Si + wet SiO2 wafer 4 inch 625 um (100) SSP P-doped
Prime Si + SiO2 (wet) (0 nm) wafer 625 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
48,50 €*
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| Bis 9 |
38,50 €*
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| Bis 24 |
32,50 €*
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| Bis 49 |
26,50 €*
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| Bis 99 |
24,50 €*
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| Bis 299 |
22,50 €*
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| Bis 499 |
18,50 €*
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| Ab 500 |
18,00 €*
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Produktnummer:
WWD40625250P1424SXX1
Produktinformationen "Si + wet SiO2 wafer 4 inch 625 um (100) SSP P-doped"
Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 625 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 10 - 20 Ohm cm, 1000 nm SiO2 +/- 10 %, single flat 32,5 +/- 2,5 mm, no second flat