zugabe von Cyclopentanon oder MEK erhöht die Leistung des Stripper für bestimmte Anwendungen und senkt den Schmelzpunkt von reinem DMSO erheblich. HINWEIS: Das Lösungsmittel DMSO (Dimethylsulfoxid) hat einen Schmelzpunkt knapp unter der Raumtemperatur, so dass es bei der Lagerung in kühleren Räumen möglicherweise einfrieren kann. Das Auftauen kann mehrere Tage dauern, aber danach kann das Produkt so verwendet werden, wie es ist. Für weitere Details lade bitte den Infobrief herunter. Produkt-Eigenschaften Dichte: 1,1 g/cm3 Schmelzpunkt: 18°C Siedepunkt: 189°C Flammpunkt: 87°C Dampfdruck @ 20°C: 0.56 hPa DMSO Molekül Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) englisch Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) deutsch Specs: Technische Daten DMSO (ULSI) Anwendungshinweise: Lösungsmittel: Theorie und Anwendung english Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch Fotolack Entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
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Isopropanol IPA, 2-Propanol Allgemeine Informationen Isopropanol eignet sich gut zum Abspülen von verunreinigtem Aceton und zum Entfernen von Partikeln von Oberflächen. Daher wird dieses Lösungsmittel oft im zweiten Schritt der Substratreinigung nach Aceton verwendet. Außerdem Isopropanol als Additiv für anisotropes Si-Ätzen verwendet. Produkt-Eigenschaften Dichte: 0,78 g/cm3 Schmelzpunkt: - 88°C Siedepunkt: 82°C Flammpunkt: 13°C Dampfdruck @ 20°C: 43 hPa Isopropanol Molekül* Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Isopropanol (ULSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Isopropanol (ULSI) deutsch Sicherheitsdatenblatt Isopropanol (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Isopropanol (VLSI) deutsch Technische Daten: Technische Daten Isopropanol (ULSI) Technische Daten Isopropanol (VLSI) Anwendungshinweise: Lösungsmittel: Theory and Application englisch Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
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Methanol - 2,50 l - ULSI - EVE/EUD!
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MIBK - 2,50 l - VLSI - EVE/EUD!
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MIBK Methyl Isobuthyl Keton Allgemeine Informationen MIBK wird in der Mikroelektronik u.a. als Developer für E-Beam Resists verwendet. Produkteigenschaften Dichte: 0,80 g/cm3 Schmelzpunkt: -80°C Siedepunkt: 116°C Flammpunkt: 14°C Dampfdruck @ 20°C: 19 hPa MIBK Molekül Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt MIBK (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt MIBK (VLSI) deutsch Specs: Technische Daten MIBK (VLSI) Anwendungshinweise: Lösungsmittel: Theorie und Anwendung englisch Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
PGMEA - 5.00 l - ULSI
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PGMEA 1-Methoxy-2-propyl-acetat Allgemeine Informationen PGMEA ist das Hauptlösungsmittel/Verdünnungsmittel für fast alle AZ® und TI-Fotoresists, da es einen niedrigen Dampfdruck hat und die Partikelbildung in der (weiter verdünnten) Resist unterdrückt. Darüber hinaus wird PGMEA häufig zum Entfernen von Randwülsten verwendet, da sein niedriger Dampfdruck eine weitere Verdünnung des beschichteten Resist Films verhindert. Produkteigenschaften Dichte: 0,97 g/cm3 Schmelzpunkt: -66°C Siedepunkt: 125°C Flammpunkt: 45°C Dampfdruck @ 20°C: 5 hPa PGMEA Molekül Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt PGMEA (ULSI) englisch Sicherheitsdatenblatt PGMEA (ULSI) deutsch Specs: Technische Daten PGMEA (ULSI) Anwendungshinweise: Lösungsmittel: Theorie und Anwendung english Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
MC Spray Thinner MEK - 5.00 l
1SPTHM005
Bottle size: 5.00 l
MC Spray Thinner MEK Lösungsmittel für Sprühbeschichtungen Allgemeine Informationen MC Spray Thinner MEK ist ein Lösungsmittel für die Herstellung einer Sprühbeschichtungsformulierung. Wie der Name schon sagt, basiert diese Verdünnung auf einer Formulierung aus MEK und verschiedenen Tensiden, die zu einem optimalen Sprühbeschichtungsergebnis beitragen. Sprühbeschichtungsformulierungen werden oft aus drei Komponenten hergestellt - der niedrig siedenden MC Spray Thinner MEK, der hoch siedenden Spray Thinner PGMEA und der entsprechenden Resist. Je nach Mischungsverhältnis und gewünschtem Ergebnis müssen die Anteile der Stoffe angepasst werden. Ein hoher PGMEA-Anteil (niedriger Dampfdruck) erzeugt sehr glatte Schichten mit mäßiger Kantenabdeckung, während eine Formulierung mit hohem MEK-Anteil (hoher Dampfdruck) sehr gute Kantenabdeckung, aber vergleichsweise raue Schichten erzeugt. Der optimale Kompromiss des Lösemittelgemischs ist oft ein Mischungsverhältnis MEK: PGMEA von 1:3 bis 3:1. Abhängig von der Viskosität, die das verwendete Sprühbeschichtungswerkzeug erfordert, wird dieses Lösungsmittelgemisch im Verhältnis 1:3 bis 1:10 zu Resist hinzugefügt. Also ein Teil Resist zu 3 Teilen Lösemittelgemisch bis zu einem Teil Resist zu 10 Teilen Lösemittelgemisch. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt MC Spray Thinner MEK englisch Sicherheitsdatenblatt MC Spray Thinner MEK deutsch Anwendungshinweise: Lösungsmittel: Theorie und Anwendung englisch Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
MC Spray Thinner PGMEA - 5.00 l
1SPTHP005
Bottle size: 5.00 l
MC Spray Thinner PGMEA Lösungsmittel für Sprühbeschichtungen Allgemeine Informationen MC Spray Thinner PGMEA ist ein Lösungsmittel für die Herstellung einer Sprühbeschichtungsformulierung. Wie der Name schon sagt, basiert diese Verdünnung auf einer Formulierung aus PGMEA und verschiedenen Tensiden, die zu einem optimalen Sprühbeschichtungsergebnis beitragen. Sprühbeschichtungsformulierungen werden oft aus drei Komponenten hergestellt - der hochsiedenden MC Spray Thinner PGMEA, der niedrig siedenden MEK-Spray Thinner und der entsprechenden Resist. Je nach Mischungsverhältnis und gewünschtem Ergebnis müssen die Anteile der Stoffe angepasst werden. Ein hoher Anteil an PGMEA (niedriger Dampfdruck) erzeugt sehr glatte Schichten mit mäßiger Randabdeckung, während eine Formulierung mit hohem MEK-Anteil (hoher Dampfdruck) sehr gute Randabdeckung, aber vergleichsweise raue Schichten erzeugt. Der optimale Kompromiss des Lösemittelgemischs ist oft ein Mischungsverhältnis MEK: PGMEA von 1:3 bis 3:1. Abhängig von der Viskosität, die das verwendete Sprühbeschichtungswerkzeug erfordert, wird dieses Lösungsmittelgemisch im Verhältnis 1:3 bis 1:10 zu Resist hinzugefügt. Also ein Teil Resist zu 3 Teilen Lösemittelgemisch bis zu einem Teil Resist zu 10 Teilen Lösemittelgemisch. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt MC Spray Thinner PGMEA englisch Sicherheitsdatenblatt MC Spray Thinner PGMEA deutsch Anwendungshinweise: Lösemittel: Theory and Application englisch Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
AZ EBR Solvent - 5.00 l
1000002
Bottle size: 5.00 l
AZ® EBR Solvent 1-Methoxy-2-Propyl-Acetat Allgemeine Informationen AZ® EBR Solvent ist das Hauptlösungsmittel/Verdünnungsmittel für fast alle AZ® und TI-Fotoresists, da es einen niedrigen Dampfdruck hat und die Partikelbildung in der (weiter verdünnten) Resist unterdrückt. Darüber hinaus wird PGMEA oft zum Entfernen von Randwülsten verwendet, da sein niedriger Dampfdruck eine weitere Verdünnung des beschichteten Resist Films verhindert. Produkteigenschaften Dichte: 0,97 g/cm3 Schmelzpunkt: -66°C Siedepunkt: 125°C Flammpunkt: 45°C Dampfdruck @ 20°C: 5 hPa PGMEA Molekül Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® EBR Lösungsmittel englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® EBR Solvent deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® EBR Solvent englisch

Remover

AZ 100 Remover - 5,00 l
1000100
AZ® 100 Remover Universal Fotolack Stripper Allgemeine Informationen AZ®100 Remover basiert auf Lösungsmittel und Amin (alkalisch). AZ®100 Remover wird zum Fotolack Abbeizen mit geringem Angriff auf Aluminium verwendet. Die geringe Gefährdung wird durch die Verwendung von Ethanol-Amin erreicht. Die niedrige Verdampfungsrate ermöglicht den Einsatz bei erhöhten Temperaturen (bis zu 80°C), die hohe Effizienz (>3000 Wafer pro Liter) hilft Kosten zu sparen. Wenn ein Angriff auf Aluminium kein Problem darstellt, kann es sogar mit Wasser verdünnt werden. AZ®100 Remover ist nicht kompatibel mit AZ® nLof 2070 (AZ® nLof 2000 Serie) und anderen stark vernetzten Resistenzen. Produkteigenschaften Dichte (bei 25°C): 0.955 kg/l Farbe (Alpha): max. 20 Flammpunkt (AP): 72°C Normalität (potentiometrisch): 3.1 mol/l Siedebereich: 159-194°C Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 100 Remover englisch Anwendungshinweise: Fotolack entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch
AZ Remover 910 - 5.00 l
1000910
AZ® Remover 910 Auf Basis organischer Lösungsmittel Remover Allgemeine Informationen AZ® Remover 910 wurde entwickelt, um Positiv- und Negativtöne, chemisch verstärkte und DNQ/Novolak-Resists zu entfernen und aufzulösen. Es ist ein lösungsmittelbasiertes Produkt, das Säuren enthält und daher säurehaltig ist. Die Formulierung ist EH&S-freundlich, sie enthält kein NMP, DMAC, DMSO und kein TMAH und ist aminfrei. Sie eignet sich besonders für unsere vernetzenden Negativresiste wie AZ® nLof 2070, 2035 und 2020, den AZ® nLof 5110 und die AZ® 15nXT Serie. Kompatibilität Es eignet sich für Prozesse, bei denen empfindliche Metalle und andere Materialien freigelegt werden. Es zeigt niedrige Ätzraten auf: Al, Cu, Ti, W, TiW, TiN, Sn, Ni Si, SiO2 Die Angaben zur Selektivität und Kompatibilität sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 910 englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 910 deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® Remover 910 englisch Anwendungshinweise: Fotolack Entfernen von Fotolack englisch Entfernen von Fotolack deutsch
AZ Remover 920 - 5,00 l
1000920
AZ® Remover 920 Auf Basis organischer Lösungsmittel Remover Allgemeine Informationen AZ® Remover 920 wurde entwickelt, um eine schnelle Delaminierung und Auflösung von Fotolack Mustern zu ermöglichen und gleichzeitig eine breite Kompatibilität mit Bauelementesubstraten und Metallfolien zu gewährleisten. Die von Merck entwickelte Lösungsmittel- und Additivmischung ist umweltfreundlich und entspricht vollständig der REACH-Verordnung der Europäischen Union. Kompatibel mit den meisten AZ® positivlacken (vollständige Auflösung) und den meisten AZ® negativresisten (Auflösung oder Delamination je nach Vernetzungsgrad). Produkt-Eigenschaften Flammpunkt: 84,4°C Viskosität (20°C): 1.84 cSt Siedepunkt: 188°C Dichte (bei 25°C): 1.084 g/cm3 Kompatibilität Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ti, W, TiW, TiN, Sn, Ni Substrate: Si, SiO2, GaAs Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Wichtigste Merkmale Schnelle Delaminierung von Fotolack Mustern Breite Kompatibilität Umweltfreundlich Einige Anwendungen Bulk Fotolack Entfernung Metall-Lift-off-Lithografie Cu-Säulen-Metallisierungsreiniger RDL-Metallisierungsreinigungen Delamination von stark ausgehärteten Fotolack Mustern und organischen Rückständen Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 920 englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 920 deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® Remover 920 englisch Anwendungshinweise: Fotolack Entfernen englisch Entfernen von Fotolack deutsch
DMSO - 2,50 l - ULSI
MDMU1025
DMSO Dimethylsulfoxid Allgemeine Informationen Aufgrund seines niedrigen Dampfdrucks und seiner Wasserlöslichkeit ist DMSO ein ausgezeichnetes Stripper für Resists bzw. Lift-off-Medien und ist ein ungiftiger Ersatz für das seit einiger Zeit als giftig eingestufte NMP. Die optionale Zugabe von Cyclopentanon oder MEK erhöht die Leistung des Stripper für bestimmte Anwendungen und senkt den Schmelzpunkt von reinem DMSO erheblich. HINWEIS: Das Lösungsmittel DMSO (Dimethylsulfoxid) hat einen Schmelzpunkt knapp unter der Raumtemperatur, so dass es bei der Lagerung in kühleren Räumen möglicherweise einfrieren kann. Das Auftauen kann mehrere Tage dauern, aber danach kann das Produkt so verwendet werden, wie es ist. Für weitere Details lade bitte den Infobrief herunter. Produkt-Eigenschaften Dichte: 1,1 g/cm3 Schmelzpunkt: 18°C Siedepunkt: 189°C Flammpunkt: 87°C Dampfdruck @ 20°C: 0.56 hPa DMSO Molekül Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) englisch Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) deutsch Specs: Technische Daten DMSO (ULSI) Anwendungshinweise: Lösungsmittel: Theorie und Anwendung english Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch Fotolack Entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniClean CA25 - 5.00 l - MOS
TTCA25M5
TechniCleanTM CA25 Post Etch Residue (PER) Remover Allgemeine Informationen TechniCleanTM CA25 ist ein halbwässriges Gemisch zur Entfernung von Post Etch Residue (PER) für alle Verbindungsstellen und Technologieknoten. Es ist äußerst effizient bei der schnellen und selektiven Entfernung von metallorganischen Oxiden von Al, Cu, Ti, TiN, W und Ni. Produkt-Eigenschaften Flammpunkt: > 120°C Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar Viskosität (20°C): < 3 cP Siedepunkt: 100°C Dichte (bei 20°C): 1.041 g/cm3 Verträglichkeit Entfernt Organo-Metalloxide von: Metallen: kein Angriff auf Al, Cu, Ti, TiN, W, Ni Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Wichtigste Merkmale Unerreichte Vielseitigkeit bei der PER-Reinigung Hohe Effizienz bei niedriger Temperatur Keine zwischengeschaltete Spülung Geringe Umweltbelastung (fluorid-, amin-, hydroxylamin- und katechinfrei) Kosteneffizienz Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniClean™CA25 (MOS) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniClean™CA25 (MOS) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniClean™CA25 (MOS) englisch Technische Daten: Spezifikationen TechniClean™CA25 (MOS) Anwendungshinweise: Fotolack Entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip Micro D2 - 5.00 l - VLSI
TPD2V500
TechniStrip® Micro D2 Remover mit hoher Metall- und Materialverträglichkeit Allgemeine Informationen TechniStrip® Micro D2 ist ein vielseitiges Stripper, das für das Abheben und Auflösen von Harzen auf Negativ- und Positivtönen Resist geeignet ist. Das organische Gemisch hat die Besonderheit, dass es eine hohe Metall- und Materialverträglichkeit aufweist, so dass es auf allen Stapeln und insbesondere auf empfindlichen Substraten verwendet werden kann. TechniStrip® Micro D2 ist ein sehr gut geeigneter Ersatz für NMP- und DMSO/Amin-Abbeizer, die seit einiger Zeit als giftig gelten oder für einige Metalle korrosiv sind. Produkt-Eigenschaften Flammpunkt: 87°C Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar Siedepunkt: 190°C Dichte (bei 20°C): 1.113 g/cm3 Kompatibilität Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ni, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Au, Ag, Sn Substrate: SiO2, Si Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Einige Anwendungen Positives Ablösen von Harz Negativer Ton Resist Lift off Lift-Off-Verfahren zur Strukturierung von Metallen und dielektrischen Schichten Nachbesserung Klebstoff, Klebstoffreiniger Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniStrip Micro D2 (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniStrip Micro D2 (VLSI) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniStrip Micro D2 (VLSI) englisch Technische Daten: Specs TechniStrip Micro D2 (VLSI) Anwendungshinweise: Fotolack Entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip MLO-07 - 5,00 l - MOS
TPMLO075
TechniStrip® MLO07 DMSO-basiert Stripper Allgemeine Informationen TechniStrip® MLO 07 ist ein hocheffizienter Positiv- und Negativton Fotolack Remover , der für IR-, III/V-, MEMS-, Photonik-, TSV-Masken-, Lötstopp- und Festplatten-Stripping-Anwendungen verwendet wird. TechniStrip® MLO 07 wurde entwickelt, um eine hohe Löseleistung und eine hohe Materialverträglichkeit auf Cu, Al, Sn/Ag, Alu¬mina und gängigen organischen Substraten zu gewährleisten. Produkt-Eigenschaften Flammpunkt: 94°C Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar Siedepunkt: 189°C Dichte (bei 20°C): 1.093 g/cm3 Kompatibilität Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ni, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Au, Ag, Sn Substrate: Si, SiO2 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Hauptmerkmale Bessere Leistung als NMP in vielen Anwendungen Ermöglicht das Auflösen vieler Positivresiste Hohe Materialverträglichkeit auf Cu, Al, Sn, Ag, Aluminiumoxid, magnetischen Legierungen und organischen Substraten Ideal geeignet für die Ablösung von Gold- und Aluminiummetallen Die Formulierung minimiert die Bildung von Metallfragmenten während des Ablösungsprozesses Einige Anwendungen Metall-Lift-Off-Prozess Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniStrip MLO-07 (MOS) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniStrip MLO-07 (MOS) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniStrip MLO-07 (MOS) englisch Technische Daten: Spezifikationen TechniStrip MLO-07 (MOS) Anwendungshinweise: Fotolack Entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip NF26 - 5,00 l - MOS
TPNF2650
TechniStrip™ NF26 Trockener Film Remover Allgemeine Informationen TechniStrip™ NF26 ist ein hochwirksamer Negativton Fotolack Remover , der hauptsächlich für TSV-Masken und Lötstoppanwendungen verwendet wird. Die neuartige Reinigungsformulierung auf TMAH-Basis wurde für laminierte Fotoharze (Trockenfilmresists) und Flüssigharze entwickelt und zeigte im Vergleich zu Standardmischungen auf TMAH-Basis eine hohe Auflösungsleistung. Weitere Vorteile des TechniStrip™ NF26 sind seine sehr hohe Materialverträglichkeit im Vergleich zu Standardlösungen auf TMAH-Basis. Aufgrund der Beschaffenheit der Additive und des Lösungsmittels ist die Mischung vollständig kompatibel mit den Metallen, die in den BEOL-Verbindungen und WLP-Bumping-Anwendungen verwendet werden. Produkteigenschaften Flammpunkt: 90°C Viskosität (20°C): < 2cP Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar Siedepunkt: 189°C Dichte (bei 20°C): 1.02 g/cm3 Verträglichkeit Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ni, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Ag, Sn Substrate: Si, SiO2 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Wichtigste Merkmale Sehr hohe Ablöserate, > 10µm/min Große Harzauflösungseffizienz des Trockenfilms Badlebensdauer bis zu 72 Stunden bei 70°C Vollständige Metallverträglichkeit, < 2 A/min @ 60°C Vollständig mit Wasser mischbar Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NF26 (MOS) deutsch Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NF26 (MOS) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniStrip NF26 (MOS) englisch Technische Daten: Spezifikationen TechniStrip NF26 (MOS) Anwendungshinweise: Fotolack Entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip NF52 - 5,00 l - MOS
TPNF5250
TechniStrip™ NF52 Hocheffektiv Remover Allgemeine Informationen TechniStrip™ NF52 ist ein hochwirksames Remover für Negativlacke (sowohl Flüssiglacke als auch Trockenfilme). Aufgrund der Beschaffenheit der Additive und des Lösungsmittels ist die Mischung vollkommen kompatibel mit den Metallen, die in den BEOL-Verbindungen und WLP-Bumping-Anwendungen verwendet werden. Produkteigenschaften Flammpunkt: 90°C Viskosität (20°C): < 2cP Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar Siedepunkt: 189°C Dichte (bei 20°C): 1.08 g/cm3 Verträglichkeit Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ni, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Ag, Sn Substrate: Si, SiO2 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Wichtigste Merkmale Sehr hohe Ablöserate, >10µm/min Große Harzauflösungseffizienz des Trockenfilms Badlebensdauer bis zu 72 Stunden bei 70°C Vollständige Metallverträglichkeit, <2A/min @60°C Vollständig mit Wasser mischbar Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NF52 (MOS) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NF52 (MOS) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniStrip NF52 (MOS) englisch Technische Daten: Specs TechniStrip NF52 (MOS) Anwendungshinweise: Fotolack Entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip NI555 - 5,00 l - MOS
TNI555M5
TechniStrip® NI555 Stripper Allgemeine Informationen TechniStrip® NI555 wurde entwickelt, um eine schnelle und vollständige Fotolack Filmauflösung zu erreichen und damit das Verstopfen der Filter und die anschließende Ablagerung von unlöslichen Harzresten zu vermeiden, wie sie bei den meisten Standard-Strippern auftreten. Ein vernetzter AZ® 15 nXT-Film löst sich in DMSO-, NMP- oder TMAH-basierten Strippern vom Substrat ab, während TechniStrip® NI555 den Resist Film nach 20 Minuten vollständig auflöst. Produkteigenschaften Flammpunkt: 89°C Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar Siedepunkt: 190°C Dichte (bei 20°C): 0.978 g/cm3 Kompatibilität TechniStrip® NI555 ist ein leistungsfähiges Remover für Novolak-basierte Negativresists und ultradicke Positivresists wie: AZ® nLOF200 Serie AZ® 15nXT AZ® 40XT HINWEIS: Bitte beachte, dass der TechniStrip® NI555 nicht mit GaAs** kompatibel ist, was zu Problemen in der Anwendung führen kann. Metalle: greift GaAs an Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ni, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Au, Ag, Sn, Pd Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NI555 (MOS) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniStrip NI555 (MOS) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniStrip NI555 (MOS) englisch Technische Daten: Specs TechniStrip NI555 (MOS) Anwendungshinweise: Fotolack Entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip P1316 - 5,00 l - MOS
TP1316M5
TechniStrip® P1316 Hochleistung Remover Allgemeine Informationen TechniStrip® P1316 ist ein Remover mit sehr starker Ablösekraft für Novolak-basierte Lacke (einschließlich aller AZ® positivlacke), epoxidbasierte Beschichtungen, Polyimide und Trockenfilme. Bei typischen Anwendungstemperaturen um 75°C kann TechniStrip® P1316 auch vernetzte Resists rückstandsfrei auflösen, z. B. durch Trockenätzen oder Ionenimplantation. Die Remover kann auch in Sprühverfahren eingesetzt werden. Produkt-Eigenschaften Flammpunkt: 93°C Viskosität (20°C): < 2 cP Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar Siedepunkt: 189°C Dichte (bei 20°C): 1.03 g/cm3 Verträglichkeit Metalle: greift Al, Cu, Au an Metalle: kein Angriff auf Ta, Ni, Ti, TiN Substrate: Si, SiO2 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Einige Anwendungen TechniStrip® P1316 ist ein leistungsstarkes NMP-freies Remover für: Novolak-basierte Positivresiste wie z. B. alle positiven AZ® lacke Epoxid-basierte Resists Polyimide, Haftkleber Trockene Filme Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1316 (MOS) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1316 (MOS) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniStrip P1316 (MOS) englisch Technische Daten: Specs TechniStrip P1316 (MOS) Anwendungshinweise: Fotolack Entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip P1331 - 5,00 l - MOS
TP1331M
TechniStrip® P1331 Hochleistung Remover Allgemeine Informationen TechniStrip® P1331 ist ein Remover mit sehr starker Ablösekraft für Novolak-basierte Lacke (einschließlich aller AZ® positivlacke), epoxidbasierte Beschichtungen, Polyimide und Trockenfilme. Bei typischen Anwendungstemperaturen um 75°C kann TechniStrip® P1331 auch vernetzte Resists rückstandsfrei auflösen, z. B. durch Trockenätzen oder Ionenimplantation. Das Remover kann auch in Sprühverfahren verwendet werden. TechniStrip® P1331 ist für alkaliempfindliche Materialien eine Alternative zum P1316. Produkteigenschaften Flammpunkt: 100,5°C Viskosität (20°C): < 2 cP Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar Siedepunkt: 189°C Dichte (bei 20°C): 1.109 g/cm3 Verträglichkeit Metalle: greift Al, Cu, Au an Metalle: kein Angriff auf Ta, Ni, Ti, TiN Substrate: Si, SiO2 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Wichtigste Merkmale Sehr hohe Abtragsrate, >10µm/min Hohe Effizienz bei der Harzauflösung Erhöhte Harzbeladungskapazität, > 2 Mal so hoch wie bei Standard-POR THB121N, 21µm, 8" Wafer - bis zu 15 Wafer/Liter Badlebensdauer bis zu 72 Stunden bei 70°C Vollständige Metallverträglichkeit, <10A/min @60°C Vollständig mit Wasser mischbar Sicherheit: als reizend eingestuft Einige Anwendungen TechniStrip® P1316 ist ein leistungsstarkes NMP-freies Remover für: Novolak-basierte Positivlacke, wie z. B. alle positiven AZ® lacke Epoxid-basierte Resists Polyimide, Haftkleber Trockene Filme Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1331 (MOS) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1331 (MOS) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniStrip P1331 (MOS) englisch Technische Daten: Specs TechniStrip P1331 (MOS) Anwendungshinweise: Fotolack Entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung