Si + dry SiO2 wafer 3 inch 200 um (100) SSP B-doped
Prime Si + SiO2 (dry) (300 nm) wafer 200 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
35,50 €*
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| Bis 9 |
25,80 €*
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| Bis 24 |
21,00 €*
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| Bis 49 |
16,00 €*
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| Bis 99 |
15,00 €*
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| Ab 100 |
14,00 €*
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Produktnummer:
WTD30200250B1314S301
Produktinformationen "Si + dry SiO2 wafer 3 inch 200 um (100) SSP B-doped"
Prime Si + dry SiO2 wafer 3 inch, thickness = 200 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 300 nm SiO2, 2 SEMI flats
| Diameter (round): | 3 inch |
|---|---|
| Material: | Si + SiO2 (dry) (300 nm) |
| Orientation: | 100 |
| Quality: | Prime |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| SiO2 thickness: | 201 - 300 nm |
| Surface: | 1-side polished |
| Thickness: | 100 - 200 µm |