Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP P-doped
Prime Si + SiO2 (wet) (0 nm) wafer 525 µm 100
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| Anzahl | Stückpreis |
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| Bis 4 |
69,00 €*
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| Bis 9 |
61,00 €*
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| Bis 24 |
55,00 €*
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| Bis 49 |
49,00 €*
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| Bis 99 |
46,00 €*
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| Bis 199 |
44,00 €*
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| Ab 200 |
42,00 €*
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Lagerbestand:
50
Produktnummer:
WWD40525250P1314SXX2
Produktinformationen "Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP P-doped"
Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 2280 nm SiO2 +/- 5 %