Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP P-doped
Prime Si + SiO2 (wet) (0 nm) wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
50,00 €*
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| Bis 9 |
39,20 €*
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| Bis 24 |
33,60 €*
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| Bis 49 |
28,00 €*
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| Bis 99 |
26,00 €*
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| Ab 100 |
24,00 €*
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Lagerbestand:
199
Produktnummer:
WWD40525250P1314SXX1
Produktinformationen "Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP P-doped"
Prime Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor), 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm SiO2