Si + dry SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
Prime Si + SiO2 (dry) (200 nm) wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
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| Bis 4 |
42,00 €*
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| Bis 9 |
32,00 €*
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| Bis 24 |
26,00 €*
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| Bis 49 |
20,00 €*
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| Bis 99 |
19,00 €*
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| Bis 199 |
18,00 €*
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| Ab 200 |
17,00 €*
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Lagerbestand:
316
Produktnummer:
WTD40525250B1314S201
Produktinformationen "Si + dry SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped"
Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 200 nm SiO2