Si + dry SiO2 wafer 3 inch 380 um (100) SSP
Prime Si + SiO2 (dry) (200 nm) wafer 380 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
59,50 €*
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| Bis 9 |
49,80 €*
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| Bis 24 |
45,00 €*
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| Bis 49 |
39,50 €*
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| Bis 99 |
36,00 €*
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| Bis 199 |
34,00 €*
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| Ab 200 |
32,00 €*
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Produktnummer:
WTD30380100X5617S201
Produktinformationen "Si + dry SiO2 wafer 3 inch 380 um (100) SSP"
Prime Si + dry SiO2 wafer 3 inch, thickness = 380 ± 10 µm, (100), 1-side polished, intrinsic (undoped), 5000 - 50000 Ohm cm, 200 nm thermal dry SiO2
| Diameter (round): | 3 inch |
|---|---|
| Material: | Si + SiO2 (dry) (200 nm) |
| Orientation: | 100 |
| Quality: | Prime |
| Resistivity: | 1000 - 10000 Ohm cm |
| SiO2 thickness: | 100 - 200 nm |
| Surface: | 1-side polished |
| Thickness: | 301 - 400 µm |