Si + Si3N4 wafer 4 inch 380 um (100) DSP B-doped
Prime Si + Si3N4 (400 nm) wafer 380 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
68,00 €*
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| Bis 9 |
58,00 €*
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| Bis 24 |
52,00 €*
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| Bis 49 |
46,00 €*
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| Ab 50 |
44,00 €*
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Lagerbestand:
18
Produktnummer:
WNA40380155B1314S401
Produktinformationen "Si + Si3N4 wafer 4 inch 380 um (100) DSP B-doped"
Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 380 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 400 nm LPCVD low-stress Si3N4 on both sides