Si + Si3N4 wafer 3 inch 381 um (100) DSP B-doped
Prime Si + Si3N4 (500 nm) wafer 381 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
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| Bis 4 |
67,50 €*
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| Bis 9 |
57,80 €*
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| Bis 24 |
53,00 €*
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| Bis 49 |
48,00 €*
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| Ab 50 |
45,00 €*
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Lagerbestand:
19
Produktnummer:
WNA30381250B1314S501
Produktinformationen "Si + Si3N4 wafer 3 inch 381 um (100) DSP B-doped"
Prime Si + Si3N4 wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 500 nm PECVD Si3N4 on one side