AZ® 10XT (220CPS) Dicklack für hohe Auflösung   Allgemeine Informationen Der AZ® 10XT ist ein i-und h-line (nicht g-line!) empfindlicher positiver Dicklack, als Nachfolger des AZ® 9260 mit diesem weitgehend baugleich, jedoch mit anderem Tensid. Der AZ® 10XT ist im Gegensatz zum ähnlich lautenden AZ® 12XT nicht chemisch verstärkt.   3.0 µm lines in 12 µm thick AZ® 10XT Ultratech 1500 Exposure, AZ® 400K Developer 1:4 (260s spray)   Produkteigenschaften Der AZ® 10XT weist nicht nur eine optimierte Lackhaftung auf gängigen Substratmaterialien, sondern auch das Potenzial sehr steiler Lackflanken und hoher Aspektverhältnisse auf. Entsprechend wird der AZ® 10XT häufig in der Galvanik, der Ionenimplantation oder zum Trockenätzen/RIE eingesetzt. Der AZ® 10XT erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 6 µm Lackschichtdicke, mit entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 4.5 - 20 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind, kann der AZ® 10XT mit PGMEA verdünnt werden, alternativ kommt für viele Prozesse auch der dünnere AZ® 4533 in Frage. Ab ca. 10 - 15 µm Lackschichtdicke gestaltet sich die Prozessierung des AZ® 10XT zunehmend zeitaufwendig: Der Softbake und die spätere Entwicklung dauern länger, für die Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung wird immer mehr Zeit benötigt, und die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen beim Belichten nimmt zu. Für Lackschichtdicken größer 10 µm empfiehlt es sich, die Verwendung eines chemisch verstärkten Dicklacks wie dem AZ® 12XT (5 - 20 µm Lackschichtdicke) oder AZ®IPS 6090 (> 20 µm Lackschichtdicke) in Erwägung zu ziehen, welche bei entsprechender Lackdicke deutlich kürzere Softbake- und Entwicklungsdauern aufweisen, keine Rehydrierung sowie deutlich geringere Lichtdosen benötigen, und keinen Stickstoff beim Belichten freisetzen. Entwickler Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K 1:4 (typ. 1 : 4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1 : 3.5 oder 1 : 3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer. Remover Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 10 XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 10XT (520CPS) Dicklack für hohe Auflösung   Allgemeine Informationen Der AZ® 10XT ist ein i-und h-line (nicht g-line!) empfindlicher positiver Dicklack, als Nachfolger des AZ® 9260 mit diesem weitgehend baugleich, jedoch mit anderem Tensid. Der AZ® 10XT ist im Gegensatz zum ähnlich lautenden AZ® 12XT nicht chemisch verstärkt.   3.0 µm lines in 12 µm thick AZ® 10XT Ultratech 1500 Exposure, AZ® 400K Developer 1:4 (260s spray)   Produkteigenschaften Der AZ® 10XT weist nicht nur eine optimierte Lackhaftung auf gängigen Substratmaterialien, sondern auch das Potenzial sehr steiler Lackflanken und hoher Aspektverhältnisse auf. Entsprechend wird der AZ® 10XT häufig in der Galvanik, der Ionenimplantation oder zum Trockenätzen/RIE eingesetzt. Der AZ® 10XT erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 6 µm Lackschichtdicke, mit entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 4.5 - 20 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind, kann der AZ® 10XT mit PGMEA verdünnt werden, alternativ kommt für viele Prozesse auch der dünnere AZ® 4533 in Frage. Ab ca. 10 - 15 µm Lackschichtdicke gestaltet sich die Prozessierung des AZ® 10XT zunehmend zeitaufwendig: Der Softbake und die spätere Entwicklung dauern länger, für die Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung wird immer mehr Zeit benötigt, und die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen beim Belichten nimmt zu. Für Lackschichtdicken größer 10 µm empfiehlt es sich, die Verwendung eines chemisch verstärkten Dicklacks wie dem AZ® 12XT (5 - 20 µm Lackschichtdicke) oder AZ® IPS 6090 (> 20 µm Lackschichtdicke) in Erwägung zu ziehen, welche bei entsprechender Lackdicke deutlich kürzere Softbake- und Entwicklungsdauern aufweisen, keine Rehydrierung sowie deutlich geringere Lichtdosen benötigen, und keinen Stickstoff beim Belichten freisetzen. Entwickler Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K 1:4 (typ. 1 : 4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1 : 3.5 oder 1 : 3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer. Remover Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 10 XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 125nXT-10B Ultradicker Negativlack für Galvanik   Allgemeine Informationen Der AZ® 125nXT-10B ist ein i-line empfindlicher, negativer Ultradicklack mit steilen Lackflanken und hohem Aspektverhältnis. 20 µm lines at 60 µm resist film thickness. 15 µm holes at 60 µm resist film thickness. 80 µm plated CuNi image. Produkteigenschaften Der ultradicke Negativlack AZ® 125nXT-10B deckt einen Lackschichtdickenbereich von 20 - 50 µm ab und kann mit angepassten Schleuderprofilen auch auf 100 µm und weit darüber aufgebaut und prozessiert werden. Der AZ® 125nXT-10B ist nur i-line empfindlich und benötigt als (für Negativlacke) Besonderheit keinen Post Exposure Bake nach dem Belichten zur Quervernetzung, d. h. der AZ® 125nXT-10B fotopolymerisiert. Durch seine geringe Absorption können auch sehr große Lackschichtdicken problemlos durchbelichtet und steile Lackflanken erzielt werden. Dies und seine sehr gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien machen diesen Lack geeignet für die galvanische Abformung dicker bis sehr dicker Schichten sowie DRIE. Bei - bezogen auf die jeweilige Lackschichtdicke - geringen Lichtdosen oder sehr großen Lackschichtdicken wird das Lackprofil leicht negativ, da die substratnahen Lackbereiche hierbei eine geringere Quervernetzung erfahren. Sollte sich in der Galvanik ein Angriff dieser schwächer quervernetzten Lackbereiche zeigen, eine höhere strukturgebenden Belichtungsdosis aber nicht infrage kommen, kann eine Flutbelichtung (ohne Fotomaske) nach der Entwicklung mit sehr hohen Dosen die Lackflanken auch in Substratnähe stärker quervernetzen, was sich jedoch erschwerend auf das spätere Strippen des Lacks auswirkt. Auch nach einer solchen Flutbelichtung ist kein weiterer Post Exposure Back nötig. Der AZ® 125nXT-10B kann grundsätzlich auch bei Lackschichtdicken kleiner 20 µm prozessiert werden, unterhalb von 10 µm Lackdicke wird die Prozessierung jedoch problematisch: Da beim Softbake aus der Lackoberfläche das für die Quervernetzung verantwortliche Additiv entweicht, werden beim Entwickeln grundsätzlich wenige Mikrometer der belichteten Lackoberfläche abgetragen, was bei dünnen Lackschichten einen entsprechend großen Anteil der Gesamtdicke ausmacht. Entwickler Zur Entwicklung des AZ® 125nXT-10B empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF (welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert). KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® 125nXT-10B grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden. Remover Der AZ® 125nXT-10B lässt sich mit herkömmlichen Strippern nass-chemisch entfernen, allerdings kann das Strippen sehr dicker quervernetzter Lackstrukturen durchaus eine Herausforderung sein. Falls hierfür organische Lösemittel bevorzugt werden, empfiehlt sich (heißes) DMSO, welches quervernetzte Lacke zwar nicht auflösen, jedoch nach einer gewissen Einwirkdauer vom Substrat ablösen kann. Dieser Vorgang kann beschleunigt werden, indem durch eine geringere Lichtdosis der Quervernetzungsgrad des Lacks in Substratnähe verringert wird. Alternativ empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung/ Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 125nXT-10B dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 125nXT-10B englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 15nXT (450CPS) Negativ Dicklack für die Galvanik   Allgemeine Informationen Der i-line empfindliche Negativlack AZ® 15nXT (450CPS) ist mit ca. 5 - 10 µm ein Dicklack mit senkrechten Lackflanken für z. B. RIE oder die Galvanik. 5 µm lines at 10 µm resist film thickness. 5 µm holes at 10 µm resist film thickness. 5 µm plated CuNi image. 3.6 µm plated CuNi image. Produkteigenschaften Der AZ® 15nXT (450CPS) deckt einen Lackschichtdickenbereich von - je nach Schleuderdrehzahl - ca. 5 - 10 µm ab. Er ist nur i-line empfindlich und benötigt nach dem Belichten einen Post Exposure Bake, um die beim Belichten induzierte Quervernetzung abzuschließen. Die entwickelten Lackstrukturen sind bei angepassten Prozessparametern senkrecht, hin zu dicken Lackschichten oder - bezogen auf jeweilige Lackschichtdicke - geringeren Lichtdosen zunehmend negativ. Werden dünnere Lackschichten gewünscht, kann der AZ® 15nXT (450CPS) mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Der AZ® 15nXT (450CPS) eignet sich durch seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien und seine hohe chemische Stabilität als Maske für die galvanische Abscheidung von z. B. Cu, Ni oder Au. Entwickler Zur Entwicklung des AZ® 15nXT (450CPS) empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 15nXT (450CPS) grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden. Remover Falls die Lackstrukturen durch z.B. die Metallisierung thermisch nicht zu stark quervernetzt wurden, kann ein Strippen bzw. Lift-off mit organischen Lösemitteln (Aceton gespült mit Isopropanol, oder DMSO) zum Erfolg führen. Für stärker quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung/ Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 15nXT (450CPS) dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist deutsch Technisches Datenblatt Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist englisch Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Series englisch Informationen AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 40XT Chemisch verstärkter Dicklack   General Information Der AZ® 40XT ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Ultradicklack für hohe Aspektverhältnisse.   Lines and spaces varying from 100 to 10 µm with a 40 µm thick AZ® 40XT at 400 mJ/cm2 exposure dose Produkteigenschaften Der AZ® 40XT deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 15 - 50 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® 40XT keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn vor allem für die galvanische Abformung für z. B. Cu. Ni oder Au geeignet. Grundsätzlich ist der AZ® 40XT nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Zu beachten ist, dass bei diesen chemisch verstärkten Lacken der Post Exposure Bake nicht optional, sondern zwingend notwendig ist, um die beim Belichten induzierte Fotoreaktion abzuschließen uns die spätere Entwicklung zu ermöglichen. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 15 µm erwünscht sind, kann der AZ® 40XT problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Falls es beim Softbake oder Post Exposure Bake zu Bläschen in der Lackschicht kommt, was vor allem hin zu größeren Lackschichtdicken auftreten kann, helfen entweder eine langsame Temperaturrampe bei diesen Backprozessen, oder eine mehrstufiger Backprozess mit jeweils ansteigender Temperatur. Kommen diese Maßnahmen nicht infrage, oder lässt sich die Bläschenbildung trotz dieser Maßnahme nicht vermeiden, empfiehlt sich die Verwendung des ebenfalls chemisch verstärkten Ultradicklacks AZ® IPS 6090. Entwickler Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® 40XT weniger geeignet. Remover Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung/ Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 40 XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Photoresist englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 40XT Photoresist englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 4999 Sprühlack Allgemeine Informationen AZ® 4999 ist eine hochtransparente Fotolack Sprühbeschichtung, die speziell für spezielle Sprühbeschichtungsanlagen (z. B. SÜSS Delta AltaSpray) entwickelt wurde, um fehlerfreie und gleichmäßige Beschichtungen auf Geräten mit schwieriger Topografie zu erzielen. Dicke (einige bis mehrere zehn Mikrometer) und gleichmäßige Resist Beschichtungen werden auf Topografien wie V-Nuten und Gräben mit optimaler Abdeckung von scharfen Kanten erzielt. Es gibt keine Anhäufung von Resist in Gräben. Die Verwendung von AZ® 4999 Fotolack ermöglicht eine hohe Reproduzierbarkeit in der Massenproduktion. Produkteigenschaften Viskosität (bei 25°C): 0.52 cSt Feststoffgehalt: 4% Absorptionsvermögen bei 398 nm: 0.1 l/(g*cm) Spektrale Empfindlichkeit: 310 nm - 440 nm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich das KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir das TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt). Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 4999 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 4999 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 4999 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 5214E Image Reversal Resist für hohe Auflösung Allgemeine Informationen Dieses spezielle Fotolack ist für Lift-off-Techniken gedacht, die ein negatives Seitenwandprofil erfordern. Das Umkehrbacken vernetzt die belichteten Resist mäßig und macht die entwickelten Strukturen bis zu ca. 130°C thermisch stabil. Aufgrund der vergleichsweise geringen Schichtdicke von Resist von ~1,4 µm ist das Prozessparameterfenster für einen Unterschnitt eher klein, so dass einige Optimierungen bei der Belichtungsdosis und den Reversal-Bake-Parametern erforderlich sind. Wenn die benötigte Auflösung nicht im sub-µm-Bereich liegt, ist ein dickerer Resist wie der AZ® LNR-003 (nächster Abschnitt) oder der AZ® nLOF 2000 Negativresist eine gute Alternative. Der Unterschnitt von AZ® 5214E wurde mit optimierten Prozessparametern erreicht. Produkteigenschaften Sehr hohe Auflösung sowohl als Positiv- Resist als auch als Negativlack Resist Mögliches negatives Seitenwandprofil im Bildumkehrmodus Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 405 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 1,0 - 1,8 µm Hohe thermische Stabilität, besonders im Umkehrbildmodus Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4 Verdünnung (für eine geforderte Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:5 verdünnt) ist ebenfalls möglich. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 726 MIF oder AZ® 326 MIF Developer, normalerweise unverdünnt, oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 ( 3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 5214E Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 5214E Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 5214E Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® IPS-6090 Positiv Dick Resist Allgemeine Informationen AZ® IPS-6090 für 30 - 150 µm Resist Filmdicke (i-line) Das chemisch verstärkte AZ® IPS-6090 ist, vergleichbar mit dem AZ® 40XT, ein ultradicker Resist Film, dessen hohe Viskosität sehr große Resist Filmdicken durch eine einzige Beschichtung ermöglicht. Sie muss nicht rehydriert werden, benötigt eine geringe Lichtdosis, setzt bei der Belichtung keinen Stickstoff frei und entwickelt sich sehr schnell, was im Vergleich zu herkömmlichen dicken Resist Filmen deutlich kürzere Prozesszeiten ermöglicht. Die AZ® IPS-6090 muss jedoch zwangsläufig nach der Belichtung gebacken werden, um entwickelt zu werden. Sie wurde für die Strukturierung von Halbleitern in fortschrittlichen Packaging-Anwendungen (3DIC/TSV, CU Pillar, WLCSP, MEMS) entwickelt. IPS 6050 (80 µm Resist Schichtdicke) Produkt-Eigenschaften Sehr hohe Auflösung Hohes Aspektverhältnis Niedrige Belichtungsdosis für die Dicke der Folie Gerades Musterprofil und fußfrei i-line empfindlich, 330 - 390 nm Filmdickenbereich: 30 - 150 µm Geeignet für Anwendungen wie die elektrochemische Abscheidung / Beschichtung von Cu RDL im WLCSP-Prozess Elektrochemische Abscheidung / Beschichtung von Cu, Ni, Sn, SnAg, Au für 3DIC, FO und Flipchip-Verfahren Opferschicht für den Ätzprozess von Si in TSV Opferschicht für den SiO2- oder SiN-Ätzprozess in der CMOS-Sensorverarbeitung Developer Wir empfehlen AZ® 326 MIF Developer oder AZ® 726 MIF Developer (diese enthält Tenside) für die Fotolack AZ® IPS-6090. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie dem Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover oder das TechniStrip P1331. Ausdünnung/Randstreifenentfernung Wir empfehlen für das Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Randwulstentfernung geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® IPS-6090 englisch Informationen AZ® IPS-6090 englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® nLOF 2020 Dickes Negativ Resist für Lift Off Allgemeine Informationen AZ® nLOF 2020 Fotolack für 2-10 µm Resist Schichtdicke (i-line) Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung durchzuführen. Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken. 700 nm Resist Linien, die mit dem 2,0 µm dicken AZ® nLOF 2020. Produkteigenschaften AZ® nLOF 2020 für Schichtdicke 2,0 µm @ 3000 rpm i-Linien empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien empfindlich Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr. Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!). Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!) Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters Developer Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind. Entferner Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2020 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2020 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® nLOF 2035 Dickes Negativ Resist für Lift Off Allgemeine Informationen AZ® nLOF 2035 Fotolack für 3-5 µm Resist Schichtdicke (i-line) Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung durchzuführen. Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken. 700 nm Resist Linien, die mit dem 3,5 µm dicken AZ® nLOF 2035.* Produkteigenschaften AZ® nLOF 2035 für Schichtdicke 3,5 µm @ 3000 rpm i-Linien empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien empfindlich Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr. Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!). Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!) Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters Developer Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind. Entferner Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2035 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2035 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® nLOF 2070 Dickes Negativ Resist für Lift Off Allgemeine Informationen AZ® nLOF 2070 Fotolack für 5-15 µm Resist Schichtdicke (i-line) Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Ein Backvorgang nach der Belichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung zu vollenden. Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken. Ein ausgeprägter Unterschnitt, der mit dem AZ® nLOF 2070 in einer Dicke von 22 µm. Produkteigenschaften AZ® nLOF 2070 für Schichtdicke 7,0 µm @ 3000 U/min i-Linien-empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien-empfindlich Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr. Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!). Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!) Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters Developer Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind. Entferner Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

MC-Dip Coating Resist für Tauchbeschichtung Allgemeine Informationen Der MC Dip Coating Fotolack ist ein positiver, gebrauchsfertiger (bereits verdünnter), kostengünstiger Fotolack, der für die Tauchbeschichtung optimiert wurde und eine verbesserte Homogenität der Fotolack-Schichtdicke im großflächigen Bereich bietet. Produkt-Eigenschaften Der MC Dip Coating sorgt für eine verbesserte Homogenität der Fotolack-Schichtdicke im großflächigen Bereich. Der Farbstoff des Lacks ermöglicht eine schnelle und einfache visuelle Inspektion der Beschichtungsleistung. Der erreichbare Schichtdickenbereich des Fotolacks liegt bei etwa 2 - 10 µm bei einer Ziehgeschwindigkeit von 3 - 15 mm/s. Der MC Dip Coating Fotolack enthält zwei Lösungsmittel: Das niedrig siedende MEK sorgt für eine schnelle Vor-Trocknung der Fotolackschicht und verhindert so, dass der Fotolack zum unteren Rand des Substrats (Platten) fließt. Das hoch siedende (langsam verdampfende) PGMEA sorgt für eine sehr glatte Oberfläche des Fotolacks. Tauchbeschichtung Für eine hohe Homogenität der Beschichtung wird eine Ziehgeschwindigkeit von 5 - 8 mm/s empfohlen. Zwischen den Tauchbeschichtungsschritten empfiehlt es sich, den Tank abzudecken, um die Verdunstung von MEK und die Einbindung von Partikeln in den Fotolack zu verhindern. Nach der Beschichtung sollte der Fotolack für einige Minuten bei Raumtemperatur ruhen, damit sich die Schicht glätten kann. Entwickler Wir empfehlen die Entwickler AZ® Developer, AZ® 400K und AZ® 351B. Möglich sind auch NaOH, KOH und TMAH Lösungen. Remover Alkalische Stripper wie der AZ® 100 Remover oder eine etwa 3%ige wässrige KOH- oder NaOH-Lösung sind als Remover geeignet. Viele organische Lösungsmittel eignen sich ebenfalls zur Entfernung von Fotolack. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt MC Dip Coating Resist englisch Sicherheitsdatenblatt MC Dip Coating Resist deutsch TDS: Technisches Datenblatt MC Dip Coating Resist englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® PL 177 Positiv Dicklack   Allgemeine Informationen AZ® PL 177 ist ein positiv gefärbter flüssiger Fotolack, der für die Anwendung in verschiedenen Beschichtungstechniken entwickelt wurde, insbesondere für die Leiterplattenherstellung. AZ® PL 177 ist in Blau/Violett eingefärbt, um eine einfache Kontrolle nach der Beschichtung zu ermöglichen. Der Fotolack kann sowohl für die Schleuderbeschichtung als auch für die Tauchbeschichtung sowie für Spritz- und Walzenbeschichtungen verwendet werden. Aufgrund seiner ausgezeichneten Haftungseigenschaften und chemischen Stabilität eignet er sich besonders gut für das nasschemische Ätzen. Es handelt sich um einen Allzweck-Fotolack, der für Anwendungen geeignet ist, bei denen eine hohe Auflösung und hohe thermische Stabilität nicht erforderlich sind. AZ® PL 177 ist ein kostengünstigerer Fotolack, der für Anwendungen mit geringeren Anforderungen an Auflösung und Seitenwandsteilheit geeignet ist. Bei einer Schichtdicke von ca. 5 µm bei 4000 U/min kann eine Auflösung von ca. 4 - 5 µm erreicht werden. Produkt-Eigenschaften Gutes Trocknungsverhalten Wasser-alkalische Verarbeitbarkeit PGMEA-basierte Formulierung (PGMEA steht für Propylenglykolmonomethyletheracetat) Sehr gute Haftungseigenschaften auf vielen Substrattypen Blau/violett eingefärbt für einfache Inspektion Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wasseralkalischen Lösungen) Empfindlich gegenüber g-, h- und i-Linien (ca. 320 - 440 nm) Resist-Schichtdickenbereich ca. 4 - 8 µm Entwickler Als Developer empfehlen wir den NaOH-basierten AZ® 351B, den KOH-basierten AZ® 400K oder einen TMAH-basierten Entwickler wie den AZ® 2026 MIF, AZ® Developer und sogar einfache wässrige KOH- oder NaOH-Lösungen können verwendet werden. Removers Für nicht vernetzte Fotolacke können der AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Fotolack vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturprozesse > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir den NMP-freien TechniStrip P1316 als Stripper. Der AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um stark behandelte oder schwer zu entfernende Resistreste handelt. Verdünnung / Randwallentfernung Für die Verdünnung und Randwallentfernung empfehlen wir den AZ® EBR Solvent, PGMEA oder MEK. Auch das AZ® EBR 70/30 Solvent ist für die Randwallentfernung geeignet. Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® PL177 Photoresist englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® PL177 Photoresist deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® PL177 Photoresist englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

TI 35ESX Fotolack Image Reversal Resist Allgemeine Informationen Die TI 35 ESX Resist ist speziell für den Einsatz in der so genannten "Image Reversal Technologie" konzipiert für: Nachträgliches Abheben von abgeschiedenen Schichten mit einer Dicke von bis zu 4 µm Plasma-Ätzen Die Viskosität der Resist führt zu einem Dickenbereich je nach Schleudergeschwindigkeit von 2,5 - 3,5 µm. Das typische Aspektverhältnis der erreichbaren strukturierten Merkmale liegt im Bereich von 1,0 - 2,0. Dieses technische Datenblatt soll dir einen Leitfaden für Prozessparameter für verschiedene Anwendungen geben. Die optimalen Werte für z. B. das Schleuderprofil, die Belichtungsdosis oder die Entwicklung hängen jedoch von der jeweiligen Ausrüstung ab und müssen für jede einzelne Anforderung angepasst werden. Aufgrund der erforderlichen zweiten Belichtung wird der Prozessablauf mit einem negativen Resist wie der **AZ® nLof 20xx Serie und könnte eine gute Alternative sein. Produkteigenschaften Mögliches negatives Seitenwandprofil im Bildumkehrmodus Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 2,5 - 3,5 µm Developer Wir empfehlen die TMAH-basierten Developer AZ® 726 MIF, AZ® 2026 MIF oder AZ® 400K 1:4 auf Basis von gepuffertem KOH. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TI 35ESX Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt TI 35ESX Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt TI 35ESX Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

TI-Spray Image Reversal Resist Allgemeine Informationen TI Spray für 1 - 20 µm Resist Schichtdicke (g-, H- und I-Linie) TI Spray ist ein gebrauchsfertiges Spray Resist, dessen geringer Gehalt an niedrig siedendem Lösungsmittel eine glatte Resist Oberfläche auf Kosten einer etwas geringeren Kantenabdeckung durch langsames Trocknen der gebildeten Resist Schicht ermöglicht (Wenn Kantenabdeckung von höchster Bedeutung ist, sollte die Verwendung von AZ® 4999 als gute Alternative in Betracht gezogen werden). Es kann im Positiv- oder im Bildumkehrmodus (negativ) verwendet werden. Es kann sowohl für nasschemische Ätzverfahren als auch für Lift-off-Anwendungen verwendet werden. Produkt-Eigenschaften Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrig-alkalisch) g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 1 - 20 µm Sehr glatte Resist Schichten nach der Sprühbeschichtung um den Preis eines geringeren Kantenbedeckungspotenzials Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, ist der KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) ein geeignetes Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir den TMAH-basierten AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt). Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TI Spray english Sicherheitsdatenblatt TI Spray deutsch TDS: Technisches Datenblatt TI Spray englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung