Si + Si3N4 wafer 4 inch 380 um (100) DSP B-doped
Prime Si + Si3N4 (150 nm) wafer 380 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
62,00 €*
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| Bis 9 |
52,00 €*
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| Bis 24 |
46,00 €*
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| Bis 49 |
40,00 €*
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| Bis 99 |
38,00 €*
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| Ab 100 |
37,00 €*
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Lagerbestand:
44
Produktnummer:
WNA40380155B1314S151
Produktinformationen "Si + Si3N4 wafer 4 inch 380 um (100) DSP B-doped"
Prime CZ-Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 380 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 145 nm LPCVD Si3N4 on both sides