Si + Si3N4 wafer 4 inch 325 um (100) SSP B-doped
Prime Si + Si3N4 (80 nm) wafer 325 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
64,00 €*
|
| Bis 9 |
53,20 €*
|
| Bis 24 |
47,60 €*
|
| Bis 49 |
42,00 €*
|
| Bis 99 |
40,00 €*
|
| Ab 100 |
39,00 €*
|
Schicken Sie uns eine Anfrage bei Fragen zu Artikeln, zur Abnahmemenge, Lieferzeit oder bei einer Musteranfragen!
Lagerbestand:
75
Produktnummer:
WND40325250B1314S081
Produktinformationen "Si + Si3N4 wafer 4 inch 325 um (100) SSP B-doped"
Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 325 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 80 nm stoichiometric LPCVD Si3N4 on both sides