Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) DSP B-doped
Prime Si + SiO2 (wet) (0 nm) wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
46,00 €*
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| Bis 9 |
35,20 €*
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| Bis 24 |
29,60 €*
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| Bis 49 |
24,00 €*
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| Bis 99 |
23,00 €*
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| Ab 100 |
22,00 €*
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Lagerbestand:
20
Produktnummer:
WWA40525150B1314SNN2
Produktinformationen "Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) DSP B-doped"
Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 300 nm SiO2