MC-Dip-Coating Resist - 5.00 l
MicroChemicals GmbH
MC Dip Coating Resist is a positive tone optimized for Dip Coating application.
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Produktnummer:
1dip050
Hersteller:
MicroChemicals GmbH
Produktinformationen "MC-Dip-Coating Resist - 5.00 l"
MC-Dip Coating
Resist für Tauchbeschichtung
Allgemeine Informationen
Der MC Dip Coating Fotolack ist ein positiver, gebrauchsfertiger (bereits verdünnter), kostengünstiger Fotolack, der für die
Tauchbeschichtung
optimiert wurde und eine verbesserte Homogenität der Fotolack-Schichtdicke im großflächigen Bereich bietet.
Produkt-Eigenschaften
Der MC Dip Coating sorgt für eine verbesserte Homogenität der Fotolack-Schichtdicke im großflächigen Bereich. Der Farbstoff des Lacks ermöglicht eine schnelle und einfache visuelle Inspektion der Beschichtungsleistung. Der erreichbare Schichtdickenbereich des Fotolacks liegt bei etwa 2 - 10 µm bei einer Ziehgeschwindigkeit von 3 - 15 mm/s. Der MC Dip Coating Fotolack enthält zwei Lösungsmittel: Das niedrig siedende MEK sorgt für eine schnelle Vor-Trocknung der Fotolackschicht und verhindert so, dass der Fotolack zum unteren Rand des Substrats (Platten) fließt. Das hoch siedende (langsam
verdampfende) PGMEA sorgt für eine sehr glatte Oberfläche des Fotolacks.
Tauchbeschichtung
Für eine hohe Homogenität der Beschichtung wird eine Ziehgeschwindigkeit von 5 - 8 mm/s empfohlen.
Zwischen den Tauchbeschichtungsschritten empfiehlt es sich, den Tank abzudecken, um die Verdunstung von MEK und die Einbindung von Partikeln in den Fotolack zu verhindern. Nach der Beschichtung sollte der Fotolack für einige Minuten bei Raumtemperatur ruhen, damit sich die Schicht glätten kann.
Entwickler
Wir empfehlen die Entwickler AZ® Developer, AZ® 400K und AZ® 351B. Möglich sind auch NaOH, KOH und TMAH Lösungen.
Remover
Alkalische Stripper wie der AZ® 100 Remover oder eine etwa 3%ige wässrige KOH- oder NaOH-Lösung sind als Remover geeignet. Viele organische Lösungsmittel eignen sich ebenfalls zur Entfernung von Fotolack.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt MC Dip Coating Resist englisch
Sicherheitsdatenblatt MC Dip Coating Resist deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt MC Dip Coating Resist englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
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Sprühlack
Allgemeine Informationen
AZ® 4999 ist eine hochtransparente Fotolack Sprühbeschichtung, die speziell für spezielle Sprühbeschichtungsanlagen (z. B. SÜSS Delta AltaSpray) entwickelt wurde, um fehlerfreie und gleichmäßige Beschichtungen auf Geräten mit schwieriger Topografie zu erzielen. Dicke (einige bis mehrere zehn Mikrometer) und gleichmäßige Resist Beschichtungen werden auf Topografien wie V-Nuten und Gräben mit optimaler Abdeckung von scharfen Kanten erzielt. Es gibt keine Anhäufung von Resist in Gräben. Die Verwendung von AZ® 4999 Fotolack ermöglicht eine hohe Reproduzierbarkeit in der Massenproduktion.
Produkteigenschaften
Viskosität (bei 25°C): 0.52 cSt
Feststoffgehalt: 4%
Absorptionsvermögen bei 398 nm: 0.1 l/(g*cm)
Spektrale Empfindlichkeit: 310 nm - 440 nm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich das KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir das TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4999 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4999 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 4999 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 1505 Photoresist - 3.785 l
1A001505
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 1505
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 1505 Fotolack gehört zur AZ® 1500 Fotolack Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich) mit optimierter Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für Nasschemisches Ätzen ist.
Produkteigenschaften
Die AZ® 1500 Lackfamilie ist nicht auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100°C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dicklacken hohe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 1500er Serie erlaubt eine sehr schnelle Entwicklung.
Der AZ® 1505 ist mit ca. 500 nm Lackschichtdicke bei 4000 U/min der dünnste Vertreter dieser Lackserie. Dieser Lack wird häufig zum Chromätzen bei der Fotomaskenherstellung eingesetzt, eignet sich aber ebenso als Ätzmaske für andere Materialien. Der AZ® 1505 Fotolack erlaubt hierbei unter optimierten Prozessparametern eine Auflösung im Submikrometerbereich. Falls eine so hohe Auflösung nicht erforderlich ist, kann ein etwas dickerer Lack (zum Beispiel AZ® 1514 H oder AZ® 1518) sinnvoll sein, womit die Gefahr von Pinholes in der Lackschicht durch Partikel auf dem Substrat, und entsprechenden Ätzdefekten, verringert wird. Von einer weiteren Verdünnung des AZ® 1505 Fotolack ist abzuraten, da stark verdünnte, Fotoinitiator-reiche Lacke rasch zu Partikelbildung neigen. Muss der Lack dennoch verdünnt werden, sollten entsprechende Ansätze rasch verbraucht und ein Augenmerk auf eine mögliche Partikelbildung gerichtet werden.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Auch wenn, wie weiter oben beschrieben, eine weitere Verdünnung des AZ® 1505 Fotolack aufgrund der beschleunigten Partikelbildung nicht empfehlenswert ist, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 1505 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 1512 HS Photoresist - 3.785 l
1A001512
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 1512 HS
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 1512 HS Fotolack gehört zur AZ® 1500 Fotolack Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich) mit optimierter Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für Nasschemisches Ätzen ist.
Produkteigenschaften
Die AZ® 1500 Lackfamilie ist nicht auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100°C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dicklacken hohe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 1500er Serie erlaubt eine sehr schnelle Entwicklung.
Der AZ® 1512 HS erzielt bei 4000 U/min ca. 1.3 µm Lackschichtdicke und wird häufig zum Chromätzen bei der Fotomaskenherstellung eingesetzt, eignet sich aber ebenso als Ätzmaske für andere Materialien. Der AZ® 1512 HS Fotolack erlaubt hierbei unter optimierten Prozessparametern eine Auflösung im Submikrometerbereich. Falls eine so hohe Auflösung nicht erforderlich ist, kann ein etwas dickerer Lack (zum Beispiel AZ® 1518) sinnvoll sein, womit die Gefahr von Pinholes in der Lackschicht durch Partikel auf dem Substrat, und entsprechenden Ätzdefekten, verringert wird. Der AZ® 1512 HS besitzt innerhalb der AZ® 1500er Serie die höchste Fotoinitiator-Konzentration, ist entsprechend kontrastreich, und zeigt eine besonders hohe Entwicklungsrate. Von einer Verdünnung des AZ® 1512 HS Fotolack ist abzuraten, da verdünnte, sehr Fotoinitiator-reiche Lacke rasch zu Partikelbildung neigen. Muss der Lack dennoch verdünnt werden, sollten entsprechende Ansätze rasch verbraucht und ein Augenmerk auf eine mögliche Partikelbildung gerichtet werden.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B (typ. 1:4 verdünnt mit Wasser), und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls typ. 1:4 verdünnt mit Wasser). Für sehr feine Lackstrukturen kann eine etwas höhere Verdünnung der Entwickler hilfreich sein. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 2:1 bis 1:1 Verdünnung (Entwickler : Wasser).
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Auch wenn, wie weiter oben beschrieben, eine weitere Verdünnung des AZ® 1512 HS Fotolack aufgrund der beschleunigten Partikelbildung nicht empfehlenswert ist, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 1512 HS dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 1514 H Photoresist - 3.785 l
1A001514
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 1514 H
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 1514 H gehört zur AZ® 1500 Fotolack Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich) mit optimierter Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für Nasschemisches Ätzen ist.
Produkteigenschaften
Die AZ® 1500 Lackfamilie ist nicht auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100°C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dicklacken hohe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 1500er Serie erlaubt eine sehr schnelle Entwicklung.
Der AZ® 1514 H erzielt bei 4000 U/min ca. 1.5 µm Lackschichtdicke und weist eine besonders gute Haftung auf metallischen Substratmaterialien auf, wodurch er sich als Ätzmaske für zum Beispiel Aluminium, Chrom und andere Metalle, aber auch zum Ätzen nicht metallischer Schichten eignet. Von einer stärkeren Verdünnung des AZ® 1514 H ist abzuraten, da verdünnte, Fotoinitiator-reiche Lacke rasch zu Partikelbildung neigen. Muss der Lack dennoch verdünnt werden, sollten entsprechende Ansätze rasch verbraucht und ein Augenmerk auf eine mögliche Partikelbildung gerichtet werden.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B (typ. 1:4 verdünnt mit Wasser), und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls typ. 1:4 verdünnt mit Wasser). Für sehr feine Lackstrukturen kann eine etwas höhere Verdünnung der Entwickler hilfreich sein. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 2:1 bis 1:1 Verdünnung (Entwickler : Wasser).
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Auch wenn, wie weiter oben beschrieben, eine weitere Verdünnung des AZ® 1514 H aufgrund der beschleunigten Partikelbildung nicht empfehlenswert ist, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 1514 H dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ ECI 3007 Photoresist - 3.785 l
1A003007
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 3007
Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster
Allgemeine Informationen
Der AZ® ECI 3007 gehört zur AZ® ECI 3000er Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich), deren Hauptanwendungen der Einsatz als Lackmaske für trockenchemischen Ätzen, RIE, Ionenimplantation oder auch Lift-off Prozesse sind.
Produkteigenschaften
Die AZ® ECI 3000 Lackfamilie ist auf steile Lackflanken sowie eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 125 °C) optimiert. Die AZ® ECI 3000er Lacke benötigen eine, verglichen mit anderen Positivlacken, deutlich geringere Lichtdosis, entwickeln aber dennoch rasch.
Der AZ® ECI 3007 ist mit ca. 700 nm Lackschichtdicke bei 3000 U/min der dünnste Vertreter dieser Lackserie. Dieser Lack wird häufig zum Trockenätzen, RIE oder Lift-off Prozessen und erlaubt unter optimierten Prozessparametern eine Auflösung deutlich im Submikrometerbereich. Falls eine so hohe Auflösung nicht erforderlich ist, kann ein etwas dickerer Lack dieser Reihe (zum Beispiel AZ® ECI 3012, AZ® ECI 3027) sinnvoll sein. Falls erforderlich, lässt sich der AZ® ECI 3007 problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent weiter verdünnen. Für Anwendungen mit hohen Anforderungen an eine sehr gute Lackhaftung wie nasschemisches Ätzen sowie die galvanische Abscheidung empfehlen sich Lacke der AZ® 1500er bzw. 4500er Serie.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Zur Verdünnung für die Schleuderbelackung kommt grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage, was sich, falls nötig, auch zur Randwallentfernung eignet.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3007 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3007 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ ECI 3012 Photoresist - 3.785 l
1A003012
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 3012
Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster
Allgemeine Informationen
Der AZ® ECI 3012 gehört zur AZ® ECI 3000er Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich), deren Hauptanwendungen der Einsatz als Lackmaske für trockenchemischen Ätzen, RIE, Ionenimplantation oder auch Lift-off Prozesse sind.
450 nm resist Linien mit dem AZ® ECI 3012 bei einer Schichtdicke von ca. 1.2 µm.
Produkteigenschaften
Die AZ® ECI 3000 Lackfamilie ist auf steile Lackflanken sowie eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 125 °C) optimiert. Die AZ® ECI 3000er Lacke benötigen eine, verglichen mit anderen Positivlacken, deutlich geringere Lichtdosis, entwickeln aber dennoch rasch.
Der AZ® ECI 3012 deckt mit ca. 1,3 µm Lackschichtdicke bei 3000 U/min mit angepassten Schleuderprofilen den Lackschichtdickenbereich von ca. 1.0 - 1.8 µm ab. Dieser Lack wird häufig zum Trockenätzen, RIE oder Lift-off Prozessen und erlaubt unter optimierten Prozessparametern eine Auflösung im Submikrometerbereich. Falls eine so hohe Auflösung nicht erforderlich ist, kann ein etwas dickerer Lack dieser Reihe (zum Beispiel AZ® ECI 3027) sinnvoll sein. Falls dünnere Lackschichten erforderlich sind, empfiehlt sich der AZ® ECI 3007, alternativ eine Verdünnung des AZ® ECI 3012 mit PGMEA = AZ® EBR Solvent. Für Anwendungen mit hohen Anforderungen an eine sehr gute Lackhaftung wie nasschemisches Ätzen sowie die galvanische Abscheidung empfehlen sich Lacke der AZ® 1500er bzw. 4500er Serie.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Zur Verdünnung für die Schleuderbelackung kommt grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage, was sich, falls nötig, auch zur Randwallentfernung eignet.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars.
Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop!
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack englisch
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ ECI 3027 Photoresist - 3.785 l
1A003027
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 3027
Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster
Allgemeine Informationen
Der AZ® ECI 3027 gehört zur AZ® ECI 3000er Serie an Positivlacken (g-, h-und i-line empfindlich), deren Hauptanwendungen der Einsatz als Lackmaske für trockenchemisches Ätzen, RIE, Ionenimplantation oder auch Lift-off Prozesse sind.
900 nm Resist Linien mit dem AZ® ECI 3027 bei ca. 2.7 µm Resist Schichtdicke.
Produkteigenschaften
Die AZ® ECI 3000 Lackfamilie ist auf steile Lackflanken sowie eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 125 °C) optimiert. Die AZ® ECI 3000er Lacke benötigen eine, verglichen mit anderen Positivlacken, deutlich geringere Lichtdosis, entwickeln aber dennoch rasch.
Der AZ® ECI 3027 deckt mit ca. 2,7 µm Lackschichtdicke bei 3000 U/min mit angepassten Schleuderprofilen den Lackschichtdickenbereich von ca. 2 - 4 µm ab. Dieser Lack wird häufig zum Trockenätzen, RIE oder Lift-off Prozessen eingesetzt. Falls eine Auflösung im Submikrometerbereich erforderlich ist, kann ein etwas dünnerer Lack dieser Reihe (zum Beispiel AZ® ECI 3012 oder AZ® ECI 3007) sinnvoll sein, alternativ eine Verdünnung des AZ® ECI 3027 mit PGMEA = AZ® EBR Solvent. Für Anwendungen mit hohen Anforderungen an eine sehr gute Lackhaftung wie nasschemisches Ätzen sowie die galvanische Abscheidung empfehlen sich Lacke der AZ® 1500er bzw. 4500er Serie.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Zur Verdünnung für die Schleuderbelackung kommt grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage, was sich, falls nötig, auch zur Randwallentfernung eignet.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars.
Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop!
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3027 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3027 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ MIR 701 Photoresist (14 CPS) - 3.785 l
10070114
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® MIR 701 (14CPS)
Hohe Auflösung und Temperaturstabilität
Allgemeine Informationen
Der AZ® 701 MIR (14CPS) ist ein positiver Dünnlack (g-, h-und i-line empfindlich), deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für trockenchemisches Ätzen, RIE, oder auch Lift-off Prozesse ist.
300 nm resist lines attained with the AZ® 701 MIR
1.2µm structure after 130°C hardbake
Produkteigenschaften
Der AZ® 701 MIR (14CPS) ist auf steile Lackflanken sowie eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 130°C) optimiert. Der AZ® 701 MIR (14CPS) erzielt ca. 800 nm Lackschichtdicke bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl und erlaubt unter optimierten Prozessparametern eine Auflösung deutlich im Submikrometerbereich. Falls eine so hohe Auflösung nicht erforderlich ist und dickere Lackschichten erwünscht, empfiehlt sich der Einsatz der höher-viskosen AZ® 701 MIR (29CPS). Falls erforderlich, lässt sich der AZ® 701 MIR (14CPS) mit PGMEA = AZ® EBR Solvent problemlos auch stark verdünnen. Für nasschemisches Ätzen empfehlen sich in diesem Lackschichtdickenbereich Lacke der AZ® 1500er Serie mit optimierter Lackhaftung.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Zur Verdünnung für die Schleuderbelackung kommt grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage, was sich, falls nötig, auch zur Randwallentfernung eignet.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars.
Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop!
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (14CPS) Photoresist englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (14CPS) Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® MIR 701 Series englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ MIR 701 Photoresist (29 CPS) - 3.785 l
10070129
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® MIR 701 (29CPS)
Hohe Auflösung und Temperaturstabilität
Allgemeine Informationen
Der AZ® 701 MIR (29CPS) ist ein Positivlack (g-, h-und i-line empfindlich), im mittleren Lackschichtdickenbereich, dessen Hauptanwendungen der Einsatz als Lackmaske für trockenchemischen Ätzen, RIE, oder auch Lift-off Prozesse sind.
300 nm resist lines attained with the AZ® 701 MIR
1.2µm structure after 130°C hardbake
Produkteigenschaften
Der AZ® 701 MIR (29CPS) ist auf steile Lackflanken sowie eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 130°C) optimiert. Er erzielt ca. 2µm Lackschichtdicke bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl. Falls dünnere Schichten bzw. eine höhere Auflösung erwünscht sind, empfiehlt sich der Einsatz der nieder-viskoseren AZ® 701 MIR (14CPS). Alternativ lässt sich der AZ® 701 MIR (14CPS) mit PGMEA = AZ® EBR Solvent problemlos auch stark verdünnen. Für nasschemisches Ätzen empfehlen sich Lacke der AZ® 1500er Serie mit optimierter Lackhaftung.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Zur Verdünnung für die Schleuderbelackung kommt grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage, was sich, falls nötig, auch zur Randwallentfernung eignet.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (29CPS) Photoresist englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (29CPS) Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® MIR 701 Series englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ TFP-650F5 (15CP) Photoresist - 3.785 l
34000511
AZ® TFP 650
Flat Panel Display Fotolack
Allgemeine Informationen
Die AZ® TFP 650 F5 Resist eignet sich für Spin-Coat- und Extrusions-Coat-Anwendungen mit hervorragenden Haftungsanforderungen und/oder rauen Ätzbedingungen. Sie wurde entwickelt, um die Anforderungen der Flachbildschirmindustrie zu erfüllen. Sie sind speziell für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert, darunter Spin Coat, Extrusion Coat und Roller Coat. Diese produktionserprobten Photoresists können mit einer Vielzahl von Developer und Entfernern verwendet werden und sind so formuliert, dass sie mit den darunter liegenden Schichten kompatibel sind.
Produkt-Eigenschaften
Sehr hohe Fotogeschwindigkeit
Geringer Verlust des dunklen Films
Optimierte Resist Haftung
Leichtes Entfernen nach dem Hardbake
Hohe Beständigkeit gegen scharfe Ätzmittel
Kompatibel mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1 - 2 µm
Developer
Wir empfehlen den TMAH-basierten AZ® 726 MIF oder AZ® 326 MIF (dieser enthält Tenside).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Folien können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir NMP-freie wie AZ® 920 Remover oder TechniStrip P1316 als Remover.
Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten
Wir empfehlen für das Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® TFP 650 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® TFP 650 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® TFP 650 englisch
Informationen AZ® TFP 650 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 1518 Photoresist - 3.785 l
1A001518
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 1518
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 1518 gehört zur AZ® 1500er Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich) mit optimierter Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für Nasschemisches Ätzen ist.
Produkteigenschaften
Die AZ® 1500 Lackfamilie ist nicht auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100°C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dicklacken hohe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 1500er Serie erlaubt eine sehr schnelle Entwicklung.
Der AZ® 1518 erzielt bei 4000 U/min ca. 1.8 µm Lackschichtdicke und wird häufig zum Ätzen von metallischen oder nicht-metallischen Schichten eingesetzt. Von einer stärkeren Verdünnung des AZ® 1518 unterhalb des Niveaus des AZ® 1505 ist abzuraten, da verdünnte, Fotoinitiator-reiche Lacke rasch zu Partikelbildung neigen. Muss der Lack dennoch verdünnt werden, sollten entsprechende Ansätze rasch verbraucht und ein Augenmerk auf eine mögliche Partikelbildung gerichtet werden. Der AZ® 1518 sollte nicht deutlich dicker als ca. 2 µm Lackschichtdicke prozessiert werden, da es bei zunehmender Lackdicke durch die hohe Fotoinitiator-Konzentration beim Belichten zur Bildung von Stickstoff-Bläschen in der Lackschicht kommen kann. Falls dickere Lackschichten gewünscht sind, empfiehlt sich der deutlich Fotoinitiator-ärmere AZ® 4533.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B (typ. 1:4 verdünnt mit Wasser), und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls typ. 1:4 verdünnt mit Wasser). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 2:1 bis 1:1 Verdünnung (Entwickler : Wasser).
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Auch wenn, wie weiter oben beschrieben, eine weitere Verdünnung des AZ® 1518 aufgrund der beschleunigten Partikelbildung nicht empfehlenswert ist, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 1518 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
Entwickler
AZ Developer - 5.00 l
1000001
AZ® Developer
Anorganischer, Metallionenhaltiger Developer
Allgemeine Informationen
AZ® Developer ist ein auf Natrium-Salzen basierender, Aluminium-kompatibler Entwickler für nicht-chemisch verstärkte Positivlacke.
Produkteigenschaften
AZ® Developer basiert auf einer wässrigen Na-Metasilikat/Na-Phosphat-Lösung. Dieser Entwickler zeigt im Gegensatz zu NaOH-, KOH- oder TMAH-basierten Entwicklern keinen signifikanten Aluminium-Angriff und eignet sich für die Entwicklung nicht-chemisch verstärkter Positivlacke. Für dickere Lackschichten oder nicht zu hohen Anforderungen an Auflösung und Steilheit der Lackflanken kann der AZ® Developer unverdünnt eingesetzt werden, für Dünnlacke und höhere Ansprüchen an die Auflösung 1:1 mit Wasser verdünnt. Eine AZ® Developer:Wasser = 2:1 Verdünnung stellt einen guten Kompromiss für viele Anwendungen dar. Für Negativlacke oder chemisch verstärkte Positivlacke zeigt der AZ® Developer meist keine befriedigenden Ergebnisse. Hierfür empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler, welche jedoch nicht Aluminium-kompatibel sind.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® Developer deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® Developer englisch
Anwendungshinweis:
Entwicklung von Fotolack englisch
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 400 K Developer - 5.00 l
1000400
AZ® 400K Developer
Anorganischer, Metallionenhaltiger Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 400K Developer ist ein mit Borsäure gepufferter, KOH-basierter Entwickler für nicht-chemisch verstärkte Positivlacke.
Produkteigenschaften
Der AZ® 400K eignet sich als KOH-basierter Entwickler vor allem für die Entwicklung dickerer nicht-chemisch verstärkter Positivlacke, kann bei nicht zu hohen Anforderungen an die Auflösung jedoch auch für dünnere Lackschichten eingesetzt werden. AZ® 400K kommt als Konzentrat und wird üblicherweise 1 : 4 mit Wasser verdünnt. Zur Erhöhung der Selektivität kann auch eine 1 : 5 - 1 : 6 Verdünnung gewählt werden, was jedoch die Entwicklungsrate deutlich verringert und daher in der Dicklackprozessierung keine sinnvolle Option ist. Für sehr dicke Lackschichten oder/und bei geringen Anforderungen an die Kantensteilheit kann der AZ® 400K auch schärfer (1 : 3.5 - 1 : 3) angesetzt werden, was die Entwicklungsrate erhöht, den Dunkelabtrag aber deutlich stärker zunehmen lässt. Für Negativlacke oder chemisch verstärkte Positivlacke ist der AZ® 400K weniger geeignet, hier empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF. Der AZ® 400K greift Aluminium mit einer Ätzrate von - je nach Konzentration des Entwickleransatzes - mehreren 10 nm/min bis über 100 nm/min an. Falls dies nicht toleriert werden kann, kann der Al-kompatible AZ® Developer eine Alternative darstellen.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K Developer deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 400K Developer englisch
Information AZ® 400K Developer englisch
Anwendungshinweis:
Entwicklung von Fotolack englisch
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 351 B Developer - 5.00 l
1000351
AZ® 351B Developer
Anorganischer, Metallionenhaltiger Developer
Allgemeine Informationen
Der AZ® 351B Developer ist ein mit Borsäure gepufferter, NaOH-basierter Entwickler für nicht-chemisch verstärkte Positivlacke.
Produkteigenschaften
Der AZ® 351B Developer eignet sich als NaOH-basierter Entwickler vor allem für die Entwicklung nicht-chemisch verstärkter Positivlacke mit Schichtdicken von wenigen µm. AZ® 351B kommt als Konzentrat und wird üblicherweise 1 : 4 mit Wasser verdünnt. Zur Erhöhung der Selektivität kann auch eine 1 : 5 - 1 : 6 Verdünnung gewählt werden, was jedoch die Entwicklungsrate deutlich verringert und daher bei dickeren Lackschichten keine sinnvolle Option ist. Bei geringen Anforderungen an die Kantensteilheit kann unter der Notwendigkeit höherer Entwicklungsraten der AZ® 351B auch schärfer (1 : 3.5 - 1 : 3) angesetzt werden, was jedoch zu einem überproportionalen Anstieg des Dunkelabtrag führt. Für Negativlacke oder chemisch verstärkte Positivlacke ist der AZ® 351B weniger geeignet, hier empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF. Der AZ® 351B greift Aluminium mit einer Ätzrate von - je nach Konzentration des Entwickleransatzes - mehreren 10 nm/min bis über 100 nm/min an. Falls dies nicht toleriert werden kann, kann der Al-kompatible AZ® Developer eine Alternative darstellen.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 351B Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 351B Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 351B Developer englisch
Anwendungshinweis:
Entwicklung von Fotolack englisch
Entwicklung von Fotolack deutsch
KOH 44% - 2,50 l - VLSI
TKOV1025
KOH
Kaliumhydroxid
Allgemeine Informationen
KOH wird hauptsächlich zum anisotropen Ätzen von Silizium verwendet.
Wir liefern KOH (44 %) in VLSI-Qualität, also in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt KOH Solution 44% (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt KOH Solution 44% (VLSI) deutsch
Specs:
Technische Daten KOH Solution 44% (VLSI)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TMAH 25% - 2,50 l - VLSI - EVE/EUD!
TTMV1025
TMAH
Tetramethylammoniumhydroxid
Allgemeine Informationen
TMAH wird hauptsächlich für das anisotrope Ätzen von Silizium verwendet, wenn eine metallionenfreie Verarbeitung erforderlich ist.
TMAH(25%) ist in VLSI-Qualität erhältlich, was den üblichen Reinheitsgraden entspricht, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TMAH 25 % (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt TMAH 25 % (VLSI) deutsch
Specs:
Technische Daten TMAH 25 % (VLSI)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Remover
AZ 100 Remover - 5,00 l
1000100
AZ® 100 Remover
Universal Fotolack Stripper
Allgemeine Informationen
AZ®100 Remover basiert auf Lösungsmittel und Amin (alkalisch). AZ®100 Remover wird zum Fotolack Abbeizen mit geringem Angriff auf Aluminium verwendet. Die geringe Gefährdung wird durch die Verwendung von Ethanol-Amin erreicht.
Die niedrige Verdampfungsrate ermöglicht den Einsatz bei erhöhten Temperaturen (bis zu 80°C), die hohe Effizienz (>3000 Wafer pro Liter) hilft Kosten zu sparen. Wenn ein Angriff auf Aluminium kein Problem darstellt, kann es sogar mit Wasser verdünnt werden.
AZ®100 Remover ist nicht kompatibel mit AZ® nLof 2070 (AZ® nLof 2000 Serie) und anderen stark vernetzten Resistenzen.
Produkteigenschaften
Dichte (bei 25°C): 0.955 kg/l
Farbe (Alpha): max. 20
Flammpunkt (AP): 72°C
Normalität (potentiometrisch): 3.1 mol/l
Siedebereich: 159-194°C
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 100 Remover englisch
Anwendungshinweise:
Fotolack entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch