TechniEtch Al80 Aluminium Ätzmittel Allgemeine Informationen TechniEtch Al80 ist eine gebrauchsfertige Ätzmischung auf Basis von Phosphorsäure, Salpetersäure und Essigsäure zum Ätzen von Aluminium. Unser Aluminiumätzmittel TechniEtch Al80 hat die Zusammensetzung H3PO4: HNO3: CH3COOH* : H2O=80% : 5% : 5% : 10% wird in MOS-Qualität geliefert. Produkt-Eigenschaften Hohe Ätzrate bei Raumtemperatur. Hohe Stabilität auch bei Metallverunreinigungen Beladung und Badlebensdauer hängen hauptsächlich von der Prozesstemperatur, dem Werkzeug und dem Extraktionsfluss ab Selektivität TechniEtch Al80 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien: Metalle: kein Angriff auf Au, Pt Metalle: Angriff auf Al Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerinformationen und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Al80 (MOS) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Al80 (MOS) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniEtch Al80 (MOS) englisch Technische Daten: Technische Daten TechniEtch Al80 (MOS) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasses Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

TechniEtch Cr01 Chrom-Ätzmittel Allgemeine Informationen TechniEtch Cr01 ist eine gebrauchsfertige Ätzmischung auf Basis von Ammoniumnitrat und Perchlorsäure zum Ätzen von Chrom. TechniEtch Cr01 besteht aus cerischem Ammoniumnitrat : Perchlorsäure : Wasser=10,9% : 4,25% : 84,85% mit einer Ätzrate von ca. 60 nm/Minute bei Raumtemperatur und ist in VLSI-Qualität erhältlich. Produkt-Eigenschaften Cr-Ätzrate bei Raumtemperatur 60-100 nm/min Al, Ti, W, Ni @ RT von 10nm/min bis 200 nm/min Cu, Ag, V werden stark geätzt > 200 nm/min Au, Pd, Pt sind kompatibel Kompatibel mit Positivton-Harz Kann verdünnt werden, um die Cr-Ätzrate anzupassen Selektivität TechniEtch Cr01 ist mit den folgenden Materialien kompatibel bzw. ätzt selektiv: Metalle: kein Angriff auf Au, Pd, Pt Metalle: Angriff auf Cr, Fe, Mo, Ni, Al, Ti, W, Cu, Ag, V, Co, Mg, Mn, Sn Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Cr01 (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Cr01 (VLSI) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniEtch Cr01 (VLSI) englisch Technische Daten: Technische Daten TechniEtch Cr01 (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasses Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Ammoniaklösung NH4OH Allgemeine Informationen Gemischt mit H2O2 ist Ammoniak ein Bestandteil vieler Ätzmischungen für Metalle wie Kupfer, Silber oder Aluminium. Unsere Ammoniaklösung (28 - 30%) ist in VLSI-Qualität erhältlich, also in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Ammoniumhydroxidlösung (VLSI) 28-30% englisch Specs: Specs Ammoniumhydroxidlösung (VLSI) 28-30% Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch

Au etch 200 Gold Ätzmittel Allgemeine Informationen Au etch 200 ist ein ungefährliches, cyanidfreies, leicht alkalisches Ätzmittel für Au. Das Ätzmittel wird für die nasschemische Strukturierung von Au-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Pt, Ni, Cr, Ti, Al verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterherstellung oder die Mikrosystemtechnik. Produkteigenschaften Geringer Unterschnitt (im Bereich der Schichtdicke), minimale Strukturgröße < 1 µm Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden In verschiedenen Reinheitsgraden erhältlich Kompatibel mit Resist Maskierung Kein Gefahrstoff und leicht zu handhaben Selektivität Au etch 200 ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien: Resists: gängiger Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Pt, Ni, Cr, Ti, Al, Ta Metalle: greift Au, Cu an Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei 40 nm/min (bei 50°C). Die gemischte Ätzlösung ist langzeitstabil und kann je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Safety Data Sheet Au etch 200 english Sicherheitsdatenblatt Au etch 200 deutsch TDS: Technical Data Sheet Au etch 200 english Technisches Datenblatt Au etch 200 deutsch Anwendungshinweise: Wet Etching english Nasschemisches Ätzen deutsch Wet Etching of Metals english Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Further Information about Processing

AX 100 Aktivator Allgemeine Informationen AX 100 ist eine saure Lösung zur Aktivierung und Vorbehandlung von Keimschichten und metallischen Oberflächen für die Galvanik, auf denen eine direkte Metallisierung Probleme hinsichtlich der Haftfestigkeit verursachen kann. Dies gilt z.B. für die galvanische Abscheidung von Au auf Ni-Oberflächen oder die direkte galvanische Abscheidung auf Ti- oder TiW-Schichten. AX 100 aktiviert metallische Oberflächen vor der galvanischen Abscheidung und ermöglicht eine bessere Haftfestigkeit von galvanischen Schichten auf metallischen Oberflächen, die zur Oxidation neigen. Häufige Anwendungsgebiete sind die Halbleiterfertigung und die Mikrosystemtechnik. Produkteigenschaften Geringer oder kein Ätzangriff auf metallischen Oberflächen Kompatibel mit vielen Materialien, z. B. mit den in der Galvanikindustrie üblichen Metallen Kompatibel mit Resist Maskierung Keine giftige Substanz und leicht zu handhaben Mäßige Betriebstemperatur von etwa 40°C Selektivität AX 100 ist mit den folgenden Materialien kompatibel/selektiv: Resists: gängige Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Ni, Ti, TiW, Ta, Cu Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Kompatibilität sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AX 100 englisch Sicherheitsdatenblatt AX 100 deutsch TDS: Technisches Datenblatt AX 100 englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen zur Verarbeitung

BOE 7:1 Gepufferte Oxidätzung Allgemeine Informationen BOE wird hauptsächlich zum Ätzen von Gläsern, Quarz und SiO2-Filmen verwendet. Wir liefern BOE 7:1=gepufferte Flusssäure (HF : NH4F=12,5 : 87,5%) in VLSI-Qualität, was den üblichen Reinheitsgraden entspricht, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. HINWEIS: BOE muss über +12,5°C gelagert und transportiert werden. Unterhalb dieser kritischen Temperatur von 12,5°C bildet das Material Partikel (kleine Kristalle). Da diese Kristalle eine höhere Dichte haben, sammeln sie sich am Boden der Flasche an und werden erst dann wieder vollständig aufgelöst, wenn das Material einige Tage lang bei Temperaturen von 30 - 35°C gelagert wird. Nach dieser Prozedur sollten die Kristalle wieder vollständig aufgelöst sein und die BOE kann dann ohne Einschränkungen verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt BOE 7:1 (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt BOE 7:1 (VLSI) deutsch Specs: Technische Daten BOE 7:1 (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Cr-Ätzen 210 Chrom-Ätzmittel Allgemeine Informationen Cr-Ätz 210 ist ein alkalisches Ätzmittel für Cr. Das Ätzmittel wird für die nasschemische Strukturierung oder Entfernung von dünnen Cr-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Au, Sn, Pt, Cu, Ni, Ti, Ta verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterfertigung oder die Mikrosystemtechnik, z. B. zum Entfernen oder Strukturieren einer Cr-Barriere- oder Adhäsionsschicht in einem Plating-Seed-Stack. Produkteigenschaften Geringer Unterschnitt (im Bereich der Schichtdicke), minimale Strukturgröße < 1µm Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden In verschiedenen Reinheitsgraden erhältlich Kompatibel mit Resist Maske Einsatz bei Raumtemperatur Steigerung der Ätzrate durch Erhöhung der Temperatur auf bis zu 40°C Selektivität Cr Etch 210 ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien: Fotolacke: gängiger Novolak als Maske Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Au, Sn, Pt, Cu, Ni, Ti, Ta Metalle: greift Cr an Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Kompatibilität sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen beträgt die Ätzrate etwa 10 bis 15 nm/min bei 40 °C (bei Raumtemperatur entsprechend niedriger). Eine gesputterte 30nm Cr-Schicht wird in etwa 180 Sekunden geätzt. Die gemischte Ätzlösung ist langzeitstabil und kann je nach Anwendungsbedarf mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Cr etch 210 deutsch Sicherheitsdatenblatt Cr etch 210 deutsch TDS: Technisches Datenblatt Cr etch 210 englisch Technisches Merkblatt Cr etch 210 deutsch Anwendungshinweise: Nasschemisches Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasschemisches Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Cu-Ätzmittel 100 Kupfer Ätzmittel Allgemeine Informationen Cu etch 100 ist ein alkalisches Ätzmittel für Cu und wird für die nasschemische Entfernung von Cu-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Ni, Au, Cr, Sn, Ti verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterfertigung oder die Mikrosystemtechnik. Produkteigenschaften Hohe Ätzrate und Unterätzungsrate mit Cu als Opferschicht Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden Erhältlich in verschiedenen Reinheitsgraden Kompatibel mit Resist masking Verwendung bei Raumtemperatur Selektivität Cu etch 100 ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien: Resists: gängiger Novolak als Maskierung Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Ni, Au, Cr, Sn, Ti, Pt, Ta Metalle: greift Cu, TiW, Ag, Zn an Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei 3 bis 3,5 µm/min (bei RT). Die gemischte Ätzlösung ist auf Dauer nicht stabil (Mischung aus zwei Komponenten), kann aber je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Cu etch 100 englisch Sicherheitsdatenblatt Cu etch 100 deutsch TDS: Technisches Datenblatt Cu etch 100 englisch Technisches Datenblatt Cu etch 100 deutsch Anwendungshinweise: Nasschemisches Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasschemisches von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Cu-Ätzmittel 150 Kupfer Ätzmittel Allgemeine Informationen Cu etch 150 ist ein alkalisches Ätzmittel für Cu und wird für die nasschemische Entfernung von Cu-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Ni, Au, Cr, Sn, Ti verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterfertigung oder die Mikrosystemtechnik. Produkteigenschaften Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden Erhältlich in verschiedenen Reinheitsgraden Kompatibel mit Resist Maskierung Verwendung bei Raumtemperatur Selektivität Cu etch 150 ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien: Resists: gängiger Novolak als Maskierung Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Ni, Au, Cr, Sn, Ti, Pt, Ta Metalle: greift Cu, TiW, Ag, Zn an Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei 100 bis 150 nm/min (bei RT). Die gemischte Ätzlösung ist nicht langzeitstabil (Mischung aus zwei Komponenten), kann aber je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Cu etch 150 englisch Sicherheitsdatenblatt Cu etch 150 deutsch TDS: Technisches Datenblatt Cu etch 150 englisch Technisches Datenblatt Cu etch 150 deutsch Anwendungshinweise: Nasschemisches Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasschemisches Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Cu-Ätzmittel 200 UBM Kupfer Ätzmittel Allgemeine Informationen Cu etch 200 UBM ist ein leicht alkalisches Ätzmittel für Cu und wird für die nasschemische Entfernung von Cu-Keimschichten mit Selektivität für Metalle wie Ni, Au, Cr, Sn, Ti, Al verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterfertigung oder die Mikrosystemtechnik, insbesondere für die Entfernung von Keimschichten nach der Beschichtung der Under-Bump-Metallisierung (UBM). Produkteigenschaften Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden Sehr geringer Dimensionsverlust In verschiedenen Reinheitsgraden erhältlich Kompatibel mit Resist Maskierung Verwendung bei Raumtemperatur Selektivität Cu etch 200 UBM ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien: Resists: gängiger Novolak als Maskierung Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Ni, Au, Cr, Sn, Ti, Al, Pt Metalle: Angriff auf Cu, Ag Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei 200 bis 250 nm/min (bei RT). Die Ätzlösung ist zeitlich stabil und kann je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Cu etch 200 englisch Sicherheitsdatenblatt Cu etch 200 deutsch TDS: Technisches Datenblatt Cu etch 200 englisch Technisches Datenblatt Cu etch 200 deutsch Anwendungshinweise: Nasschemisches Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasschemisches Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Essigsäure CH3COOH Allgemeine Informationen Essigsäure ist als Tensid und Puffer ein häufig verwendetes Additiv für verschiedene Ätzmischungen. Wir liefern Essigsäure (99 %) in VLSI-Qualität, also in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Essigsäure (VLSI) 100 % englisch Sicherheitsdatenblatt Essigsäure (VLSI) 100 % deutsch Datenblätter: Specs Essigsäure (VLSI) 100 % Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisch Ätzen deutsch

Fluorwasserstoffsäure HF Allgemeine Informationen Flusssäure wird hauptsächlich zum Ätzen von Gläsern, Quarz und SiO2-Filmen sowie (gemischt mit HNO3) zum isotropen Ätzen von Silizium verwendet. Wir liefern Flusssäure (1 %, 10 % und 50 %) in VLSI-Qualität, d.h. in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 1% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 1% (VLSI) deutsch Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 10% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Hydrofluoric Acid 10% (VLSI) deutsch Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 50% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Hydrofluoric Acid 50% (VLSI) deutsch Technische Daten: Technische Daten Fluorwasserstoffsäure 1% (VLSI) Spezifikationen Flusssäure 10% (VLSI) Specs Flusssäure 50% (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Wasserstoffperoxid H2O2 Allgemeine Informationen H2O2 ist ein Bestandteil der Piranha-etch, RCA-1 und RCA-2 Ätzlösungen, sowie Ätzlösungen für verschiedene III/V-Halbleiter. H2O2 (30%) ist in VLSI-Qualität erhältlich, was den üblichen Reinheitsgraden entspricht, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Hydrogen Peroxide 30% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Wasserstoffperoxid 30% (VLSI) deutsch Technische Daten: Technische Daten Wasserstoffperoxid 30 % (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

KOH Kaliumhydroxid Allgemeine Informationen KOH wird hauptsächlich zum anisotropen Ätzen von Silizium verwendet. Wir liefern KOH (44 %) in VLSI-Qualität, also in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt KOH Solution 44% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt KOH Solution 44% (VLSI) deutsch Specs: Technische Daten KOH Solution 44% (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Phosphorsäure H3PO4 Allgemeine Informationen Phosphorsäure, gemischt mit HNO3, ist ein Bestandteil vieler Ätzmischungen, z.B. für Aluminium und viele andere Metalle. Wir liefern Phosphorsäure (85%) in VLSI-Qualität, d.h. in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Phosphoric Acid 85% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Phosphorsäure 85% (VLSI) deutsch Technische Daten: Technische Daten Phosphorsäure 85% (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Salpetersäure HNO3 Allgemeine Informationen Salpetersäure ist das Oxidationsmittel vieler Ätzmischungen für z.B. Silber, Kupfer, Aluminium, Silizium, Germanium und (zusammen mit HCl als Königswasser) Gold. Wir liefern Salpetersäure (69%) in VLSI-Qualität, den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Salpetersäure 69,5% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Salpetersäure 69,5% (VLSI) deutsch Technische Daten: Technische Daten Salpetersäure 69,5% (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen deutsch Nasschemisches Ätzen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Salzsäure (Hydrochloric Acid) HCI Allgemeine Informationen Salzsäure ist ein Bestandteil verschiedener Ätzmischungen für z.B. ITO, Silber und (zusammen mit HNO3 als Königswasser) Gold. HCl eignet sich zum Entfernen von Oxidschichten auf vielen Metallen. Unsere Salzsäure (37%) ist in VLSI-Qualität erhältlich, also in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. HINWEIS: HCl (Chlorwasserstoff), ist ein Gas, das sich sehr gut in Wasser löst und in gelöster Form Salzsäure bildet. Mit einer molaren Masse von 36 g / mol ist Chlorwasserstoff ein sehr kleines Molekül, was bedeutet, dass es sehr gut durch Polymere diffundieren kann. Aus Gründen der Reinheit wird die Salzsäure in HD-PE-Polymerflaschen abgefüllt. Um die Flaschen vor Partikeln und Verunreinigungen zu schützen, werden diese Flaschen (die für die Verwendung in Reinräumen vorgesehen sind) in Plastikbeutel verpackt. Im Laufe der Lagerung diffundiert der Chlorwasserstoff jedoch durch die Wand der Flasche, die aus Polymer besteht, und sammelt sich in dem Folienbeutel. Dort befindet sich Luft, die nicht nur Kohlendioxid, sondern auch Wasserdampf enthält und mit dem Chlorwasserstoff reagieren kann, wodurch sich entweder ein weißer Staub oder feine Tröpfchen im Folienbeutel befinden können. Das passiert während der Lagerung, auch wenn die Flaschen nicht das geringste Leck haben. Dieser weiße Staub oder die möglichen feinen Tröpfchen sind der Grund dafür, dass die 37%ige Chlorwasserstoffsäure, anders als z.B. Schwefelsäure desselben Reinheitsgrades, nicht 3 Jahre, sondern nur 1 Jahr "haltbar" ist. Es ist also nicht der Grund, dass die Säure ihre Reinheit oder ihre Eigenschaften nicht beibehalten würde, sondern das Etikett und auch die Flaschen oder Folienbeutel werden im Laufe der Lagerung zunehmend von dem oben beschriebenen Problem betroffen. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Salzsäure 37% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Salzsäure 37% (VLSI) deutsch Specs: Technische Daten Salzsäure 37% (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Schwefelsäure H2SO4 Allgemeine Informationen Ein Gemisch aus Schwefelsäure und H2O2 ist ein leistungsfähiges Stripper für organische Verunreinigungen oder Rückstände auf Substraten. Wir liefern Schwefelsäure (96%) in VLSI-Qualität, das sind die üblichen Reinheitsgrade, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Sulfuric Acid 96% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Sulfuric Acid 96% (VLSI) deutsch Specs: Technische Daten Sulfuric Acid 96% (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen deutsch Nasschemisches Ätzen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

TechniEtch™ ACI2 Gold Ätzmittel Allgemeine Informationen TechniEtch™ ACI2 ist ein hochwirksames und selektives Gold-Ätzmittel Stripper. TechniEtch™ ACI2 ist ein Gold-Ätzmittel auf Jodbasis, das spezielle Zusätze enthält, die die Stabilität und die Fähigkeit zur Metallbeladung im Vergleich zu herkömmlichen Lösungen auf I2/I3-Basis erheblich verbessern. Produkteigenschaften Hohe Ätzrate bei Raumtemperatur Niedrige Oberflächenspannung für verbesserte Benetzungseigenschaften Hohe Stabilität auch bei Metallverunreinigungen (Cu, Ni...). Beladung und Badlebensdauer unabhängig vom Cu-Verunreinigungsgrad der Lösung (bis zu 1 g/l) Erhöhte Beladungskapazität im Vergleich zu Standardlösungen auf I2/KI-Basis. Bessere Prozesskontrolle/Zuverlässigkeit. Geringe Toxizität im Vergleich zu Cyanid- und HF/HNO3-basierten Lösungen Selektivität TechniEtch™ ACI2 ist kompatibel/etwas selektiv für folgende Materialien: Metalle: kein Angriff auf Ni, Al, Ti, TiN Metalle: Angriff auf Au, Cu, Sn, Pt, W Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Kompatibilität sind Herstellerinformationen und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniEtch™ ACI2 (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniEtch™ ACI2 (VLSI) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniEtch™ ACI2 (VLSI) englisch Technische Daten: Spezifikationen TechniEtch™ ACI2 (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasses Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

TechniEtch™ CN10 Kupfer und Nickel Ätzmittel Allgemeine Informationen TechniEtch™CN10 ist ein Kupfer- und Nickelätzmittel, das eine Mischung aus Salpeter- und Phosphorsäure ist. Der Ätzprozess sollte mit einem Zusatz von 8-16 % Wasserstoffperoxid (30 %) durchgeführt werden. Bei 25° C beträgt die Ätzrate ca. 0,3-0,4 µm pro Minute. Ohne die Zugabe von Wasserstoffperoxid ist die Ätzrate deutlich geringer und weniger homogen. TechniEtch CN10 (90 s RT Cu-Kernentfernung) Produkteigenschaften Bessere Prozesskontrollierbarkeit/-zuverlässigkeit Hohe Stabilität auch bei Metallverunreinigungen Selektivität TechniEtch™CN10 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien: Metalle: kein Angriff auf Ti, TiN Metalle: Angriff auf Cu, Ni Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerinformationen und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniEtch™ CN10 (MOS) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniEtch™ CN10 (MOS) deutsch TDS: TF Technisches Datenblatt TechniEtch™ CN10 (MOS) englisch MC Technisches Datenblatt TechniEtch™ CN10 (MOS) englisch Mischen TechniEtch™ CN10 (MOS) englisch Technische Daten: Technische Daten TechniEtch™ CN10 (MOS) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasses Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

TechniEtch™ TBR19 Konzentrat Ti, TiW und TiN Ätzmittel Allgemeine Informationen TechniEtch™ TBR19 ist ein Ti-Ätzmittelkonzentrat mit geringem Unterschnitt für Cu-Bump-Pillars zum Selbstmischen. TechniEtch™ TBR19 Konzentrat ist mit den meisten UBM-Materialien (Under Bump Metallization) und Kupferpfeiler-Integrationsmaterialien wie Cu, Al, Ni und Legierungen, Glas, organischen Substraten und den meisten Kunststoffen wie Polypropylen, HDPE, PFA, PTFE Kalrez, PEEK, PE kompatibel. Die Ätzrate bei 50°C liegt bei 1000 A/min.Hinweis: Um das TechniEtch™ TBR19 Konzentrat korrekt anzumischen, wird ein Mischverhältnis von 94 : 6 (94 Wt % H2O2 und 6 Wt % TBR19 concentrate additives) empfohlen. Somit erhalten Sie nach dem Mischen von 500ml TechniEtch™ TBR19 Konzentrat mit entsprechender Menge H2O2 ca. 8L der fertigen Ätzlösung. TBR19 (150°C 180s Unterätzung kleiner als 500nm) Produkt-Eigenschaften Hohe Selektivität Deutliche Reduzierung der Unterätzung im Vergleich zu konventionellem SC1 und HF Lange Badlebensdauer Abstimmbare Ätzrate Selektivität TechniEtch™ TBR19 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien: Metalle: kein Angriff auf Cu, Al, Ni, Sn Metalle: Angriff auf TiN, TiW, Ti, SnPd Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerinformationen und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniEtch TBR 19 (MOS) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniEtch TBR 19 (MOS) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniEtch TBR 19 (MOS) englisch Technisches Datenblatt zum Mischen TechniEtch TBR 19 (MOS) englisch Specs: Spezifikationen TechniEtch TBR 19 (MOS) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasses Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

TiW etch 100 Titan-Wolfram Ätzmittel Allgemeine Informationen TiW etch 100 wird als Ätzmittel für Titan verwendet - für die nasschemische Strukturierung von TiW-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Au, Pt, Ni, Cr, Sn. Übliche Anwendungen finden sich im Bereich der Halbleiter- oder Mikrosystemtechnik zum Ätzen von Haftschichten oder Diffusionsbarrieren. Produkteigenschaften Geringe Unterätzung (im Bereich der Schichtdicke), minimale Strukturgröße < 1µm Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden Kompatibel mit Resist masking Selektivität TiW etch 100 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien: Resists: gängige Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Au, Pt, Ni, Cr, Sn Metalle: Angriff auf TiW, Cu Cu-Angriff bei längerer Einwirkung Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerinformationen und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei etwa 1nm/s (bei Raumtemperatur). Die gemischte Ätzlösung ist über einen längeren Zeitraum stabil und kann je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TiW etch 100 englisch Sicherheitsdatenblatt TiW etch 100 deutsch TDS: Technisches Datenblatt TiW etch 100 englisch Technisches Datenblatt TiW etch 100 deutsch Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasses Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

TiW etch 200 Titan-Wolfram Ätzmittel Allgemeine Informationen TiW etch 200 wird als Ätzmittel für Titan verwendet - für die nasschemische Strukturierung von TiW-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Au, Pt, Ni, Cr. Übliche Anwendungen finden sich im Bereich der Halbleiter- oder Mikrosystemtechnik zum Ätzen von Haftschichten oder Diffusionsbarrieren. Produkteigenschaften Geringe Unterätzung (im Bereich der Schichtdicke), minimale Strukturgröße < 1µm Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden Kompatibel mit Resist masking Selektivität TiW etch 200 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien: Resists: gängige Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Au, Pt, Ni, Cr Metalle: greift TiW, Cu an Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei etwa 5 nm/min (bei Raumtemperatur). Die gemischte Ätzlösung ist über einen längeren Zeitraum stabil und kann je nach Anwendungsbedarf mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TiW etch 200 DE Sicherheitsdatenblatt TiW etch 200 DE TDS: Technisches Datenblatt TiW etch 200 DE Technisches Datenblatt TiW etch 200 DE Anwendungshinweise: Nasses Ätzen Nasschemisches Ätzen Nasses Ätzen von Metallen Nasschemisches Ätzen von Metallen Weitere Informationen zur Verarbeitung

TMAH Tetramethylammoniumhydroxid Allgemeine Informationen TMAH wird hauptsächlich für das anisotrope Ätzen von Silizium verwendet, wenn eine metallionenfreie Verarbeitung erforderlich ist. TMAH(25%) ist in VLSI-Qualität erhältlich, was den üblichen Reinheitsgraden entspricht, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TMAH 25 % (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt TMAH 25 % (VLSI) deutsch Specs: Technische Daten TMAH 25 % (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch