Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 µm (100), SSP,B-doped
Prime Si + SiO2 (wet) (0 nm) wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
48,00 €*
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| Bis 9 |
37,20 €*
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| Bis 24 |
31,60 €*
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| Bis 49 |
26,00 €*
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| Bis 99 |
24,00 €*
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| Bis 199 |
22,00 €*
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| Bis 499 |
20,00 €*
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| Ab 500 |
18,00 €*
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Produktnummer:
WWD40525250B1314SXX1
Produktinformationen "Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 µm (100), SSP,B-doped"
Prime Si + SiO2 (dry/wet/dry)-Wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm SiO2