Si + Si3N4 wafer 3 inch 381 um (100) DSP B-doped
Prime Si + Si3N4 (50 nm) wafer 381 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
48,50 €*
|
| Bis 9 |
38,80 €*
|
| Bis 24 |
34,00 €*
|
| Bis 49 |
29,00 €*
|
| Ab 50 |
27,50 €*
|
Schicken Sie uns eine Anfrage bei Fragen zu Artikeln, zur Abnahmemenge, Lieferzeit oder bei einer Musteranfragen!
Produktnummer:
WNA30381250B1314S051
Produktinformationen "Si + Si3N4 wafer 3 inch 381 um (100) DSP B-doped"
Prime Si + Si3N4 wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 50 nm LPCVD Si3N4 on both sides
| Diameter (round): | 3 inch |
|---|---|
| Material: | Si + Si3N4 (50 nm) |
| Orientation: | 100 |
| Quality: | Prime |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| Si3N4 thickness: | 0 - 100 nm |
| Surface: | 2-side polished |
| Thickness: | 301 - 400 µm |