Si + dry SiO2 wafer 3 inch 200 um (100) DSP
Prime Si + SiO2 (dry) (300 nm) wafer 200 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
66,00 €*
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| Bis 9 |
58,00 €*
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| Bis 24 |
50,00 €*
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| Bis 49 |
44,00 €*
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| Bis 99 |
42,00 €*
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| Bis 199 |
40,00 €*
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| Ab 200 |
38,00 €*
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Produktnummer:
WTA30200250X1718S301
Produktinformationen "Si + dry SiO2 wafer 3 inch 200 um (100) DSP"
Prime FZ-Si + dry SiO2 wafer 3 inch, thickness = 200 ± 25 µm, (100), 2-side polished, TTV < 10 µm, 10000 - 100000 Ohm cm, (> 10.000), 300 nm SiO2, 2 SEMI flats
| Diameter (round): | 3 inch |
|---|---|
| Material: | Si + SiO2 (dry) (300 nm) |
| Orientation: | 100 |
| Quality: | Prime |
| Resistivity: | > 10000 Ohm cm |
| SiO2 thickness: | 201 - 300 nm |
| Surface: | 2-side polished |
| Thickness: | 100 - 200 µm |