Si + Si3N4 wafer 4 inch 525 um (100) DSP B-doped
Prime Si + Si3N4 (100 nm) wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
57,00 €*
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| Bis 9 |
52,00 €*
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| Bis 24 |
45,00 €*
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| Bis 49 |
38,00 €*
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| Bis 99 |
36,00 €*
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| Ab 100 |
34,00 €*
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Lagerbestand:
119
Produktnummer:
WNA40525155B1314S102
Produktinformationen "Si + Si3N4 wafer 4 inch 525 um (100) DSP B-doped"
Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 100 nm low-stress LPCVD Si3N4 on both sides