Si + dry SiO2 wafer 100x100 mm 525 um (100) SSP
Prime Si + SiO2 (dry) (200 nm) wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 19 |
32,00 €*
|
| Bis 49 |
28,00 €*
|
| Bis 99 |
24,00 €*
|
| Bis 199 |
22,50 €*
|
| Ab 200 |
21,00 €*
|
Schicken Sie uns eine Anfrage bei Fragen zu Artikeln, zur Abnahmemenge, Lieferzeit oder bei einer Musteranfragen!
Produktnummer:
W9TD10010005250200B2
Produktinformationen "Si + dry SiO2 wafer 100x100 mm 525 um (100) SSP"
Prime Square Si + dry SiO2 wafer piece (100 x 100 mm), thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 200 nm dry SiO2 (thermally grown on both sides), units of 10 wafers
| Material: | Si + SiO2 (dry) (200 nm) |
|---|---|
| Orientation: | 100 |
| Quality: | Prime |
| Rectangular Size: | 51 - 100 mm |
| SiO2 thickness: | 100 - 200 nm |
| Surface: | 1-side polished |
| Thickness: | 501 - 700 µm |