TechniEtch Al80 Aluminium Ätzmittel Allgemeine Informationen TechniEtch Al80 ist eine gebrauchsfertige Ätzmischung auf Basis von Phosphorsäure, Salpetersäure und Essigsäure zum Ätzen von Aluminium. Unser Aluminiumätzmittel TechniEtch Al80 hat die Zusammensetzung H3PO4: HNO3: CH3COOH* : H2O=80% : 5% : 5% : 10% wird in MOS-Qualität geliefert. Produkt-Eigenschaften Hohe Ätzrate bei Raumtemperatur. Hohe Stabilität auch bei Metallverunreinigungen Beladung und Badlebensdauer hängen hauptsächlich von der Prozesstemperatur, dem Werkzeug und dem Extraktionsfluss ab Selektivität TechniEtch Al80 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien: Metalle: kein Angriff auf Au, Pt Metalle: Angriff auf Al Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerinformationen und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Al80 (MOS) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Al80 (MOS) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniEtch Al80 (MOS) englisch Technische Daten: Technische Daten TechniEtch Al80 (MOS) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasses Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

TechniEtch Cr01 Chrom-Ätzmittel Allgemeine Informationen TechniEtch Cr01 ist eine gebrauchsfertige Ätzmischung auf Basis von Ammoniumnitrat und Perchlorsäure zum Ätzen von Chrom. TechniEtch Cr01 besteht aus cerischem Ammoniumnitrat : Perchlorsäure : Wasser=10,9% : 4,25% : 84,85% mit einer Ätzrate von ca. 60 nm/Minute bei Raumtemperatur und ist in VLSI-Qualität erhältlich. Produkt-Eigenschaften Cr-Ätzrate bei Raumtemperatur 60-100 nm/min Al, Ti, W, Ni @ RT von 10nm/min bis 200 nm/min Cu, Ag, V werden stark geätzt > 200 nm/min Au, Pd, Pt sind kompatibel Kompatibel mit Positivton-Harz Kann verdünnt werden, um die Cr-Ätzrate anzupassen Selektivität TechniEtch Cr01 ist mit den folgenden Materialien kompatibel bzw. ätzt selektiv: Metalle: kein Angriff auf Au, Pd, Pt Metalle: Angriff auf Cr, Fe, Mo, Ni, Al, Ti, W, Cu, Ag, V, Co, Mg, Mn, Sn Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Cr01 (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Cr01 (VLSI) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniEtch Cr01 (VLSI) englisch Technische Daten: Technische Daten TechniEtch Cr01 (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasses Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Aceton CH3COCH3 Allgemeine Informationen Aceton entfernt organische Verunreinigungen von Substraten und ist gut für fettige/ölige Verschmutzungen geeignet. Sein hoher Dampfdruck bewirkt jedoch ein schnelles Austrocknen und eine Resorption der Verunreinigungen auf dem Substrat. Daher wird ein sofortiges Nachspülen mit einem höher siedenden Lösungsmittel wie Isopropanol empfohlen. Aceton eignet sich nicht gut als Ablösemittel, da bei Erhitzung eine hohe Brandgefahr besteht und die anzuhebenden Partikel dazu neigen, sich wieder auf dem Substrat festzusetzen. Produkteigenschaften Dichte: 0,79 g/cm^3 Schmelzpunkt: 95°C Siedepunkt: 56°C Flammpunkt: < -18°C Dampfdruck @ 20°C: 244 hPa Aceton Molekül Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Aceton englisch (TECHNIC France) Sicherheitsdatenblatt Aceton deutsch (TECHNIC France) Sicherheitsdatenblatt Aceton englisch (MicroChemicals GmbH) Sicherheitsdatenblatt Aceton deutsch (MicroChemicals GmbH) Specs: Technische Daten Aceton ULSI (TECHNIC Frankreich) Spezifikationen Aceton VLSI (TECHNIC Frankreich) Spezifikationen Aceton ULSI (MicroChemicals GmbH) Anwendungshinweise: Lösemittel englisch Lösemittel deutsch

Ammoniaklösung NH4OH Allgemeine Informationen Gemischt mit H2O2 ist Ammoniak ein Bestandteil vieler Ätzmischungen für Metalle wie Kupfer, Silber oder Aluminium. Unsere Ammoniaklösung (28 - 30%) ist in VLSI-Qualität erhältlich, also in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Ammoniumhydroxidlösung (VLSI) 28-30% englisch Specs: Specs Ammoniumhydroxidlösung (VLSI) 28-30% Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch

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Au etch 200 Gold Ätzmittel Allgemeine Informationen Au etch 200 ist ein ungefährliches, cyanidfreies, leicht alkalisches Ätzmittel für Au. Das Ätzmittel wird für die nasschemische Strukturierung von Au-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Pt, Ni, Cr, Ti, Al verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterherstellung oder die Mikrosystemtechnik. Produkteigenschaften Geringer Unterschnitt (im Bereich der Schichtdicke), minimale Strukturgröße < 1 µm Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden In verschiedenen Reinheitsgraden erhältlich Kompatibel mit Resist Maskierung Kein Gefahrstoff und leicht zu handhaben Selektivität Au etch 200 ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien: Resists: gängiger Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Pt, Ni, Cr, Ti, Al, Ta Metalle: greift Au, Cu an Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei 40 nm/min (bei 50°C). Die gemischte Ätzlösung ist langzeitstabil und kann je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Safety Data Sheet Au etch 200 english Sicherheitsdatenblatt Au etch 200 deutsch TDS: Technical Data Sheet Au etch 200 english Technisches Datenblatt Au etch 200 deutsch Anwendungshinweise: Wet Etching english Nasschemisches Ätzen deutsch Wet Etching of Metals english Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Further Information about Processing

AX 100 Aktivator Allgemeine Informationen AX 100 ist eine saure Lösung zur Aktivierung und Vorbehandlung von Keimschichten und metallischen Oberflächen für die Galvanik, auf denen eine direkte Metallisierung Probleme hinsichtlich der Haftfestigkeit verursachen kann. Dies gilt z.B. für die galvanische Abscheidung von Au auf Ni-Oberflächen oder die direkte galvanische Abscheidung auf Ti- oder TiW-Schichten. AX 100 aktiviert metallische Oberflächen vor der galvanischen Abscheidung und ermöglicht eine bessere Haftfestigkeit von galvanischen Schichten auf metallischen Oberflächen, die zur Oxidation neigen. Häufige Anwendungsgebiete sind die Halbleiterfertigung und die Mikrosystemtechnik. Produkteigenschaften Geringer oder kein Ätzangriff auf metallischen Oberflächen Kompatibel mit vielen Materialien, z. B. mit den in der Galvanikindustrie üblichen Metallen Kompatibel mit Resist Maskierung Keine giftige Substanz und leicht zu handhaben Mäßige Betriebstemperatur von etwa 40°C Selektivität AX 100 ist mit den folgenden Materialien kompatibel/selektiv: Resists: gängige Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Ni, Ti, TiW, Ta, Cu Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Kompatibilität sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AX 100 englisch Sicherheitsdatenblatt AX 100 deutsch TDS: Technisches Datenblatt AX 100 englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen zur Verarbeitung

AZ® 100 Remover Universal Fotolack Stripper Allgemeine Informationen AZ®100 Remover basiert auf Lösungsmittel und Amin (alkalisch). AZ®100 Remover wird zum Fotolack Abbeizen mit geringem Angriff auf Aluminium verwendet. Die geringe Gefährdung wird durch die Verwendung von Ethanol-Amin erreicht. Die niedrige Verdampfungsrate ermöglicht den Einsatz bei erhöhten Temperaturen (bis zu 80°C), die hohe Effizienz (>3000 Wafer pro Liter) hilft Kosten zu sparen. Wenn ein Angriff auf Aluminium kein Problem darstellt, kann es sogar mit Wasser verdünnt werden. AZ®100 Remover ist nicht kompatibel mit AZ® nLof 2070 (AZ® nLof 2000 Serie) und anderen stark vernetzten Resistenzen. Produkteigenschaften Dichte (bei 25°C): 0.955 kg/l Farbe (Alpha): max. 20 Flammpunkt (AP): 72°C Normalität (potentiometrisch): 3.1 mol/l Siedebereich: 159-194°C Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 100 Remover englisch Anwendungshinweise: Fotolack entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch

AZ® 10XT (220CPS) Dicklack für hohe Auflösung   Allgemeine Informationen Der AZ® 10XT ist ein i-und h-line (nicht g-line!) empfindlicher positiver Dicklack, als Nachfolger des AZ® 9260 mit diesem weitgehend baugleich, jedoch mit anderem Tensid. Der AZ® 10XT ist im Gegensatz zum ähnlich lautenden AZ® 12XT nicht chemisch verstärkt.   3.0 µm lines in 12 µm thick AZ® 10XT Ultratech 1500 Exposure, AZ® 400K Developer 1:4 (260s spray)   Produkteigenschaften Der AZ® 10XT weist nicht nur eine optimierte Lackhaftung auf gängigen Substratmaterialien, sondern auch das Potenzial sehr steiler Lackflanken und hoher Aspektverhältnisse auf. Entsprechend wird der AZ® 10XT häufig in der Galvanik, der Ionenimplantation oder zum Trockenätzen/RIE eingesetzt. Der AZ® 10XT erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 6 µm Lackschichtdicke, mit entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 4.5 - 20 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind, kann der AZ® 10XT mit PGMEA verdünnt werden, alternativ kommt für viele Prozesse auch der dünnere AZ® 4533 in Frage. Ab ca. 10 - 15 µm Lackschichtdicke gestaltet sich die Prozessierung des AZ® 10XT zunehmend zeitaufwendig: Der Softbake und die spätere Entwicklung dauern länger, für die Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung wird immer mehr Zeit benötigt, und die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen beim Belichten nimmt zu. Für Lackschichtdicken größer 10 µm empfiehlt es sich, die Verwendung eines chemisch verstärkten Dicklacks wie dem AZ® 12XT (5 - 20 µm Lackschichtdicke) oder AZ®IPS 6090 (> 20 µm Lackschichtdicke) in Erwägung zu ziehen, welche bei entsprechender Lackdicke deutlich kürzere Softbake- und Entwicklungsdauern aufweisen, keine Rehydrierung sowie deutlich geringere Lichtdosen benötigen, und keinen Stickstoff beim Belichten freisetzen. Entwickler Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K 1:4 (typ. 1 : 4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1 : 3.5 oder 1 : 3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer. Remover Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 10 XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 10XT (520CPS) Dicklack für hohe Auflösung   Allgemeine Informationen Der AZ® 10XT ist ein i-und h-line (nicht g-line!) empfindlicher positiver Dicklack, als Nachfolger des AZ® 9260 mit diesem weitgehend baugleich, jedoch mit anderem Tensid. Der AZ® 10XT ist im Gegensatz zum ähnlich lautenden AZ® 12XT nicht chemisch verstärkt.   3.0 µm lines in 12 µm thick AZ® 10XT Ultratech 1500 Exposure, AZ® 400K Developer 1:4 (260s spray)   Produkteigenschaften Der AZ® 10XT weist nicht nur eine optimierte Lackhaftung auf gängigen Substratmaterialien, sondern auch das Potenzial sehr steiler Lackflanken und hoher Aspektverhältnisse auf. Entsprechend wird der AZ® 10XT häufig in der Galvanik, der Ionenimplantation oder zum Trockenätzen/RIE eingesetzt. Der AZ® 10XT erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 6 µm Lackschichtdicke, mit entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 4.5 - 20 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind, kann der AZ® 10XT mit PGMEA verdünnt werden, alternativ kommt für viele Prozesse auch der dünnere AZ® 4533 in Frage. Ab ca. 10 - 15 µm Lackschichtdicke gestaltet sich die Prozessierung des AZ® 10XT zunehmend zeitaufwendig: Der Softbake und die spätere Entwicklung dauern länger, für die Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung wird immer mehr Zeit benötigt, und die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen beim Belichten nimmt zu. Für Lackschichtdicken größer 10 µm empfiehlt es sich, die Verwendung eines chemisch verstärkten Dicklacks wie dem AZ® 12XT (5 - 20 µm Lackschichtdicke) oder AZ® IPS 6090 (> 20 µm Lackschichtdicke) in Erwägung zu ziehen, welche bei entsprechender Lackdicke deutlich kürzere Softbake- und Entwicklungsdauern aufweisen, keine Rehydrierung sowie deutlich geringere Lichtdosen benötigen, und keinen Stickstoff beim Belichten freisetzen. Entwickler Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K 1:4 (typ. 1 : 4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1 : 3.5 oder 1 : 3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer. Remover Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 10 XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 125nXT-10B Ultradicker Negativlack für Galvanik   Allgemeine Informationen Der AZ® 125nXT-10B ist ein i-line empfindlicher, negativer Ultradicklack mit steilen Lackflanken und hohem Aspektverhältnis. 20 µm lines at 60 µm resist film thickness. 15 µm holes at 60 µm resist film thickness. 80 µm plated CuNi image. Produkteigenschaften Der ultradicke Negativlack AZ® 125nXT-10B deckt einen Lackschichtdickenbereich von 20 - 50 µm ab und kann mit angepassten Schleuderprofilen auch auf 100 µm und weit darüber aufgebaut und prozessiert werden. Der AZ® 125nXT-10B ist nur i-line empfindlich und benötigt als (für Negativlacke) Besonderheit keinen Post Exposure Bake nach dem Belichten zur Quervernetzung, d. h. der AZ® 125nXT-10B fotopolymerisiert. Durch seine geringe Absorption können auch sehr große Lackschichtdicken problemlos durchbelichtet und steile Lackflanken erzielt werden. Dies und seine sehr gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien machen diesen Lack geeignet für die galvanische Abformung dicker bis sehr dicker Schichten sowie DRIE. Bei - bezogen auf die jeweilige Lackschichtdicke - geringen Lichtdosen oder sehr großen Lackschichtdicken wird das Lackprofil leicht negativ, da die substratnahen Lackbereiche hierbei eine geringere Quervernetzung erfahren. Sollte sich in der Galvanik ein Angriff dieser schwächer quervernetzten Lackbereiche zeigen, eine höhere strukturgebenden Belichtungsdosis aber nicht infrage kommen, kann eine Flutbelichtung (ohne Fotomaske) nach der Entwicklung mit sehr hohen Dosen die Lackflanken auch in Substratnähe stärker quervernetzen, was sich jedoch erschwerend auf das spätere Strippen des Lacks auswirkt. Auch nach einer solchen Flutbelichtung ist kein weiterer Post Exposure Back nötig. Der AZ® 125nXT-10B kann grundsätzlich auch bei Lackschichtdicken kleiner 20 µm prozessiert werden, unterhalb von 10 µm Lackdicke wird die Prozessierung jedoch problematisch: Da beim Softbake aus der Lackoberfläche das für die Quervernetzung verantwortliche Additiv entweicht, werden beim Entwickeln grundsätzlich wenige Mikrometer der belichteten Lackoberfläche abgetragen, was bei dünnen Lackschichten einen entsprechend großen Anteil der Gesamtdicke ausmacht. Entwickler Zur Entwicklung des AZ® 125nXT-10B empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF (welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert). KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® 125nXT-10B grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden. Remover Der AZ® 125nXT-10B lässt sich mit herkömmlichen Strippern nass-chemisch entfernen, allerdings kann das Strippen sehr dicker quervernetzter Lackstrukturen durchaus eine Herausforderung sein. Falls hierfür organische Lösemittel bevorzugt werden, empfiehlt sich (heißes) DMSO, welches quervernetzte Lacke zwar nicht auflösen, jedoch nach einer gewissen Einwirkdauer vom Substrat ablösen kann. Dieser Vorgang kann beschleunigt werden, indem durch eine geringere Lichtdosis der Quervernetzungsgrad des Lacks in Substratnähe verringert wird. Alternativ empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung/ Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 125nXT-10B dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 125nXT-10B englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 12XT-20PL-10 Chemisch verstärkter Positivlack   Allgemeine Informationen Der AZ® 12XT ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Dicklack für hohe Aspektverhältnisse und mit erhöhtem thermischen Erweichungspunkt.   AZ® 12XT - 2.4mm lines at 10mm film thickness   Produkteigenschaften Der AZ® 12XT deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 5 - 20 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® 12XT keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht-chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn für die galvanische Abformung geeignet, sein hoher thermischer Erweichungspunkt (ca. 130 °C) empfiehlt ihn auch für das Trockenätzen bzw. DRIE. Grundsätzlich ist der AZ® 12XT nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 5 µm erwünscht sind, kann der AZ® 12XT problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Für Lackschichtdicken größer 15 µm sollte der ebenfalls chemisch verstärkte AZ® IPS 6090 in Erwägung gezogen werden. Entwickler Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 12XT weniger geeignet. Remover Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 12XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-10 englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-10 deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 12XT 20PL-10 englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 12XT-20PL-15 Chemisch verstärkter Positivlack   Allgemeine Informationen Der AZ® 12XT ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Dicklack für hohe Aspektverhältnisse und mit erhöhtem thermischen Erweichungspunkt.   AZ® 12XT - 2.4mm lines at 10mm film thickness   Produkteigenschaften Der AZ® 12XT deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 5 - 20 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® 12XT keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht-chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn für die galvanische Abformung geeignet, sein hoher thermischer Erweichungspunkt (ca. 130 °C) empfiehlt ihn auch für das Trockenätzen bzw. DRIE. Grundsätzlich ist der AZ® 12XT nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 5 µm erwünscht sind, kann der AZ® 12XT problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Für Lackschichtdicken größer 15 µm sollte der ebenfalls chemisch verstärkte AZ® IPS 6090 in Erwägung gezogen werden. Entwickler Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 12XT weniger geeignet. Remover Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 12XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 1505 Positive Dünnlacke für Nassätzung Allgemeine Informationen Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich. Die hohe Auflösung und Haftung der AZ® 1505 machen diese Resist zu einer häufig verwendeten Resist Maske für das Cr-Ätzen in der Fotomaskenproduktion. Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 500 nm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 400 - 800 nm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden. Produkteigenschaften Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Hohe Entwicklungsrate Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 0,4 - 0,8 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte **AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 1512 HS Positive Dünnlacke für Nassätzung Allgemeine Informationen Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich. Die sehr hohe photoaktive Wirkstoffkonzentration des AZ® 1512 HS maximiert den Resist Kontrast (sehr hohe Entwicklungsrate, minimierter Dunkelabtrag). Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 1,2 µm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 1,0 - 1,8 µm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden. Produkteigenschaften Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Hohe Entwicklungsrate Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 1,0 - 1,8 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir das TMAH-basierte AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 1514H Positive Dünnlacke für Nassätzung Allgemeine Informationen Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich. Ein spezielles Harz verbessert die Resist Haftung auf den meisten gängigen (metallischen) Substraten weiter. Resist Schichtdicke bei 4000 U/min ca. 1,4 µm, über Variationen der Schleuderdrehzahl sind ca. 1,1 - 2 µm erreichbar. Produkteigenschaften Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Hohe Entwicklungsrate Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 1,1 µm - 2,0 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte **AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 1518 Positive Dünnlacke für Nassätzung Allgemeine Informationen Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich. Die erhöhte Resist Schichtdicke des AZ® 1518 verbessert die Stabilität der Resist Maske für Nassätzprozesse. Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 1,8 µm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 1,5 - 3,0 µm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden. Produkteigenschaften Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Hohe Entwicklungsrate Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 1,5 µm - 3,0 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 15nXT (115CPS) Dicker Negativlack für die Galvanik   Allgemeine Informationen Der i-line empfindliche Negativlack AZ® 15nXT (115CPS) ist mit ca. 3 - 5 µm ein Dicklack mit sehr steilen Lackflanken für z. B. RIE oder die Galvanik. 5 µm lines at 10 µm resist film thickness. 5 µm holes at 10 µm resist film thickness. 5 µm plated CuNi image. 3.6 µm plated CuNi image. Produkteigenschaften Der AZ® 15nXT (115CPS) deckt einen Lackschichtdickenbereich von - je nach Schleuderdrehzahl - ca. 2 - 3 µm ab. Er ist nur i-line empfindlich und benötigt nach dem Belichten einen Post Exposure Bake, um die beim Belichten induzierte Quervernetzung abzuschließen. Die entwickelten Lackstrukturen sind bei angepassten Prozessparametern sehr senkrecht, hin zu dicken Lackschichten oder - bezogen auf jeweilige Lackschichtdicke - geringeren Lichtdosen zunehmend negativ. Werden dünnere Lackschichten gewünscht, kann der AZ® 15nXT (115CPS) mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden, für dickere Schichten empfiehlt sich der höher viskose AZ® 15nXT (450CPS). Der AZ® 15nXT (115CPS) eignet sich durch seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien und seine hohe chemische Stabilität als Maske für die galvanische Abscheidung von z. B. Cu, Ni oder Au. Entwickler Zur Entwicklung des AZ® 15nXT (115CPS) empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 15nXT (115CPS) grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden. Remover Falls die Lackstrukturen durch z.B. die Metallisierung thermisch nicht zu stark quervernetzt wurden, kann ein Strippen bzw. Lift-off mit organischen Lösemitteln (Aceton gespült mit Isopropanol, oder DMSO) zum Erfolg führen. Für stärker quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung/ Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 15nXT (115CPS) dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Photoresist englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Photoresist deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Photoresist englisch Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Series englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 15nXT (450CPS) Negativ Dicklack für die Galvanik   Allgemeine Informationen Der i-line empfindliche Negativlack AZ® 15nXT (450CPS) ist mit ca. 5 - 10 µm ein Dicklack mit senkrechten Lackflanken für z. B. RIE oder die Galvanik. 5 µm lines at 10 µm resist film thickness. 5 µm holes at 10 µm resist film thickness. 5 µm plated CuNi image. 3.6 µm plated CuNi image. Produkteigenschaften Der AZ® 15nXT (450CPS) deckt einen Lackschichtdickenbereich von - je nach Schleuderdrehzahl - ca. 5 - 10 µm ab. Er ist nur i-line empfindlich und benötigt nach dem Belichten einen Post Exposure Bake, um die beim Belichten induzierte Quervernetzung abzuschließen. Die entwickelten Lackstrukturen sind bei angepassten Prozessparametern senkrecht, hin zu dicken Lackschichten oder - bezogen auf jeweilige Lackschichtdicke - geringeren Lichtdosen zunehmend negativ. Werden dünnere Lackschichten gewünscht, kann der AZ® 15nXT (450CPS) mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Der AZ® 15nXT (450CPS) eignet sich durch seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien und seine hohe chemische Stabilität als Maske für die galvanische Abscheidung von z. B. Cu, Ni oder Au. Entwickler Zur Entwicklung des AZ® 15nXT (450CPS) empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 15nXT (450CPS) grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden. Remover Falls die Lackstrukturen durch z.B. die Metallisierung thermisch nicht zu stark quervernetzt wurden, kann ein Strippen bzw. Lift-off mit organischen Lösemitteln (Aceton gespült mit Isopropanol, oder DMSO) zum Erfolg führen. Für stärker quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung/ Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 15nXT (450CPS) dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist deutsch Technisches Datenblatt Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist englisch Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Series englisch Informationen AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 2026 MIF Developer Metallionenfrei Developer Allgemeine Informationen AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O. Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Neben einem Netzmittel für z.B. die Puddle-Entwicklung enthält der AZ® 2026 MIF Developer zusätzlich ein Additiv mit der Aufgabe, schwerer lösliche Lackbereiche rückstandsfrei zu entwickeln. Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt. AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Untergrundbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher. Weitere Informationen MSDS: Safety Data Sheet AZ® 2026 MIF Developer english Sicherheitsdatenblatt AZ® 2026 MIF Developer deutsch TDS: Technical Data Sheet AZ® 2026 MIF Developer english Anwednungshinweise: Development of Photoresist english Entwicklung von Fotolack deutsch

AZ® 2033 MIF Developer Metallionenfrei Developer Allgemeine Informationen AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O. Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Zusätzlich zum Netzmittel der AZ® 726 MIF enthält die AZ® 2026 MIF ein scum Remover für die vollständige und scum-freie Entfernung von Resist Schichten zum Preis eines etwas höheren Dunkelabtrags. Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt. AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Substratbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 2033 MIF Developer englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 2033 MIF Entwickler deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 2033 MIF Developer englisch Anwendungshinweise: Entwicklung von Fotolack english Entwicklung von Fotolack deutsch

AZ® 300 MIF Developer Metallionenfrei Developer Allgemeine Informationen AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O. Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und zum leichten Absetzen der Pfützenbildung. Zusätzlich zum Netzmittel der AZ® 726 MIF enthält die AZ® 2026 MIF ein scum Remover für die vollständige und scum-freie Entfernung von Resist Schichten zum Preis eines etwas höheren Dunkelabtrags. Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt. AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Substratbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 300 MIF Developer englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 300 MIF Entwickler deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 300 MIF Developer englisch Anwendungshinweise: Entwicklung von Fotolack english Entwicklung von Fotolack deutsch

AZ® 303 Developer Metallionenhaltiger Developer   Allgemeine Informationen Der AZ® 303 MIC ist ein auf KOH- und NaOH basierender Entwickler für Positiv- und Negativlacke. Produkteigenschaften Der AZ® 303 Developer basiert auf einer wässrigen KOH- und NaOH-Lösung und enthält starke Tenside. Er ist kompatibel mit Positiv- und Negativlacken und eignet sich daher z. B. auch als einziger nicht-TMAH-basierter Entwickler für die AZ® nLOF 2000 series. Der AZ® 303 Developer wird üblicherweise 1 : 5 - 1 : 10 mit Wasser verdünnt eingesetzt.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 303 Developer englisch Sicherheitsdatenblatt AZ ® 303 Entwickler deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 303 Developer englisch Anwendungshinweis: Entwicklung von Fotolack englisch Entwicklung von Fotolack deutsch