Si + Si3N4 wafer 4 inch 380 um (100) DSP B-doped
Prime Si + Si3N4 (0 nm) wafer 380 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
94,00 €*
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| Bis 9 |
83,00 €*
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| Bis 24 |
78,00 €*
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| Bis 49 |
72,00 €*
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| Bis 99 |
70,00 €*
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| Ab 100 |
68,00 €*
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Lagerbestand:
50
Produktnummer:
WNA40380155B1314SXX1
Produktinformationen "Si + Si3N4 wafer 4 inch 380 um (100) DSP B-doped"
Prime CZ-Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 380 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm LPCVD low-stress Si3N4 on both sides