FOTOCHEMIKALIEN

AZ® 100 Remover Universal Fotolack Stripper Allgemeine Informationen AZ®100 Remover basiert auf Lösungsmittel und Amin (alkalisch). AZ®100 Remover wird zum Fotolack Abbeizen mit geringem Angriff auf Aluminium verwendet. Die geringe Gefährdung wird durch die Verwendung von Ethanol-Amin erreicht. Die niedrige Verdampfungsrate ermöglicht den Einsatz bei erhöhten Temperaturen (bis zu 80°C), die hohe Effizienz (>3000 Wafer pro Liter) hilft Kosten zu sparen. Wenn ein Angriff auf Aluminium kein Problem darstellt, kann es sogar mit Wasser verdünnt werden. AZ®100 Remover ist nicht kompatibel mit AZ® nLof 2070 (AZ® nLof 2000 Serie) und anderen stark vernetzten Resistenzen. Produkteigenschaften Dichte (bei 25°C): 0.955 kg/l Farbe (Alpha): max. 20 Flammpunkt (AP): 72°C Normalität (potentiometrisch): 3.1 mol/l Siedebereich: 159-194°C Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 100 Remover englisch Anwendungshinweise: Fotolack entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch

AZ® 10XT (220CPS) Dickere Lacke für hohe Auflösung Allgemeine Informationen Im Vergleich zur AZ® 4500 Serie haben die AZ® 10XT Fotolacke eine geringere optische Absorption. Das vereinfacht die Belichtung von (auch sehr) dicken Resist Filmen. In Kombination mit der fehlenden g-Linien-Empfindlichkeit benötigt die AZ® 10XT Serie daher unter Breitbandbedingungen eine längere Belichtungszeit und weist eine geringere Entwicklungsrate auf als AZ® 4500 Filme, die unter den gleichen Bedingungen verarbeitet werden. Auf der anderen Seite zeigt der AZ® 10XT ein sehr hohes Seitenverhältnis und eine hohe Auflösung. Für geringere Resist Filmdicken empfehlen wir eine Verdünnung mit PGMEA=AZ® EBR Solvent. Die folgenden Resist Schichtdicken beziehen sich auf 4000 U/min unter Standardbedingungen: 4.0 µm: 100g AZ® 10XT + 13g PGMEA 3.0 µm: 100g AZ® 10XT + 23g PGMEA 2.0 µm: 100g AZ® 10XT + 42g PGMEA 1.5 µm: 100g AZ® 10XT + 55g PGMEA 1.0 µm: 100g AZ® 10XT + 88g PGMEA Das AZ® 10XT ist eine PFOS-freie Alternative zum AZ® 9260, die im Jahr 2019 eingestellt wurde. Viskosität und Prozessparameter sind identisch mit denen des früheren AZ® 9260. 3.0 µm Linien in 12 µm dicken AZ® 10XT Ultratech 1500 Belichtung, AZ® 400K Developer 1:4 (260s Spray) Produkteigenschaften Gute Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert) Verträglich mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien) h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 410 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm Developer Die empfohlenen Developer für die AZ® 10XT Fotolack sind AZ® 400K 1:4 oder AZ® 726 MIF. Bei sehr dicken Resist Filmen kann eine eher starke Developer Konzentration wie AZ® 400K 1:3,5 - 1:3,0 für die erforderlichen kurzen Entwicklungszeiten sinnvoll sein. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/ Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 10XT (520CPS) Dickere Lacke für hohe Auflösung Allgemeine Informationen Im Vergleich zur AZ® 4500 Serie haben die AZ® 10XT Fotolacke eine geringere optische Absorption. Das vereinfacht die Belichtung von (auch sehr) dicken Resist Filmen. In Kombination mit der fehlenden g-Linien-Empfindlichkeit benötigt die AZ® 10XT Serie daher unter Breitbandbedingungen eine längere Belichtungszeit und weist eine geringere Entwicklungsrate auf als AZ® 4500 Filme, die unter den gleichen Bedingungen verarbeitet werden. Auf der anderen Seite zeigt der AZ® 10XT ein sehr hohes Seitenverhältnis und eine hohe Auflösung. Für geringere Resist Filmdicken empfehlen wir eine Verdünnung mit PGMEA=AZ® EBR Solvent. Die folgenden Resist Schichtdicken beziehen sich auf 4000 U/min unter Standardbedingungen: 4.0 µm: 100g AZ® 10XT + 13g PGMEA 3.0 µm: 100g AZ® 10XT + 23g PGMEA 2.0 µm: 100g AZ® 10XT + 42g PGMEA 1.5 µm: 100g AZ® 10XT + 55g PGMEA 1.0 µm: 100g AZ® 10XT + 88g PGMEA Das AZ® 10XT ist eine PFOS-freie Alternative zum AZ® 9260, die im Jahr 2019 eingestellt wurde. Viskosität und Prozessparameter sind identisch mit denen des früheren AZ® 9260. 3.0 µm Linien in 12 µm dicken AZ® 10XT Ultratech 1500 Belichtung, AZ® 400K Developer 1:4 (260s Spray) Produkt-Eigenschaften Gute Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert) Verträglich mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien) h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 410 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm Developer Die empfohlenen Developer für die AZ® 10XT Fotolack sind AZ® 400K 1:4 oder AZ® 726 MIF. Bei sehr dicken Resist Filmen kann eine eher starke Developer Konzentration wie AZ® 400K 1:3,5 - 1:3,0 für die erforderlichen kurzen Entwicklungszeiten sinnvoll sein. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/ Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 125nXT-10B Ultradickes Negativ Resist für die Beschichtung Allgemeine Informationen AZ® 125nXT-10B für 25 - 200 µm Resist Schichtdicke (i-line) Das AZ® 125nXT-10B ist ein Negativ Resist für Schichtdicken bis zu über 100 µm bei gleichzeitig sehr hoher Seitenwandsteilheit. Und sogar noch mehr (1 mm Resist Schichtdicke realisiert!) mit sehr steilen Seitenwänden und speziellen Beschichtungstechniken. Seine Vernetzung und sehr gute Resist Haftung machen es stabil in allen konventionellen Galvanikanwendungen. Dieses Resist muss nicht nachbelichtet werden. 20 µm Linien bei 60 µm Resist Schichtdicke. 15 µm Löcher bei 60 µm Resist Schichtdicke. 80 µm plattiertes CuNi-Bild. Produkteigenschaften 30 - 100 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung Bis zu 1 mm Resist Schichtdicke möglich Wässrig alkalisch Developer (z. B. AZ® 326/726/2026 MIF) Kein Bake nach der Belichtung, Fotopolymerisation während der Belichtung Keine Rehydrierung erforderlich, keine N2-Bildung während der Belichtung Sehr gute Haftung, kein Underplating Nassabziehverfahren (z. B. TechniStrip P1316) Optimiert für Galvanik, Nass- und Trockenätzung Developer Wir empfehlen die TMAH-basierte, gebrauchsfertige AZ® 2026 MIF Developer. AZ® 326 MIF und AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. Entferner Der empfohlene Stripper für den AZ® 125nXT-10B ist der NMP-freie TechniStrip P1316, bei alkaliempfindlichen Trägermaterialien der TechniStrip P1331 oder TechniStrip MLO07. Lösungsmittel wie NMP oder der Untoxik-Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken Resist Filmen ein Erhitzen der Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Resist muster und plattierte Strukturen, die mit einer 60 und 120 µm dicken AZ® 125nXT. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder AZ® EBR Solvent 70/30. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 125nXT-10B englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 12XT-20PL-10 Chemisch verstärkte Positiv-Ton-Fotoresists Allgemeine Informationen AZ® 12XT für 5 - 15 µm Resist Filmdicke (i-line) Der AZ® 12XT ist ein chemisch verstärkter, dicker Resist Positiv-Fotoresist, der sich durch seine hervorragende Umweltstabilität und seine Eignung für Beschichtungs- und RIE-Anwendungen auszeichnet. Selbst für sehr hohe Resist Schichtdicken benötigt AZ® 12XT nur kurze Softbake-Zeiten, keine Verzögerung für die Rehydrierung, sehr geringe Belichtungsdosen aufgrund seiner chemischen Verstärkung und weist eine hohe Entwicklungsrate auf. AZ® 12XT - 2,4mm Linien bei 10mm Filmdicke Produkt-Eigenschaften Hohe thermische Stabilität Kompatibel mit allen gängigen TMAH-basierten Developer Verträglich mit allen gängigen Abbeizmitteln (z. B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien) i-Linien-empfindlich (ca. 320 - 390 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 20 µm Developer Wir empfehlen die TMAH-basierte Developer wie die AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF Developer. Entferner Die AZ® 12XT Resists sind mit den branchenüblichen lösungsmittelbasierten Entfernern wie AZ® 920 Remover, AZ® 100 Remover und DMSO-basierten Strippern kompatibel. Verdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder AZ® EBR70/30 Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-10 englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-10 deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 12XT 20PL-10 englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 12XT-20PL-15 Chemisch verstärkte Positiv-Ton-Fotoresists Allgemeine Informationen AZ® 12XT für 5 - 15 µm Resist Filmdicke (i-line)Der AZ® 12XT ist ein chemisch verstärkter, dicker Resist Positiv-Fotoresist, der sich durch seine hervorragende Umweltstabilität und seine Eignung für Beschichtungs- und RIE-Anwendungen auszeichnet. Selbst für sehr hohe Resist Schichtdicken benötigt AZ® 12XT nur kurze Softbake-Zeiten, keine Verzögerung für die Rehydrierung, sehr geringe Belichtungsdosen aufgrund seiner chemischen Verstärkung und weist eine hohe Entwicklungsrate auf. AZ® 12XT - 2,4mm Linien bei 10mm Filmdicke Produkt-Eigenschaften Hohe thermische Stabilität Kompatibel mit allen gängigen TMAH-basierten Developer Verträglich mit allen gängigen Abbeizmitteln (z. B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien) i-Linien-empfindlich (ca. 320 - 390 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 20 µm Developer Wir empfehlen die TMAH-basierte Developer wie die AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF Developer. Entferner Die AZ® 12XT Resists sind mit den branchenüblichen lösungsmittelbasierten Entfernern wie AZ® 920 Remover, AZ® 100 Remover und DMSO-basierten Strippern kompatibel. Verdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder AZ® EBR70/30 Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 1505 Positive Dünnlacke für Nassätzung Allgemeine Informationen Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich. Die hohe Auflösung und Haftung der AZ® 1505 machen diese Resist zu einer häufig verwendeten Resist Maske für das Cr-Ätzen in der Fotomaskenproduktion. Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 500 nm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 400 - 800 nm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden. Produkteigenschaften Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Hohe Entwicklungsrate Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 0,4 - 0,8 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte **AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 1512 HS Positive Dünnlacke für Nassätzung Allgemeine Informationen Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich. Die sehr hohe photoaktive Wirkstoffkonzentration des AZ® 1512 HS maximiert den Resist Kontrast (sehr hohe Entwicklungsrate, minimierter Dunkelabtrag). Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 1,2 µm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 1,0 - 1,8 µm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden. Produkteigenschaften Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Hohe Entwicklungsrate Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 1,0 - 1,8 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir das TMAH-basierte AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 1514H Positive Dünnlacke für Nassätzung Allgemeine Informationen Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich. Ein spezielles Harz verbessert die Resist Haftung auf den meisten gängigen (metallischen) Substraten weiter. Resist Schichtdicke bei 4000 U/min ca. 1,4 µm, über Variationen der Schleuderdrehzahl sind ca. 1,1 - 2 µm erreichbar. Produkteigenschaften Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Hohe Entwicklungsrate Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 1,1 µm - 2,0 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte **AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 1518 Positive Dünnlacke für Nassätzung Allgemeine Informationen Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich. Die erhöhte Resist Schichtdicke des AZ® 1518 verbessert die Stabilität der Resist Maske für Nassätzprozesse. Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 1,8 µm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 1,5 - 3,0 µm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden. Produkteigenschaften Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Hohe Entwicklungsrate Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 1,5 µm - 3,0 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 15nXT (115CPS) Dickes Negativ Resist für die Beschichtung Allgemeine Informationen AZ® 15nXT (115CPS) für 3 - 6 µm Resist Filmdicke (i-line) Das AZ® 15nXT (115CPS) ist ein Negativ Resist für Schichtdicken bis zu ca. 6 µm, mit einer Resist Schichtdicke von 3,5 µm bei 4000 U/min. Sein Vernetzungscharakter und seine sehr gute Resist Haftung machen es z. B. für alle herkömmlichen Galvanikanwendungen stabil. Bis zu einer Schichtdicke von etwa 6 µm Resist sind die Resist Seitenwände senkrecht, bei größeren Schichtdicken zunehmend negativ (unterschnitten), so dass sich die geformten Metallstrukturen nach oben hin verjüngen. Ein Backvorgang nach der Belichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung zu vollenden. 5 µm Linien bei 10 µm Resist Schichtdicke. 5 µm Löcher bei 10 µm Resist Schichtdicke. 5 µm plattiertes CuNi-Bild. 3.6 µm plattiertes CuNi-Bild. Produkteigenschaften 3 - 6 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung Wässrig alkalisch Developer, vorzugsweise AZ® 2026 MIF Ausgezeichnete Haftung, keine Unterbeschichtung Breite Substratkompatibilität: Cu, Au, Ti, NiFe, .. Breite Beschichtungskompatibilität: Cu, Ni, Au, .. Standard-Nassentschichtungsverfahren Nahezu vertikale Seitenwandwinkel Developer Wir empfehlen die TMAH-basierte, gebrauchsfertige AZ® 2026 MIF Developer. AZ® 326 MIF und AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. Entferner Das empfohlene Stripper für AZ® 15nXT ist das NMP-freie, ungiftige TechniStrip NI555 oder das AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Untergrundmaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® 15nXT Resist Filme auflösen (nicht nur vom Untergrund abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der ungiftige Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Folien kann eine Erhitzung dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Fotolack englisch Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 15nXT (450CPS) Dickes Negativ Resist für die Beschichtung Allgemeine Informationen AZ® 15nXT (450CPS) für 5 - 20 µm Resist Schichtdicke (i-line) Die AZ® 15nXT (450CPS) ist ein Negativ Resist für Schichtdicken bis zu ca. 20 µm, mit einer Resist Schichtdicke von ~ 6 µm bei 4000 U/min. Durch seinen vernetzenden Charakter und seine sehr gute Resist Haftung ist es z. B. für alle herkömmlichen Galvanikanwendungen stabil. Bis zu einer Schichtdicke von etwa 10 µm Resist sind die Resist Seitenwände senkrecht, bei größeren Schichtdicken zunehmend negativ (unterschnitten), so dass sich die geformten Metallstrukturen nach oben hin verjüngen. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung auszuführen. 5 µm Linien bei 10 µm Resist Schichtdicke. 5 µm Löcher bei 10 µm Resist Schichtdicke. 5 µm plattiertes CuNi-Bild. 3.6 µm plattiertes CuNi-Bild. Produkteigenschaften 5 - 20 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung Wässrig alkalisch Developer, vorzugsweise AZ® 2026 MIF Ausgezeichnete Haftung, keine Unterbeschichtung Breite Substratkompatibilität: Cu, Au, Ti, NiFe, .. Breite Beschichtungskompatibilität: Cu, Ni, Au, .. Standard-Nassentschichtungsverfahren Nahezu vertikale Seitenwandwinkel Developer Wir empfehlen die TMAH-basierte, gebrauchsfertige AZ® 2026 MIF Developer. AZ® 326 MIF und AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. Entferner Das empfohlene Stripper für AZ® 15nXT ist das NMP-freie, ungiftige TechniStrip NI555 oder das AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Untergrundmaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® 15nXT Resist Filme auflösen (nicht nur vom Untergrund abziehen) kann. Lösungsmittel wie NMP oder der ungiftige Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Foliendicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Folien ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack englisch Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Serie englisch Informationen AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack english Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 2026 MIF Developer Metallionenfrei Developer Allgemeine Informationen AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O. Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Neben einem Netzmittel für z.B. die Puddle-Entwicklung enthält der AZ® 2026 MIF Developer zusätzlich ein Additiv mit der Aufgabe, schwerer lösliche Lackbereiche rückstandsfrei zu entwickeln. Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt. AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Untergrundbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher. Weitere Informationen MSDS: Safety Data Sheet AZ® 2026 MIF Developer english Sicherheitsdatenblatt AZ® 2026 MIF Developer deutsch TDS: Technical Data Sheet AZ® 2026 MIF Developer english Anwednungshinweise: Development of Photoresist english Entwicklung von Fotolack deutsch

AZ® 2033 MIF Developer Metallionenfrei Developer Allgemeine Informationen AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O. Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Zusätzlich zum Netzmittel der AZ® 726 MIF enthält die AZ® 2026 MIF ein scum Remover für die vollständige und scum-freie Entfernung von Resist Schichten zum Preis eines etwas höheren Dunkelabtrags. Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt. AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Substratbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 2033 MIF Developer englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 2033 MIF Entwickler deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 2033 MIF Developer englisch Anwendungshinweise: Entwicklung von Fotolack english Entwicklung von Fotolack deutsch

AZ® 300 MIF Developer Metallionenfrei Developer Allgemeine Informationen AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O. Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und zum leichten Absetzen der Pfützenbildung. Zusätzlich zum Netzmittel der AZ® 726 MIF enthält die AZ® 2026 MIF ein scum Remover für die vollständige und scum-freie Entfernung von Resist Schichten zum Preis eines etwas höheren Dunkelabtrags. Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt. AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Substratbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 300 MIF Developer englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 300 MIF Entwickler deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 300 MIF Developer englisch Anwendungshinweise: Entwicklung von Fotolack english Entwicklung von Fotolack deutsch

AZ® 303 Developer Anorganisch Developer Allgemeine Informationen AZ® 303 MIC basiert auf KOH und NaOH und enthält starke Tenside. Es wurde für Positiv- und wässrige alkaliverträgliche Negativlacke entwickelt, kann aber auch für AZ® nLof 20XX Serie verwendet werden und ist das einzige TMAH-freie Developer für diese Resist. AZ® 303 Developer wird normalerweise 1:5 - 1:10 mit Wasser verdünnt. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 303 Developer englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 303 Entwickler deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 303 Developer englisch Anwendungshinweise: Entwicklung von Fotolack english Entwicklung von Fotolack deutsch

AZ® 326 MIF Developer Metallionenfrei Developer Allgemeine Informationen AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O. Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Zusätzlich zum Netzmittel der AZ® 726 MIF enthält die AZ® 2026 MIF ein scum Remover für die vollständige und scum-freie Entfernung von Resist Schichten zum Preis eines etwas höheren Dunkelabtrags. Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt. AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Substratbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 326 MIF Entwickler deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 326 MIF Developer englisch Anwendungshinweise: Entwicklung von Fotolack english Entwicklung von Fotolack deutsch

AZ® 340 Developer Anorganisch Developer Allgemeine Informationen AZ® 340 Developer ist ein hochnormales Konzentrat auf Natriumbasis Developer für den Einsatz in kundenspezifischen Verdünnungsanwendungen vor Ort. Dieses Developer Konzentrat ist gepuffert, um eine längere Badlebensdauer und stabile Entwicklungsraten in Batch-Prozessen zu gewährleisten. Verdünne das Konzentrat mit 1 Teil AZ® 340 Developer auf 4 Teile VE-Wasser, um einen hohen Kontrast zu erzielen. Developer Normalität (und Entwicklungsrate) können bei Bedarf erhöht werden, indem das Verhältnis AZ® 340 Developer zu Wasser erhöht wird. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 340 Developer englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 340 Developer deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 340 Developer englisch Anwendungshinweise: Entwicklung von Fotolack english Entwicklung von Fotolack deutsch

AZ® 351B Developer Anorganisch Developer Allgemeine Informationen AZ® 351B Developer basiert auf gepuffertem NaOH und wird normalerweise in einer 1:3 bis 1:4 Verdünnung (1 Teil Konzentrat und 4 Teile VE-Wasser) verwendet. die 1:3-Verdünnung ist die Hochgeschwindigkeitslösung, während die 1:4-Verdünnung für eine Hochkontrastlösung verwendet wird. Es kann besonders für unsere dünneren Resist Typen verwendet werden, wie z.B. AZ® 1500 Serie Resists oder Bildumkehrresists wie AZ® 5200E Resist Serie. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 351B Developer englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 351B Entwickler deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 351B Developer englisch Anwendungshinweise: Entwicklung von Fotolack english Entwicklung von Fotolack deutsch

AZ® 3DT-102M-15 Chemisch verstärktes Positiv Fotolack Allgemeine Informationen AZ® 3DT-102M-15 ist ein chemisch verstärkter Positivton Fotolack mit einem sehr hohen Aspektverhältnis. Er ist für die Verwendung als Maske für Trockenätz-, Ionenimplantations-, RDL- und Galvanikanwendungen (Cu-kompatibel) vorgesehen. Sie kann sowohl mit i-line Steppern als auch mit herkömmlichen Mask Alignern verwendet werden. Die AZ® 3DT-102M-15 ist für einen Schichtdickenbereich von 8 - 20 µm vorgesehen. Produkt-Eigenschaften Steile Seitenwände Kompatibel mit Kupferplattierungs-Verfahren Für TSV, Implantation, RDL, Galvanik, Trockenätzung Chemisch verstärkt à PEB obligatorisch Kompatibel mit den meisten Fotolack Stripper (z. B. AZ® 100 Remover, auf Basis organischer Lösungsmittel oder alkalisch) i-line empfindlich (kann auch für Breitbandbelichtung verwendet werden) Resist schichtdickenbereich ca. 8 - 20 µm Developer Die empfohlenen Developer sind AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF für den Fotolack AZ® 3DT-102M-15. Ablöser Die empfohlenen Abisoliermittel für den AZ® 3DT-102M-15 sind AZ® 920 Remover, AZ® 100 Remover, TechniStrip P1316, TechniStrip P1331 und TechniStrip MLO07. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 400K Developer 1:4 Anorganisch Developer Allgemeine Informationen Neben dem Konzentrat ist jetzt auch eine vorverdünnte AZ® 400K 1:4 Version erhältlich, andere Verdünnungsverhältnisse auf Anfrage. AZ® 400K MIC Developer basiert auf gepufferter KOH und wird typischerweise in einer 1:3 bis 1:4 Verdünnung (1 Teil Konzentrat und 4 Teile DI-Wasser) verwendet und kann vor allem für unsere dickeren Resist Typen, wie AZ® 4562, AZ® 10XT und AZ® 40XT, verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K 1:4 Developer englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K 1:4 Entwickler deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 400K 1:4 Developer englisch Information AZ® 400K 1:4 Developer deutsch Anwendungshinweise: Entwicklung von Fotolack english Entwicklung von Fotolack deutsch

AZ® 400K Developer Anorganisch Developer Allgemeine Informationen AZ® 400K MIC basiert auf gepufferter KOH und wird in der Regel in einer Verdünnung von 1:3 bis 1:4 (1 Teil Konzentrat und 4 Teile VE-Wasser) verwendet. Es eignet sich besonders für unsere dickeren Resist Typen, wie AZ® 4562, AZ® 10XT und AZ® 40XT. Zusätzlich zum Konzentrat ist jetzt auch eine vorverdünnte AZ® 400K 1:4 Version erhältlich, andere Verdünnungsverhältnisse auf Anfrage. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K Developer englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K Entwickler deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 400K Developer englisch Informationen AZ® 400K Developer englisch Anwendungshinweise: Entwicklung von Fotolack english Entwicklung von Fotolack deutsch

AZ® 40XT Chemisch verstärkte dicke Fotolack Allgemeine Informationen AZ® 40XT für 15 - 100 µm Resist Filmdicke (i-line) Die chemisch verstärkte AZ® 40 XT ist eine ultradicke Resist, deren hohe Viskosität sehr große Resist Filmdicken durch eine einzige Beschichtung ermöglicht. Sie muss nicht rehydriert werden, benötigt eine geringe Lichtdosis, setzt bei der Belichtung keinen Stickstoff frei und entwickelt sich sehr schnell, was im Vergleich zu herkömmlichen dicken Resist Filmen deutlich kürzere Prozesszeiten ermöglicht. Allerdings muss die AZ® 40XT zwingend mit einem Post Exposure Bake entwickelt werden. Hinweis: Die maximale Soft-Bake-Temperatur darf nicht abrupt angewendet werden, um die Bildung von Blasen in der Resist Folie zu verhindern. Wir empfehlen entweder die Verwendung einer Annäherungsheizplatte oder eine Temperaturrampe auf einer Kontaktheizplatte. Die richtigen Temperaturrampen sind entscheidend für eine blasenfreie Resist Verarbeitung mit dieser Resist. Linien und Zwischenräume von 100 bis 10 µm mit einer 40 µm dicken AZ® 40XT bei 400 mJ/cm2 Belichtungsdosis Produkteigenschaften 15 - 100 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung Wässrig alkalisch Developer (z.B. AZ® 326/726/2026 MIF) Keine Rehydrierung erforderlich, keine N2-Bildung während der Belichtung Sehr gute Haftung, sehr steile Resist Seitenwände Kann nass- und trocken-chemisch entlackt werden Optimiert für Galvanik, Nass- und Trockenätzung i-Linien-empfindlich (ca. 330 - 390 nm) Developer Wir empfehlen gängige TMAH-basierte Developer wie die AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF Developer. Entferner AZ® 40XT Fotolack ist mit branchenüblichen lösungsmittelbasierten Entfernern kompatibel (z. B. NMP, DMSO, AZ® 920 Remover oder Technistrip MLO07). Verdünnen/Entfernen von Randwülsten Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Randwulstentfernung geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 4533 Dicke Resists mit optimierter Haftung Allgemeine Informationen Die AZ® 4500 Serie (AZ® 4533 und AZ® 4562) sind Positiv-Dicklacke mit optimierter Haftung für gängige Nassätz- und Galvanisierungsprozesse. Die AZ® 4500 Serie folgt der AZ® 1500 Serie im Bereich der erreichbaren und verarbeitbaren Resist Schichtdicken. AZ® 4533 (3,3 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min) und AZ® 4562 (6,2 µm) haben im Vergleich zu dünnen Resisten eine geringere Fotoinitiator-Konzentration. Dadurch ist es möglich, dicke Resist Filme über 10 µm ohne N2-Blasenbildung zu verarbeiten, allerdings auf Kosten einer deutlich niedrigeren Entwicklungsrate. Produkteigenschaften Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 2,5 - 5 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt). Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung