Si + dry SiO2 wafer 1 inch 500 um (100) SSP
Prime Si + SiO2 (dry) (20 nm) wafer 500 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 999 |
9,00 €*
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| Bis 1499 |
9,00 €*
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| Ab 1500 |
8,70 €*
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Produktnummer:
WTD10500250X2418S021
Produktinformationen "Si + dry SiO2 wafer 1 inch 500 um (100) SSP"
Prime FZ-Si + dry SiO2 wafer 1 inch, thickness = 500 ± 25 µm, (100), 1-side polished, TTV < 10 µm, 20 - 100000 Ohm cm, 25 nm thermal SiO2 (+/- 15 %, with +/- 10 % on best effort) on both sides, primary flat 8 mm, intrinsic/undoped
| Diameter (round): | 1 inch |
|---|---|
| Material: | Si + SiO2 (dry) (20 nm) |
| Orientation: | 100 |
| Quality: | Prime |
| Resistivity: | 1000 - 10000 Ohm cm |
| SiO2 thickness: | 0 - 100 nm |
| Surface: | 1-side polished |
| Thickness: | 401 - 500 µm |