TechniEtch Al80 - 2,50 l - MOS
TAEV1025
TechniEtch Al80
Aluminium Ätzmittel
Allgemeine Informationen
TechniEtch Al80 ist eine gebrauchsfertige Ätzmischung auf Basis von Phosphorsäure, Salpetersäure und Essigsäure zum Ätzen von Aluminium. Unser Aluminiumätzmittel TechniEtch Al80 hat die Zusammensetzung H3PO4: HNO3: CH3COOH* : H2O=80% : 5% : 5% : 10% wird in MOS-Qualität geliefert.
Produkt-Eigenschaften
Hohe Ätzrate bei Raumtemperatur.
Hohe Stabilität auch bei Metallverunreinigungen
Beladung und Badlebensdauer hängen hauptsächlich von der Prozesstemperatur, dem Werkzeug und dem Extraktionsfluss ab
Selektivität
TechniEtch Al80 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien:
Metalle: kein Angriff auf Au, Pt
Metalle: Angriff auf Al
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerinformationen und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Al80 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Al80 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniEtch Al80 (MOS) englisch
Technische Daten:
Technische Daten TechniEtch Al80 (MOS)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Nasses Ätzen von Metallen englisch
Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniEtch Cr01 - 2,50 l - VLSI
TCEV1025
TechniEtch Cr01
Chrom-Ätzmittel
Allgemeine Informationen
TechniEtch Cr01 ist eine gebrauchsfertige Ätzmischung auf Basis von Ammoniumnitrat und Perchlorsäure zum Ätzen von Chrom.
TechniEtch Cr01 besteht aus cerischem Ammoniumnitrat : Perchlorsäure : Wasser=10,9% : 4,25% : 84,85% mit einer Ätzrate von ca. 60 nm/Minute bei Raumtemperatur und ist in VLSI-Qualität erhältlich.
Produkt-Eigenschaften
Cr-Ätzrate bei Raumtemperatur 60-100 nm/min
Al, Ti, W, Ni @ RT von 10nm/min bis 200 nm/min
Cu, Ag, V werden stark geätzt > 200 nm/min
Au, Pd, Pt sind kompatibel
Kompatibel mit Positivton-Harz
Kann verdünnt werden, um die Cr-Ätzrate anzupassen
Selektivität
TechniEtch Cr01 ist mit den folgenden Materialien kompatibel bzw. ätzt selektiv:
Metalle: kein Angriff auf Au, Pd, Pt
Metalle: Angriff auf Cr, Fe, Mo, Ni, Al, Ti, W, Cu, Ag, V, Co, Mg, Mn, Sn
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Cr01 (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Cr01 (VLSI) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniEtch Cr01 (VLSI) englisch
Technische Daten:
Technische Daten TechniEtch Cr01 (VLSI)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Nasses Ätzen von Metallen englisch
Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
Acetone MC - 2.50 l - ULSI - EUD/EVE!
MACU1025
Bottle size:
2.50 l
|
Manufacturer:
MicroChemicals GmbH
|
Purity:
ULSI
Aceton
CH3COCH3
Allgemeine Informationen
Aceton entfernt organische Verunreinigungen von Substraten und ist gut für fettige/ölige Verschmutzungen geeignet. Sein hoher Dampfdruck bewirkt jedoch ein schnelles Austrocknen und eine Resorption der Verunreinigungen auf dem Substrat. Daher wird ein sofortiges Nachspülen mit einem höher siedenden Lösungsmittel wie Isopropanol empfohlen.
Aceton eignet sich nicht gut als Ablösemittel, da bei Erhitzung eine hohe Brandgefahr besteht und die anzuhebenden Partikel dazu neigen, sich wieder auf dem Substrat festzusetzen.
Produkteigenschaften
Dichte: 0,79 g/cm^3
Schmelzpunkt: 95°C
Siedepunkt: 56°C
Flammpunkt: < -18°C
Dampfdruck @ 20°C: 244 hPa
Aceton Molekül
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Aceton englisch (TECHNIC France)
Sicherheitsdatenblatt Aceton deutsch (TECHNIC France)
Sicherheitsdatenblatt Aceton englisch (MicroChemicals GmbH)
Sicherheitsdatenblatt Aceton deutsch (MicroChemicals GmbH)
Specs:
Technische Daten Aceton ULSI (TECHNIC Frankreich)
Spezifikationen Aceton VLSI (TECHNIC Frankreich)
Spezifikationen Aceton ULSI (MicroChemicals GmbH)
Anwendungshinweise:
Lösemittel englisch
Lösemittel deutsch
AF32 eco 8 inch 500 um DSP
WGS80500100X0000SNN1
Borosilicate 8 inch, thickness = 500 ± 10 µm, , 2-side polished, TTV < 10 µm
Ammoniumhydroxidlösung 28-30% - 2,50 l - VLSI - EVE/EUD!
HAMV1025
Ammoniaklösung
NH4OH
Allgemeine Informationen
Gemischt mit H2O2 ist Ammoniak ein Bestandteil vieler Ätzmischungen für Metalle wie Kupfer, Silber oder Aluminium.
Unsere Ammoniaklösung (28 - 30%) ist in VLSI-Qualität erhältlich, also in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden.
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Ammoniumhydroxidlösung (VLSI) 28-30% englisch
Specs:
Specs Ammoniumhydroxidlösung (VLSI) 28-30%
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Annual Calendar
0,00 €*
Wandkalender
Calendar
70 x 100cm
We send our wall calendars to our customers every year. If you are interested in a 70 x 100cm annual calendar, please add it to your order or just fill in the form.
Au etch 200 - 5.00 l
nbtaue2005
Bottle size:
5.00 l
Au etch 200
Gold Ätzmittel
Allgemeine Informationen
Au etch 200 ist ein ungefährliches, cyanidfreies, leicht alkalisches Ätzmittel für Au. Das Ätzmittel wird für die nasschemische Strukturierung von Au-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Pt, Ni, Cr, Ti, Al verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterherstellung oder die Mikrosystemtechnik.
Produkteigenschaften
Geringer Unterschnitt (im Bereich der Schichtdicke), minimale Strukturgröße < 1 µm
Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden
In verschiedenen Reinheitsgraden erhältlich
Kompatibel mit Resist Maskierung
Kein Gefahrstoff und leicht zu handhaben
Selektivität
Au etch 200 ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien:
Resists: gängiger Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist)
Metalle: kein Angriff auf Pt, Ni, Cr, Ti, Al, Ta
Metalle: greift Au, Cu an
Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Ätzrate
Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei 40 nm/min (bei 50°C). Die gemischte Ätzlösung ist langzeitstabil und kann je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat.
Weitere Informationen
MSDS:
Safety Data Sheet Au etch 200 english
Sicherheitsdatenblatt Au etch 200 deutsch
TDS:
Technical Data Sheet Au etch 200 english
Technisches Datenblatt Au etch 200 deutsch
Anwendungshinweise:
Wet Etching english
Nasschemisches Ätzen deutsch
Wet Etching of Metals english
Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch
Further Information about Processing
AX 100 - 5.00 l
nbtax1005
Bottle size:
5.00 l
AX 100
Aktivator
Allgemeine Informationen
AX 100 ist eine saure Lösung zur Aktivierung und Vorbehandlung von Keimschichten und metallischen Oberflächen für die Galvanik, auf denen eine direkte Metallisierung Probleme hinsichtlich der Haftfestigkeit verursachen kann. Dies gilt z.B. für die galvanische Abscheidung von Au auf Ni-Oberflächen oder die direkte galvanische Abscheidung auf Ti- oder TiW-Schichten.
AX 100 aktiviert metallische Oberflächen vor der galvanischen Abscheidung und ermöglicht eine bessere Haftfestigkeit von galvanischen Schichten auf metallischen Oberflächen, die zur Oxidation neigen.
Häufige Anwendungsgebiete sind die Halbleiterfertigung und die Mikrosystemtechnik.
Produkteigenschaften
Geringer oder kein Ätzangriff auf metallischen Oberflächen
Kompatibel mit vielen Materialien, z. B. mit den in der Galvanikindustrie üblichen Metallen
Kompatibel mit Resist Maskierung
Keine giftige Substanz und leicht zu handhaben
Mäßige Betriebstemperatur von etwa 40°C
Selektivität
AX 100 ist mit den folgenden Materialien kompatibel/selektiv:
Resists: gängige Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist)
Metalle: kein Angriff auf Ni, Ti, TiW, Ta, Cu
Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4
Die Angaben zur Selektivität und Kompatibilität sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AX 100 englisch
Sicherheitsdatenblatt AX 100 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AX 100 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen zur Verarbeitung
AZ 100 Remover - 5,00 l
1000100
AZ® 100 Remover
Universal Fotolack Stripper
Allgemeine Informationen
AZ®100 Remover basiert auf Lösungsmittel und Amin (alkalisch). AZ®100 Remover wird zum Fotolack Abbeizen mit geringem Angriff auf Aluminium verwendet. Die geringe Gefährdung wird durch die Verwendung von Ethanol-Amin erreicht.
Die niedrige Verdampfungsrate ermöglicht den Einsatz bei erhöhten Temperaturen (bis zu 80°C), die hohe Effizienz (>3000 Wafer pro Liter) hilft Kosten zu sparen. Wenn ein Angriff auf Aluminium kein Problem darstellt, kann es sogar mit Wasser verdünnt werden.
AZ®100 Remover ist nicht kompatibel mit AZ® nLof 2070 (AZ® nLof 2000 Serie) und anderen stark vernetzten Resistenzen.
Produkteigenschaften
Dichte (bei 25°C): 0.955 kg/l
Farbe (Alpha): max. 20
Flammpunkt (AP): 72°C
Normalität (potentiometrisch): 3.1 mol/l
Siedebereich: 159-194°C
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 100 Remover englisch
Anwendungshinweise:
Fotolack entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
AZ 10XT Fotolack (220cP) - 3,785 l
1A10XT220
AZ® 10XT (220CPS)
Dickere Lacke für hohe Auflösung
Allgemeine Informationen
Im Vergleich zur AZ® 4500 Serie haben die AZ® 10XT Fotolacke eine geringere optische Absorption. Das vereinfacht die Belichtung von (auch sehr) dicken Resist Filmen. In Kombination mit der fehlenden g-Linien-Empfindlichkeit benötigt die AZ® 10XT Serie daher unter Breitbandbedingungen eine längere Belichtungszeit und weist eine geringere Entwicklungsrate auf als AZ® 4500 Filme, die unter den gleichen Bedingungen verarbeitet werden. Auf der anderen Seite zeigt der AZ® 10XT ein sehr hohes Seitenverhältnis und eine hohe Auflösung.
Für geringere Resist Filmdicken empfehlen wir eine Verdünnung mit PGMEA=AZ® EBR Solvent. Die folgenden Resist Schichtdicken beziehen sich auf 4000 U/min unter Standardbedingungen:
4.0 µm: 100g AZ® 10XT + 13g PGMEA
3.0 µm: 100g AZ® 10XT + 23g PGMEA
2.0 µm: 100g AZ® 10XT + 42g PGMEA
1.5 µm: 100g AZ® 10XT + 55g PGMEA
1.0 µm: 100g AZ® 10XT + 88g PGMEA
Das AZ® 10XT ist eine PFOS-freie Alternative zum AZ® 9260, die im Jahr 2019 eingestellt wurde. Viskosität und Prozessparameter sind identisch mit denen des früheren AZ® 9260.
3.0 µm Linien in 12 µm dicken AZ® 10XT Ultratech 1500 Belichtung, AZ® 400K Developer 1:4 (260s Spray)
Produkteigenschaften
Gute Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Verträglich mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien)
h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 410 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm
Developer
Die empfohlenen Developer für die AZ® 10XT Fotolack sind AZ® 400K 1:4 oder AZ® 726 MIF. Bei sehr dicken Resist Filmen kann eine eher starke Developer Konzentration wie AZ® 400K 1:3,5 - 1:3,0 für die erforderlichen kurzen Entwicklungszeiten sinnvoll sein.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/ Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 10XT Photoresist (520cP) - 3.785 l
1A010XT00
Bottle size:
3.785 l
AZ® 10XT (520CPS)
Dickere Lacke für hohe Auflösung
Allgemeine Informationen
Im Vergleich zur AZ® 4500 Serie haben die AZ® 10XT Fotolacke eine geringere optische Absorption. Das vereinfacht die Belichtung von (auch sehr) dicken Resist Filmen. In Kombination mit der fehlenden g-Linien-Empfindlichkeit benötigt die AZ® 10XT Serie daher unter Breitbandbedingungen eine längere Belichtungszeit und weist eine geringere Entwicklungsrate auf als AZ® 4500 Filme, die unter den gleichen Bedingungen verarbeitet werden. Auf der anderen Seite zeigt der AZ® 10XT ein sehr hohes Seitenverhältnis und eine hohe Auflösung.
Für geringere Resist Filmdicken empfehlen wir eine Verdünnung mit PGMEA=AZ® EBR Solvent. Die folgenden Resist Schichtdicken beziehen sich auf 4000 U/min unter Standardbedingungen:
4.0 µm: 100g AZ® 10XT + 13g PGMEA
3.0 µm: 100g AZ® 10XT + 23g PGMEA
2.0 µm: 100g AZ® 10XT + 42g PGMEA
1.5 µm: 100g AZ® 10XT + 55g PGMEA
1.0 µm: 100g AZ® 10XT + 88g PGMEA
Das AZ® 10XT ist eine PFOS-freie Alternative zum AZ® 9260, die im Jahr 2019 eingestellt wurde. Viskosität und Prozessparameter sind identisch mit denen des früheren AZ® 9260.
3.0 µm Linien in 12 µm dicken AZ® 10XT Ultratech 1500 Belichtung, AZ® 400K Developer 1:4 (260s Spray)
Produkt-Eigenschaften
Gute Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Verträglich mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien)
h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 410 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm
Developer
Die empfohlenen Developer für die AZ® 10XT Fotolack sind AZ® 400K 1:4 oder AZ® 726 MIF. Bei sehr dicken Resist Filmen kann eine eher starke Developer Konzentration wie AZ® 400K 1:3,5 - 1:3,0 für die erforderlichen kurzen Entwicklungszeiten sinnvoll sein.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/ Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 125nXT-10B Photoresist - 3.785 l
1125nXT10B
Bottle size:
3.785 l
AZ® 125nXT-10B
Ultradickes Negativ Resist für die Beschichtung
Allgemeine Informationen
AZ® 125nXT-10B für 25 - 200 µm Resist Schichtdicke (i-line)
Das AZ® 125nXT-10B ist ein Negativ Resist für Schichtdicken bis zu über 100 µm bei gleichzeitig sehr hoher Seitenwandsteilheit. Und sogar noch mehr (1 mm Resist Schichtdicke realisiert!) mit sehr steilen Seitenwänden und speziellen Beschichtungstechniken. Seine Vernetzung und sehr gute Resist Haftung machen es stabil in allen konventionellen Galvanikanwendungen. Dieses Resist muss nicht nachbelichtet werden.
20 µm Linien bei 60 µm Resist Schichtdicke.
15 µm Löcher bei 60 µm Resist Schichtdicke.
80 µm plattiertes CuNi-Bild.
Produkteigenschaften
30 - 100 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung
Bis zu 1 mm Resist Schichtdicke möglich
Wässrig alkalisch Developer (z. B. AZ® 326/726/2026 MIF)
Kein Bake nach der Belichtung, Fotopolymerisation während der Belichtung
Keine Rehydrierung erforderlich, keine N2-Bildung während der Belichtung
Sehr gute Haftung, kein Underplating
Nassabziehverfahren (z. B. TechniStrip P1316)
Optimiert für Galvanik, Nass- und Trockenätzung
Developer
Wir empfehlen die TMAH-basierte, gebrauchsfertige AZ® 2026 MIF Developer. AZ® 326 MIF und AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich.
Entferner
Der empfohlene Stripper für den AZ® 125nXT-10B ist der NMP-freie TechniStrip P1316, bei alkaliempfindlichen Trägermaterialien der TechniStrip P1331 oder TechniStrip MLO07.
Lösungsmittel wie NMP oder der Untoxik-Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken Resist Filmen ein Erhitzen der Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Resist muster und plattierte Strukturen, die mit einer 60 und 120 µm dicken AZ® 125nXT.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder AZ® EBR Solvent 70/30.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 125nXT-10B englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 12XT-20PL-10 Photoresist - 3.785 l
1A012XT1000
Bottle size:
3.785 l
AZ® 12XT-20PL-10
Chemisch verstärkte Positiv-Ton-Fotoresists
Allgemeine Informationen
AZ® 12XT für 5 - 15 µm Resist Filmdicke (i-line)
Der AZ® 12XT ist ein chemisch verstärkter, dicker Resist Positiv-Fotoresist, der sich durch seine hervorragende Umweltstabilität und seine Eignung für Beschichtungs- und RIE-Anwendungen auszeichnet. Selbst für sehr hohe Resist Schichtdicken benötigt AZ® 12XT nur kurze Softbake-Zeiten, keine Verzögerung für die Rehydrierung, sehr geringe Belichtungsdosen aufgrund seiner chemischen Verstärkung und weist eine hohe Entwicklungsrate auf.
AZ® 12XT - 2,4mm Linien bei 10mm Filmdicke
Produkt-Eigenschaften
Hohe thermische Stabilität
Kompatibel mit allen gängigen TMAH-basierten Developer
Verträglich mit allen gängigen Abbeizmitteln (z. B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien)
i-Linien-empfindlich (ca. 320 - 390 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 20 µm
Developer
Wir empfehlen die TMAH-basierte Developer wie die AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF Developer.
Entferner
Die AZ® 12XT Resists sind mit den branchenüblichen lösungsmittelbasierten Entfernern wie AZ® 920 Remover, AZ® 100 Remover und DMSO-basierten Strippern kompatibel.
Verdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder AZ® EBR70/30 Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-10 englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-10 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 12XT 20PL-10 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 12XT-20PL-15 Photoresist - 3.785 l
1A012XT1500
AZ® 12XT-20PL-15
Chemisch verstärkte Positiv-Ton-Fotoresists
Allgemeine Informationen
AZ® 12XT für 5 - 15 µm Resist Filmdicke (i-line)Der AZ® 12XT ist ein chemisch verstärkter, dicker Resist Positiv-Fotoresist, der sich durch seine hervorragende Umweltstabilität und seine Eignung für Beschichtungs- und RIE-Anwendungen auszeichnet. Selbst für sehr hohe Resist Schichtdicken benötigt AZ® 12XT nur kurze Softbake-Zeiten, keine Verzögerung für die Rehydrierung, sehr geringe Belichtungsdosen aufgrund seiner chemischen Verstärkung und weist eine hohe Entwicklungsrate auf.
AZ® 12XT - 2,4mm Linien bei 10mm Filmdicke
Produkt-Eigenschaften
Hohe thermische Stabilität
Kompatibel mit allen gängigen TMAH-basierten Developer
Verträglich mit allen gängigen Abbeizmitteln (z. B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien)
i-Linien-empfindlich (ca. 320 - 390 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 20 µm
Developer
Wir empfehlen die TMAH-basierte Developer wie die AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF Developer.
Entferner
Die AZ® 12XT Resists sind mit den branchenüblichen lösungsmittelbasierten Entfernern wie AZ® 920 Remover, AZ® 100 Remover und DMSO-basierten Strippern kompatibel.
Verdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder AZ® EBR70/30 Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 1505 Photoresist - 3.785 l
1A001505
Bottle size:
3.785 l
AZ® 1505
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich. Die hohe Auflösung und Haftung der AZ® 1505 machen diese Resist zu einer häufig verwendeten Resist Maske für das Cr-Ätzen in der Fotomaskenproduktion.
Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 500 nm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 400 - 800 nm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden.
Produkteigenschaften
Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Hohe Entwicklungsrate
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 0,4 - 0,8 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte **AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 1512 HS Photoresist - 3.785 l
1A001512
Bottle size:
3.785 l
AZ® 1512 HS
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich.
Die sehr hohe photoaktive Wirkstoffkonzentration des AZ® 1512 HS maximiert den Resist Kontrast (sehr hohe Entwicklungsrate, minimierter Dunkelabtrag).
Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 1,2 µm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 1,0 - 1,8 µm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden.
Produkteigenschaften
Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Hohe Entwicklungsrate
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1,0 - 1,8 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir das TMAH-basierte AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 1514 H Photoresist - 3.785 l
1A001514
Bottle size:
3.785 l
AZ® 1514H
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich.
Ein spezielles Harz verbessert die Resist Haftung auf den meisten gängigen (metallischen) Substraten weiter. Resist Schichtdicke bei 4000 U/min ca. 1,4 µm, über Variationen der Schleuderdrehzahl sind ca. 1,1 - 2 µm erreichbar.
Produkteigenschaften
Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Hohe Entwicklungsrate
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1,1 µm - 2,0 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte **AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 1518 Photoresist - 3.785 l
1A001518
Bottle size:
3.785 l
AZ® 1518
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich.
Die erhöhte Resist Schichtdicke des AZ® 1518 verbessert die Stabilität der Resist Maske für Nassätzprozesse.
Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 1,8 µm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 1,5 - 3,0 µm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden.
Produkteigenschaften
Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Hohe Entwicklungsrate
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1,5 µm - 3,0 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 15nXT Photoresist (115cps) - 3.785 l
15nXT1153
Bottle size:
3.785 l
AZ® 15nXT (115CPS)
Dickes Negativ Resist für die Beschichtung
Allgemeine Informationen
AZ® 15nXT (115CPS) für 3 - 6 µm Resist Filmdicke (i-line)
Das AZ® 15nXT (115CPS) ist ein Negativ Resist für Schichtdicken bis zu ca. 6 µm, mit einer Resist Schichtdicke von 3,5 µm bei 4000 U/min. Sein Vernetzungscharakter und seine sehr gute Resist Haftung machen es z. B. für alle herkömmlichen Galvanikanwendungen stabil. Bis zu einer Schichtdicke von etwa 6 µm Resist sind die Resist Seitenwände senkrecht, bei größeren Schichtdicken zunehmend negativ (unterschnitten), so dass sich die geformten Metallstrukturen nach oben hin verjüngen. Ein Backvorgang nach der Belichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung zu vollenden.
5 µm Linien bei 10 µm Resist Schichtdicke.
5 µm Löcher bei 10 µm Resist Schichtdicke.
5 µm plattiertes CuNi-Bild.
3.6 µm plattiertes CuNi-Bild.
Produkteigenschaften
3 - 6 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung
Wässrig alkalisch Developer, vorzugsweise AZ® 2026 MIF
Ausgezeichnete Haftung, keine Unterbeschichtung
Breite Substratkompatibilität: Cu, Au, Ti, NiFe, ..
Breite Beschichtungskompatibilität: Cu, Ni, Au, ..
Standard-Nassentschichtungsverfahren
Nahezu vertikale Seitenwandwinkel
Developer
Wir empfehlen die TMAH-basierte, gebrauchsfertige AZ® 2026 MIF Developer. AZ® 326 MIF und AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich.
Entferner
Das empfohlene Stripper für AZ® 15nXT ist das NMP-freie, ungiftige TechniStrip NI555 oder das AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Untergrundmaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® 15nXT Resist Filme auflösen (nicht nur vom Untergrund abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der ungiftige Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Folien kann eine Erhitzung dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Fotolack englisch
Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 15nXT Photoresist (450cps) - 3.785 l
15nXT3
Bottle size:
3.785 l
AZ® 15nXT (450CPS)
Dickes Negativ Resist für die Beschichtung
Allgemeine Informationen
AZ® 15nXT (450CPS) für 5 - 20 µm Resist Schichtdicke (i-line)
Die AZ® 15nXT (450CPS) ist ein Negativ Resist für Schichtdicken bis zu ca. 20 µm, mit einer Resist Schichtdicke von ~ 6 µm bei 4000 U/min. Durch seinen vernetzenden Charakter und seine sehr gute Resist Haftung ist es z. B. für alle herkömmlichen Galvanikanwendungen stabil. Bis zu einer Schichtdicke von etwa 10 µm Resist sind die Resist Seitenwände senkrecht, bei größeren Schichtdicken zunehmend negativ (unterschnitten), so dass sich die geformten Metallstrukturen nach oben hin verjüngen. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung auszuführen.
5 µm Linien bei 10 µm Resist Schichtdicke.
5 µm Löcher bei 10 µm Resist Schichtdicke.
5 µm plattiertes CuNi-Bild.
3.6 µm plattiertes CuNi-Bild.
Produkteigenschaften
5 - 20 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung
Wässrig alkalisch Developer, vorzugsweise AZ® 2026 MIF
Ausgezeichnete Haftung, keine Unterbeschichtung
Breite Substratkompatibilität: Cu, Au, Ti, NiFe, ..
Breite Beschichtungskompatibilität: Cu, Ni, Au, ..
Standard-Nassentschichtungsverfahren
Nahezu vertikale Seitenwandwinkel
Developer
Wir empfehlen die TMAH-basierte, gebrauchsfertige AZ® 2026 MIF Developer. AZ® 326 MIF und AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich.
Entferner
Das empfohlene Stripper für AZ® 15nXT ist das NMP-freie, ungiftige TechniStrip NI555 oder das AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Untergrundmaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® 15nXT Resist Filme auflösen (nicht nur vom Untergrund abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der ungiftige Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Foliendicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Folien ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack englisch
Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Serie englisch
Informationen AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack english
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 2026 MIF Developer - 5.00 l
1002026
AZ® 2026 MIF Developer
Metallionenfrei Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O.
Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Neben einem Netzmittel für z.B. die Puddle-Entwicklung enthält
der
AZ® 2026 MIF Developer
zusätzlich ein Additiv mit der Aufgabe, schwerer lösliche
Lackbereiche rückstandsfrei zu entwickeln. Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt.
AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Untergrundbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher.
Weitere Informationen
MSDS:
Safety Data Sheet AZ® 2026 MIF Developer english
Sicherheitsdatenblatt AZ® 2026 MIF Developer deutsch
TDS:
Technical Data Sheet AZ® 2026 MIF Developer english
Anwednungshinweise:
Development of Photoresist english
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 2033 MIF Developer - 5.00 l
1002033
AZ® 2033 MIF Developer
Metallionenfrei Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O.
Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Zusätzlich zum Netzmittel der AZ® 726 MIF enthält die AZ® 2026 MIF ein scum Remover für die vollständige und scum-freie Entfernung von Resist Schichten zum Preis eines etwas höheren Dunkelabtrags.
Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt.
AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Substratbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 2033 MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 2033 MIF Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 2033 MIF Developer englisch
Anwendungshinweise:
Entwicklung von Fotolack english
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 300 MIF Developer - 5.00 l
1000300
AZ® 300 MIF Developer
Metallionenfrei Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O.
Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und zum leichten Absetzen der Pfützenbildung. Zusätzlich zum Netzmittel der AZ® 726 MIF enthält die AZ® 2026 MIF ein scum Remover für die vollständige und scum-freie Entfernung von Resist Schichten zum Preis eines etwas höheren Dunkelabtrags.
Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt.
AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Substratbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 300 MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 300 MIF Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 300 MIF Developer englisch
Anwendungshinweise:
Entwicklung von Fotolack english
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 303 Developer - 5.00 l
1000303
AZ® 303 Developer
Anorganisch Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 303 MIC basiert auf KOH und NaOH und enthält starke Tenside. Es wurde für Positiv- und wässrige alkaliverträgliche Negativlacke entwickelt, kann aber auch für AZ® nLof 20XX Serie verwendet werden und ist das einzige TMAH-freie Developer für diese Resist. AZ® 303 Developer wird normalerweise 1:5 - 1:10 mit Wasser verdünnt.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 303 Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 303 Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 303 Developer englisch
Anwendungshinweise:
Entwicklung von Fotolack english
Entwicklung von Fotolack deutsch