AZ® 10XT (220CPS) Dickere Lacke für hohe Auflösung Allgemeine Informationen Im Vergleich zur AZ® 4500 Serie haben die AZ® 10XT Fotolacke eine geringere optische Absorption. Das vereinfacht die Belichtung von (auch sehr) dicken Resist Filmen. In Kombination mit der fehlenden g-Linien-Empfindlichkeit benötigt die AZ® 10XT Serie daher unter Breitbandbedingungen eine längere Belichtungszeit und weist eine geringere Entwicklungsrate auf als AZ® 4500 Filme, die unter den gleichen Bedingungen verarbeitet werden. Auf der anderen Seite zeigt der AZ® 10XT ein sehr hohes Seitenverhältnis und eine hohe Auflösung. Für geringere Resist Filmdicken empfehlen wir eine Verdünnung mit PGMEA=AZ® EBR Solvent. Die folgenden Resist Schichtdicken beziehen sich auf 4000 U/min unter Standardbedingungen: 4.0 µm: 100g AZ® 10XT + 13g PGMEA 3.0 µm: 100g AZ® 10XT + 23g PGMEA 2.0 µm: 100g AZ® 10XT + 42g PGMEA 1.5 µm: 100g AZ® 10XT + 55g PGMEA 1.0 µm: 100g AZ® 10XT + 88g PGMEA Das AZ® 10XT ist eine PFOS-freie Alternative zum AZ® 9260, die im Jahr 2019 eingestellt wurde. Viskosität und Prozessparameter sind identisch mit denen des früheren AZ® 9260. 3.0 µm Linien in 12 µm dicken AZ® 10XT Ultratech 1500 Belichtung, AZ® 400K Developer 1:4 (260s Spray) Produkteigenschaften Gute Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert) Verträglich mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien) h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 410 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm Developer Die empfohlenen Developer für die AZ® 10XT Fotolack sind AZ® 400K 1:4 oder AZ® 726 MIF. Bei sehr dicken Resist Filmen kann eine eher starke Developer Konzentration wie AZ® 400K 1:3,5 - 1:3,0 für die erforderlichen kurzen Entwicklungszeiten sinnvoll sein. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/ Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 10XT (520CPS) Dickere Lacke für hohe Auflösung Allgemeine Informationen Im Vergleich zur AZ® 4500 Serie haben die AZ® 10XT Fotolacke eine geringere optische Absorption. Das vereinfacht die Belichtung von (auch sehr) dicken Resist Filmen. In Kombination mit der fehlenden g-Linien-Empfindlichkeit benötigt die AZ® 10XT Serie daher unter Breitbandbedingungen eine längere Belichtungszeit und weist eine geringere Entwicklungsrate auf als AZ® 4500 Filme, die unter den gleichen Bedingungen verarbeitet werden. Auf der anderen Seite zeigt der AZ® 10XT ein sehr hohes Seitenverhältnis und eine hohe Auflösung. Für geringere Resist Filmdicken empfehlen wir eine Verdünnung mit PGMEA=AZ® EBR Solvent. Die folgenden Resist Schichtdicken beziehen sich auf 4000 U/min unter Standardbedingungen: 4.0 µm: 100g AZ® 10XT + 13g PGMEA 3.0 µm: 100g AZ® 10XT + 23g PGMEA 2.0 µm: 100g AZ® 10XT + 42g PGMEA 1.5 µm: 100g AZ® 10XT + 55g PGMEA 1.0 µm: 100g AZ® 10XT + 88g PGMEA Das AZ® 10XT ist eine PFOS-freie Alternative zum AZ® 9260, die im Jahr 2019 eingestellt wurde. Viskosität und Prozessparameter sind identisch mit denen des früheren AZ® 9260. 3.0 µm Linien in 12 µm dicken AZ® 10XT Ultratech 1500 Belichtung, AZ® 400K Developer 1:4 (260s Spray) Produkt-Eigenschaften Gute Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert) Verträglich mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien) h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 410 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm Developer Die empfohlenen Developer für die AZ® 10XT Fotolack sind AZ® 400K 1:4 oder AZ® 726 MIF. Bei sehr dicken Resist Filmen kann eine eher starke Developer Konzentration wie AZ® 400K 1:3,5 - 1:3,0 für die erforderlichen kurzen Entwicklungszeiten sinnvoll sein. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/ Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 125nXT-10B Ultradickes Negativ Resist für die Beschichtung Allgemeine Informationen AZ® 125nXT-10B für 25 - 200 µm Resist Schichtdicke (i-line) Das AZ® 125nXT-10B ist ein Negativ Resist für Schichtdicken bis zu über 100 µm bei gleichzeitig sehr hoher Seitenwandsteilheit. Und sogar noch mehr (1 mm Resist Schichtdicke realisiert!) mit sehr steilen Seitenwänden und speziellen Beschichtungstechniken. Seine Vernetzung und sehr gute Resist Haftung machen es stabil in allen konventionellen Galvanikanwendungen. Dieses Resist muss nicht nachbelichtet werden. 20 µm Linien bei 60 µm Resist Schichtdicke. 15 µm Löcher bei 60 µm Resist Schichtdicke. 80 µm plattiertes CuNi-Bild. Produkteigenschaften 30 - 100 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung Bis zu 1 mm Resist Schichtdicke möglich Wässrig alkalisch Developer (z. B. AZ® 326/726/2026 MIF) Kein Bake nach der Belichtung, Fotopolymerisation während der Belichtung Keine Rehydrierung erforderlich, keine N2-Bildung während der Belichtung Sehr gute Haftung, kein Underplating Nassabziehverfahren (z. B. TechniStrip P1316) Optimiert für Galvanik, Nass- und Trockenätzung Developer Wir empfehlen die TMAH-basierte, gebrauchsfertige AZ® 2026 MIF Developer. AZ® 326 MIF und AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. Entferner Der empfohlene Stripper für den AZ® 125nXT-10B ist der NMP-freie TechniStrip P1316, bei alkaliempfindlichen Trägermaterialien der TechniStrip P1331 oder TechniStrip MLO07. Lösungsmittel wie NMP oder der Untoxik-Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken Resist Filmen ein Erhitzen der Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Resist muster und plattierte Strukturen, die mit einer 60 und 120 µm dicken AZ® 125nXT. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder AZ® EBR Solvent 70/30. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 125nXT-10B englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 15nXT (450CPS) Dickes Negativ Resist für die Beschichtung Allgemeine Informationen AZ® 15nXT (450CPS) für 5 - 20 µm Resist Schichtdicke (i-line) Die AZ® 15nXT (450CPS) ist ein Negativ Resist für Schichtdicken bis zu ca. 20 µm, mit einer Resist Schichtdicke von ~ 6 µm bei 4000 U/min. Durch seinen vernetzenden Charakter und seine sehr gute Resist Haftung ist es z. B. für alle herkömmlichen Galvanikanwendungen stabil. Bis zu einer Schichtdicke von etwa 10 µm Resist sind die Resist Seitenwände senkrecht, bei größeren Schichtdicken zunehmend negativ (unterschnitten), so dass sich die geformten Metallstrukturen nach oben hin verjüngen. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung auszuführen. 5 µm Linien bei 10 µm Resist Schichtdicke. 5 µm Löcher bei 10 µm Resist Schichtdicke. 5 µm plattiertes CuNi-Bild. 3.6 µm plattiertes CuNi-Bild. Produkteigenschaften 5 - 20 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung Wässrig alkalisch Developer, vorzugsweise AZ® 2026 MIF Ausgezeichnete Haftung, keine Unterbeschichtung Breite Substratkompatibilität: Cu, Au, Ti, NiFe, .. Breite Beschichtungskompatibilität: Cu, Ni, Au, .. Standard-Nassentschichtungsverfahren Nahezu vertikale Seitenwandwinkel Developer Wir empfehlen die TMAH-basierte, gebrauchsfertige AZ® 2026 MIF Developer. AZ® 326 MIF und AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. Entferner Das empfohlene Stripper für AZ® 15nXT ist das NMP-freie, ungiftige TechniStrip NI555 oder das AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Untergrundmaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® 15nXT Resist Filme auflösen (nicht nur vom Untergrund abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der ungiftige Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Foliendicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Folien ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack englisch Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Serie englisch Informationen AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack english Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 40XT Chemisch verstärkte dicke Fotolack Allgemeine Informationen AZ® 40XT für 15 - 100 µm Resist Filmdicke (i-line) Die chemisch verstärkte AZ® 40 XT ist eine ultradicke Resist, deren hohe Viskosität sehr große Resist Filmdicken durch eine einzige Beschichtung ermöglicht. Sie muss nicht rehydriert werden, benötigt eine geringe Lichtdosis, setzt bei der Belichtung keinen Stickstoff frei und entwickelt sich sehr schnell, was im Vergleich zu herkömmlichen dicken Resist Filmen deutlich kürzere Prozesszeiten ermöglicht. Allerdings muss die AZ® 40XT zwingend mit einem Post Exposure Bake entwickelt werden. Hinweis: Die maximale Soft-Bake-Temperatur darf nicht abrupt angewendet werden, um die Bildung von Blasen in der Resist Folie zu verhindern. Wir empfehlen entweder die Verwendung einer Annäherungsheizplatte oder eine Temperaturrampe auf einer Kontaktheizplatte. Die richtigen Temperaturrampen sind entscheidend für eine blasenfreie Resist Verarbeitung mit dieser Resist. Linien und Zwischenräume von 100 bis 10 µm mit einer 40 µm dicken AZ® 40XT bei 400 mJ/cm2 Belichtungsdosis Produkteigenschaften 15 - 100 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung Wässrig alkalisch Developer (z.B. AZ® 326/726/2026 MIF) Keine Rehydrierung erforderlich, keine N2-Bildung während der Belichtung Sehr gute Haftung, sehr steile Resist Seitenwände Kann nass- und trocken-chemisch entlackt werden Optimiert für Galvanik, Nass- und Trockenätzung i-Linien-empfindlich (ca. 330 - 390 nm) Developer Wir empfehlen gängige TMAH-basierte Developer wie die AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF Developer. Entferner AZ® 40XT Fotolack ist mit branchenüblichen lösungsmittelbasierten Entfernern kompatibel (z. B. NMP, DMSO, AZ® 920 Remover oder Technistrip MLO07). Verdünnen/Entfernen von Randwülsten Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Randwulstentfernung geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 4999 Sprühlack Allgemeine Informationen AZ® 4999 ist eine hochtransparente Fotolack Sprühbeschichtung, die speziell für spezielle Sprühbeschichtungsanlagen (z. B. SÜSS Delta AltaSpray) entwickelt wurde, um fehlerfreie und gleichmäßige Beschichtungen auf Geräten mit schwieriger Topografie zu erzielen. Dicke (einige bis mehrere zehn Mikrometer) und gleichmäßige Resist Beschichtungen werden auf Topografien wie V-Nuten und Gräben mit optimaler Abdeckung von scharfen Kanten erzielt. Es gibt keine Anhäufung von Resist in Gräben. Die Verwendung von AZ® 4999 Fotolack ermöglicht eine hohe Reproduzierbarkeit in der Massenproduktion. Produkteigenschaften Viskosität (bei 25°C): 0.52 cSt Feststoffgehalt: 4% Absorptionsvermögen bei 398 nm: 0.1 l/(g*cm) Spektrale Empfindlichkeit: 310 nm - 440 nm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich das KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir das TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt). Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 4999 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 4999 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 4999 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 5214E Image Reversal Resist für hohe Auflösung Allgemeine Informationen Dieses spezielle Fotolack ist für Lift-off-Techniken gedacht, die ein negatives Seitenwandprofil erfordern. Das Umkehrbacken vernetzt die belichteten Resist mäßig und macht die entwickelten Strukturen bis zu ca. 130°C thermisch stabil. Aufgrund der vergleichsweise geringen Schichtdicke von Resist von ~1,4 µm ist das Prozessparameterfenster für einen Unterschnitt eher klein, so dass einige Optimierungen bei der Belichtungsdosis und den Reversal-Bake-Parametern erforderlich sind. Wenn die benötigte Auflösung nicht im sub-µm-Bereich liegt, ist ein dickerer Resist wie der AZ® LNR-003 (nächster Abschnitt) oder der AZ® nLOF 2000 Negativresist eine gute Alternative. Der Unterschnitt von AZ® 5214E wurde mit optimierten Prozessparametern erreicht. Produkteigenschaften Sehr hohe Auflösung sowohl als Positiv- Resist als auch als Negativlack Resist Mögliches negatives Seitenwandprofil im Bildumkehrmodus Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 405 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 1,0 - 1,8 µm Hohe thermische Stabilität, besonders im Umkehrbildmodus Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4 Verdünnung (für eine geforderte Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:5 verdünnt) ist ebenfalls möglich. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 726 MIF oder AZ® 326 MIF Developer, normalerweise unverdünnt, oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 ( 3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 5214E Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 5214E Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 5214E Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® IPS-6090 Positiv Dick Resist Allgemeine Informationen AZ® IPS-6090 für 30 - 150 µm Resist Filmdicke (i-line) Das chemisch verstärkte AZ® IPS-6090 ist, vergleichbar mit dem AZ® 40XT, ein ultradicker Resist Film, dessen hohe Viskosität sehr große Resist Filmdicken durch eine einzige Beschichtung ermöglicht. Sie muss nicht rehydriert werden, benötigt eine geringe Lichtdosis, setzt bei der Belichtung keinen Stickstoff frei und entwickelt sich sehr schnell, was im Vergleich zu herkömmlichen dicken Resist Filmen deutlich kürzere Prozesszeiten ermöglicht. Die AZ® IPS-6090 muss jedoch zwangsläufig nach der Belichtung gebacken werden, um entwickelt zu werden. Sie wurde für die Strukturierung von Halbleitern in fortschrittlichen Packaging-Anwendungen (3DIC/TSV, CU Pillar, WLCSP, MEMS) entwickelt. IPS 6050 (80 µm Resist Schichtdicke) Produkt-Eigenschaften Sehr hohe Auflösung Hohes Aspektverhältnis Niedrige Belichtungsdosis für die Dicke der Folie Gerades Musterprofil und fußfrei i-line empfindlich, 330 - 390 nm Filmdickenbereich: 30 - 150 µm Geeignet für Anwendungen wie die elektrochemische Abscheidung / Beschichtung von Cu RDL im WLCSP-Prozess Elektrochemische Abscheidung / Beschichtung von Cu, Ni, Sn, SnAg, Au für 3DIC, FO und Flipchip-Verfahren Opferschicht für den Ätzprozess von Si in TSV Opferschicht für den SiO2- oder SiN-Ätzprozess in der CMOS-Sensorverarbeitung Developer Wir empfehlen AZ® 326 MIF Developer oder AZ® 726 MIF Developer (diese enthält Tenside) für die Fotolack AZ® IPS-6090. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie dem Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover oder das TechniStrip P1331. Ausdünnung/Randstreifenentfernung Wir empfehlen für das Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Randwulstentfernung geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® IPS-6090 englisch Informationen AZ® IPS-6090 englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® nLOF 2020 Dickes Negativ Resist für Lift Off Allgemeine Informationen AZ® nLOF 2020 Fotolack für 2-10 µm Resist Schichtdicke (i-line) Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung durchzuführen. Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken. 700 nm Resist Linien, die mit dem 2,0 µm dicken AZ® nLOF 2020. Produkteigenschaften AZ® nLOF 2020 für Schichtdicke 2,0 µm @ 3000 rpm i-Linien empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien empfindlich Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr. Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!). Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!) Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters Developer Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind. Entferner Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2020 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2020 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® nLOF 2035 Dickes Negativ Resist für Lift Off Allgemeine Informationen AZ® nLOF 2035 Fotolack für 3-5 µm Resist Schichtdicke (i-line) Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung durchzuführen. Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken. 700 nm Resist Linien, die mit dem 3,5 µm dicken AZ® nLOF 2035.* Produkteigenschaften AZ® nLOF 2035 für Schichtdicke 3,5 µm @ 3000 rpm i-Linien empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien empfindlich Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr. Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!). Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!) Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters Developer Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind. Entferner Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2035 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2035 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® nLOF 2070 Dickes Negativ Resist für Lift Off Allgemeine Informationen AZ® nLOF 2070 Fotolack für 5-15 µm Resist Schichtdicke (i-line) Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Ein Backvorgang nach der Belichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung zu vollenden. Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken. Ein ausgeprägter Unterschnitt, der mit dem AZ® nLOF 2070 in einer Dicke von 22 µm. Produkteigenschaften AZ® nLOF 2070 für Schichtdicke 7,0 µm @ 3000 U/min i-Linien-empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien-empfindlich Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr. Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!). Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!) Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters Developer Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind. Entferner Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

MC-Dip-Coating Resist Resist für Tauchbeschichtung Allgemeine Informationen Das MC Dip Coating Resist ist ein positiv getöntes, gebrauchsfertiges (fertig verdünntes), kostengünstiges Resist, das für die Tauchbeschichtung mit verbesserter großflächiger Resist Schichtdickenhomogenität optimiert ist. Produkt-Eigenschaften MC Dip Coating Resist ist ein kostengünstiger, gebrauchsfertiger (fertig verdünnter) Positivton Resist, der für die Tauchbeschichtung mit verbesserter großflächiger Resist Schichtdickenhomogenität optimiert ist. Sein Farbstoff ermöglicht eine schnelle und einfache visuelle Überprüfung der Beschichtungsleistung. Der erreichbare Resist Schichtdickenbereich liegt bei ca. 2 - 10 µm bei einer Zuggeschwindigkeit von 3 - 15 mm/s. MC Dip Coating Resist enthält zwei Lösungsmittel: Das niedrig siedende MEK bewirkt eine schnelle Vortrocknung des Resist Films und verhindert so, dass Resist zum Boden des zu beschichtenden Substrats (Platten) fließt. Das hochsiedende (= langsam verdampfende) PGMEA sorgt für eine sehr glatte Resist Filmoberfläche. Tauchbeschichtung Für eine hohe Homogenität der Beschichtung wird eine Zuggeschwindigkeit von 5 - 8 mm/s empfohlen. Zwischen den Tauchbeschichtungsschritten empfiehlt es sich, den Tank abzudecken, um die Verdunstung von MEK und die Einbindung von Partikeln in die Flüssigkeit zu verhindern Resist. Nach der Beschichtung sollte der Resist Film einige Minuten bei Raumtemperatur ruhen, damit er sich glätten kann. Developer Wir empfehlen die Developer AZ® Developer , AZ® 400K und AZ® 351B. Möglich sind auch einfache NaOH, KOH und TMAH Lösungen. Resist Ablösen Alkalische Abbeizmittel wie AZ® 100 Remover, oder eine ca. 3 %ige wässrige KOH- oder NaOH-Lösung sind geeignet. Viele organische Lösungsmittel eignen sich auch für die Entfernung Fotolack. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt MC Dip Coating Resist englisch Sicherheitsdatenblatt MC Dip Coating Resist deutsch TDS: Technisches Datenblatt MC Dip Coating Resist englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® PL 177 Positiv Dick Resist Allgemeine Informationen AZ® PL 177 ist eine positiv gefärbte Flüssigkeit Fotolack für die Anwendung in verschiedenen Beschichtungstechniken, insbesondere für die Leiterplattenherstellung. AZ® PL 177 ist mit einer blau/violetten Farbe eingefärbt, um eine einfache Kontrolle nach der Beschichtung zu ermöglichen. Sie kann sowohl für die Schleuderbeschichtung als auch für die Tauchbeschichtung oder für die Spritz- und Walzenbeschichtung verwendet werden. Aufgrund seiner hervorragenden Haftungseigenschaften und seiner chemischen Stabilität eignet es sich besonders für das nasschemische Ätzen. Es ist ein Allzweckmittel Resist und eignet sich für alle Anwendungen, bei denen eine hohe Auflösung und eine hohe thermische Stabilität nicht wichtig sind. Das AZ® PL 177 ist ein preiswerteres Resist für geringere Anforderungen an Auflösung und Seitenwandsteilheit. Mit einer Resist Schichtdicke von ca. 5 µm bei 4000 U/min ist eine Auflösung von ca. 4 - 5 µm möglich. Produkt-Eigenschaften Gutes Trocknungsverhalten Wässrig-alkalische Prozessfähigkeit PGMEA-basierte Formulierung Sehr gute Hafteigenschaften auf vielen Arten von Substraten Blau/violett gefärbt für eine einfache Inspektion Kompatibel mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien) g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 4 - 8 µm Developer Als Developer empfehlen wir den NaOH-basierten AZ® 351B, den KOH-basierten AZ® 400K oder einen TMAH-basierten Entwickler wie den AZ® 2026 MIF. AZ Developer und sogar einfache wässrige KOH- oder NaOH-Lösungen können verwendet werden. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent, PGMEA oder MEK. AZ® EBR 70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® PL177 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® PL177 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® PL177 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

TI 35ESX Fotolack Image Reversal Resist Allgemeine Informationen Die TI 35 ESX Resist ist speziell für den Einsatz in der so genannten "Image Reversal Technologie" konzipiert für: Nachträgliches Abheben von abgeschiedenen Schichten mit einer Dicke von bis zu 4 µm Plasma-Ätzen Die Viskosität der Resist führt zu einem Dickenbereich je nach Schleudergeschwindigkeit von 2,5 - 3,5 µm. Das typische Aspektverhältnis der erreichbaren strukturierten Merkmale liegt im Bereich von 1,0 - 2,0. Dieses technische Datenblatt soll dir einen Leitfaden für Prozessparameter für verschiedene Anwendungen geben. Die optimalen Werte für z. B. das Schleuderprofil, die Belichtungsdosis oder die Entwicklung hängen jedoch von der jeweiligen Ausrüstung ab und müssen für jede einzelne Anforderung angepasst werden. Aufgrund der erforderlichen zweiten Belichtung wird der Prozessablauf mit einem negativen Resist wie der **AZ® nLof 20xx Serie und könnte eine gute Alternative sein. Produkteigenschaften Mögliches negatives Seitenwandprofil im Bildumkehrmodus Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 2,5 - 3,5 µm Developer Wir empfehlen die TMAH-basierten Developer AZ® 726 MIF, AZ® 2026 MIF oder AZ® 400K 1:4 auf Basis von gepuffertem KOH. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TI 35ESX Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt TI 35ESX Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt TI 35ESX Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

TI-Spray Image Reversal Resist Allgemeine Informationen TI Spray für 1 - 20 µm Resist Schichtdicke (g-, H- und I-Linie) TI Spray ist ein gebrauchsfertiges Spray Resist, dessen geringer Gehalt an niedrig siedendem Lösungsmittel eine glatte Resist Oberfläche auf Kosten einer etwas geringeren Kantenabdeckung durch langsames Trocknen der gebildeten Resist Schicht ermöglicht (Wenn Kantenabdeckung von höchster Bedeutung ist, sollte die Verwendung von AZ® 4999 als gute Alternative in Betracht gezogen werden). Es kann im Positiv- oder im Bildumkehrmodus (negativ) verwendet werden. Es kann sowohl für nasschemische Ätzverfahren als auch für Lift-off-Anwendungen verwendet werden. Produkt-Eigenschaften Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrig-alkalisch) g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 1 - 20 µm Sehr glatte Resist Schichten nach der Sprühbeschichtung um den Preis eines geringeren Kantenbedeckungspotenzials Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, ist der KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) ein geeignetes Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir den TMAH-basierten AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt). Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TI Spray english Sicherheitsdatenblatt TI Spray deutsch TDS: Technisches Datenblatt TI Spray englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung