Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP As-doped
Prime Si + SiO2 (wet) (300 nm) wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
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| Bis 4 |
43,00 €*
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| Bis 9 |
32,20 €*
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| Bis 24 |
26,60 €*
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| Bis 49 |
21,00 €*
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| Bis 99 |
20,00 €*
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| Ab 100 |
19,00 €*
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Lagerbestand:
149
Produktnummer:
WWD40525250A1050S301
Produktinformationen "Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP As-doped"
Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Arsenic), 0.001 - 0.005 Ohm cm, 300 nm SiO2