Si + dry SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
Prime Si + SiO2 (dry) (290 nm) wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
91,00 €*
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| Bis 9 |
86,00 €*
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| Bis 24 |
83,60 €*
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| Bis 49 |
77,60 €*
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| Ab 50 |
76,90 €*
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Produktnummer:
MWCTI002PT020CCZZZ01
Produktinformationen "Si + dry SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped"
Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 290 nm SiO2,