Si + dry SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
Prime Si + SiO2 (dry) (90 nm) wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
40,00 €*
|
| Bis 9 |
34,00 €*
|
| Bis 24 |
28,00 €*
|
| Bis 49 |
22,00 €*
|
| Bis 99 |
21,00 €*
|
| Bis 149 |
20,00 €*
|
| Ab 150 |
19,50 €*
|
Schicken Sie uns eine Anfrage bei Fragen zu Artikeln, zur Abnahmemenge, Lieferzeit oder bei einer Musteranfragen!
Lagerbestand:
125
Produktnummer:
WTD40525255B1011S091
Produktinformationen "Si + dry SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped"
Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 0.001 - 0.01 Ohm cm, 90 nm SiO2