Si + Si3N4 wafer 4 inch 525 um (100) DSP B-doped
Prime Si + Si3N4 (300 nm) wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
66,00 €*
|
| Bis 9 |
56,00 €*
|
| Bis 24 |
50,00 €*
|
| Bis 49 |
44,00 €*
|
| Bis 99 |
42,00 €*
|
| Ab 100 |
39,00 €*
|
Schicken Sie uns eine Anfrage bei Fragen zu Artikeln, zur Abnahmemenge, Lieferzeit oder bei einer Musteranfragen!
Lagerbestand:
53
Produktnummer:
WNA40525255B1314S301
Produktinformationen "Si + Si3N4 wafer 4 inch 525 um (100) DSP B-doped"
Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 300 nm LPCVD Si3N4 on both sides