MC-Dip-Coating Resist - 5.00 l
MicroChemicals GmbH
MC Dip Coating Resist is a positive tone optimized for Dip Coating application.
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Produktnummer:
1dip050
Hersteller:
MicroChemicals GmbH
Produktinformationen "MC-Dip-Coating Resist - 5.00 l"
MC-Dip-Coating Resist
Resist für Tauchbeschichtung
Allgemeine Informationen
Das MC Dip Coating Resist ist ein positiv getöntes, gebrauchsfertiges (fertig verdünntes), kostengünstiges Resist, das für die Tauchbeschichtung mit verbesserter großflächiger Resist Schichtdickenhomogenität optimiert ist.
Produkt-Eigenschaften
MC Dip Coating Resist ist ein kostengünstiger, gebrauchsfertiger (fertig verdünnter) Positivton Resist, der für die Tauchbeschichtung mit verbesserter großflächiger Resist Schichtdickenhomogenität optimiert ist. Sein Farbstoff ermöglicht eine schnelle und einfache visuelle Überprüfung der Beschichtungsleistung. Der erreichbare Resist Schichtdickenbereich liegt bei ca. 2 - 10 µm bei einer Zuggeschwindigkeit von 3 - 15 mm/s. MC Dip Coating Resist enthält zwei Lösungsmittel: Das niedrig siedende MEK bewirkt eine schnelle Vortrocknung des Resist Films und verhindert so, dass Resist zum Boden des zu beschichtenden Substrats (Platten) fließt. Das hochsiedende (= langsam verdampfende) PGMEA sorgt für eine sehr glatte Resist Filmoberfläche.
Tauchbeschichtung
Für eine hohe Homogenität der Beschichtung wird eine Zuggeschwindigkeit von 5 - 8 mm/s empfohlen. Zwischen den Tauchbeschichtungsschritten empfiehlt es sich, den Tank abzudecken, um die Verdunstung von MEK und die Einbindung von Partikeln in die Flüssigkeit zu verhindern Resist. Nach der Beschichtung sollte der Resist Film einige Minuten bei Raumtemperatur ruhen, damit er sich glätten kann.
Developer
Wir empfehlen die Developer AZ® Developer , AZ® 400K und AZ® 351B. Möglich sind auch einfache NaOH, KOH und TMAH Lösungen.
Resist Ablösen
Alkalische Abbeizmittel wie AZ® 100 Remover, oder eine ca. 3 %ige wässrige KOH- oder NaOH-Lösung sind geeignet. Viele organische Lösungsmittel eignen sich auch für die Entfernung Fotolack.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt MC Dip Coating Resist englisch
Sicherheitsdatenblatt MC Dip Coating Resist deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt MC Dip Coating Resist englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
| Chemically amplified: | no |
|---|---|
| Film thickness: | 2 – 10 µm |
| Film thickness range: | medium (1.6 - 5.0µm), thick (> 5.1µm) |
| High thermal stability: | no |
| Mode: | positive |
| Optimized for: | dip coating, wet etching |
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Sprühlack
Allgemeine Informationen
AZ® 4999 ist eine hochtransparente Fotolack Sprühbeschichtung, die speziell für spezielle Sprühbeschichtungsanlagen (z. B. SÜSS Delta AltaSpray) entwickelt wurde, um fehlerfreie und gleichmäßige Beschichtungen auf Geräten mit schwieriger Topografie zu erzielen. Dicke (einige bis mehrere zehn Mikrometer) und gleichmäßige Resist Beschichtungen werden auf Topografien wie V-Nuten und Gräben mit optimaler Abdeckung von scharfen Kanten erzielt. Es gibt keine Anhäufung von Resist in Gräben. Die Verwendung von AZ® 4999 Fotolack ermöglicht eine hohe Reproduzierbarkeit in der Massenproduktion.
Produkteigenschaften
Viskosität (bei 25°C): 0.52 cSt
Feststoffgehalt: 4%
Absorptionsvermögen bei 398 nm: 0.1 l/(g*cm)
Spektrale Empfindlichkeit: 310 nm - 440 nm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich das KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir das TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4999 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4999 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 4999 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 1505 Photoresist - 3.785 l
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AZ® 1505
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich. Die hohe Auflösung und Haftung der AZ® 1505 machen diese Resist zu einer häufig verwendeten Resist Maske für das Cr-Ätzen in der Fotomaskenproduktion.
Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 500 nm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 400 - 800 nm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden.
Produkteigenschaften
Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Hohe Entwicklungsrate
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 0,4 - 0,8 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte **AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 1512 HS Photoresist - 3.785 l
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AZ® 1512 HS
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich.
Die sehr hohe photoaktive Wirkstoffkonzentration des AZ® 1512 HS maximiert den Resist Kontrast (sehr hohe Entwicklungsrate, minimierter Dunkelabtrag).
Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 1,2 µm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 1,0 - 1,8 µm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden.
Produkteigenschaften
Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Hohe Entwicklungsrate
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1,0 - 1,8 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir das TMAH-basierte AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 1514 H Photoresist - 3.785 l
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Bottle size:
3.785 l
AZ® 1514H
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich.
Ein spezielles Harz verbessert die Resist Haftung auf den meisten gängigen (metallischen) Substraten weiter. Resist Schichtdicke bei 4000 U/min ca. 1,4 µm, über Variationen der Schleuderdrehzahl sind ca. 1,1 - 2 µm erreichbar.
Produkteigenschaften
Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Hohe Entwicklungsrate
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1,1 µm - 2,0 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte **AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ ECI 3007 Photoresist - 3.785 l
1A003007
Bottle size:
3.785 l
AZ® ECI 3007
Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster
Allgemeine Informationen
Die AZ® ECI 3000 Serie ist eine moderne, hochmoderne Positivserie Resist. Sowohl das Auflösungspotenzial als auch die Prozessstabilität ermöglichen Strukturgrößen, die nahe am theoretischen Minimum liegen, das mit breitbandigen (nicht-DUV) Resists erreicht werden kann.
AZ® ECI 3000 Resists sind aufgrund ihrer guten Haftung und thermischen Stabilität sowohl für nass- als auch für trockenchemische Prozesse geeignet. Die Resist sind in den drei Viskositätsklassen AZ® ECI 3007 (0,7 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® ECI 3012 (1,2 µm) und AZ® ECI 3027 (2,7 µm) erhältlich.
Das sehr hohe Auflösungspotenzial ermöglicht laterale Strukturgrößen bis hinunter zu 300 nm und eröffnet ein vergleichsweise großes und stabiles Prozessfenster bei niedrigeren Auflösungsanforderungen. Diese Resists können mit NaOH, KOH oder TMAH entwickelt werden Developer.
Produkteigenschaften
Sehr hohe Auflösung
Optimierte Resist -Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 0,5 - 1 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich der AZ® 351B auf NaOH-Basis in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten
Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3007 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3007 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ ECI 3012 Photoresist - 3.785 l
1A003012
Bottle size:
3.785 l
AZ® ECI 3012
Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster
Allgemeine Informationen
Die AZ® ECI 3000 Serie ist eine moderne, hochmoderne Positivserie Resist. Sowohl das Auflösungspotenzial als auch die Prozessstabilität ermöglichen Strukturgrößen, die nahe am theoretischen Minimum liegen, das mit breitbandigen (nicht-DUV) Resists erreicht werden kann.
AZ® ECI 3000 Resists sind aufgrund ihrer guten Haftung und thermischen Stabilität sowohl für nass- als auch für trockenchemische Prozesse geeignet. Die Resist sind in den drei Viskositätsklassen AZ® ECI 3007 (0,7 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® ECI 3012 (1,2 µm) und AZ® ECI 3027 (2,7 µm) erhältlich.
Das sehr hohe Auflösungspotenzial ermöglicht laterale Strukturgrößen bis hinunter zu 300 nm und eröffnet ein vergleichsweise großes und stabiles Prozessfenster bei niedrigeren Auflösungsanforderungen. Diese Resists können mit NaOH, KOH oder TMAH entwickelt werden Developer.
*450 nm Resist Linien mit dem AZ® ECI 3012 bei einer Schichtdicke von ca. 1,2 µm.
Produkt-Eigenschaften
Sehr hohe Auflösung
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Steile Resist Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation
-Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrig-alkalisch)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 0,9 - 1,5 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten
Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack englisch
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie deutsch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ ECI 3027 Photoresist - 3.785 l
1A003027
Bottle size:
3.785 l
AZ® ECI 3027
Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster
Allgemeine Informationen
Die AZ® ECI 3000 Serie ist eine moderne, hochmoderne Positivserie Resist. Sowohl das Auflösungspotenzial als auch die Prozessstabilität ermöglichen Strukturgrößen, die nahe am theoretischen Minimum liegen, das mit breitbandigen (nicht-DUV) Resists erreicht werden kann.
AZ® ECI 3000 Resists sind aufgrund ihrer guten Haftung und thermischen Stabilität sowohl für nass- als auch für trockenchemische Prozesse geeignet. Die Resist sind in den drei Viskositätsklassen AZ® ECI 3007 (0,7 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® ECI 3012 (1,2 µm) und AZ® ECI 3027 (2,7 µm) erhältlich.
Das sehr hohe Auflösungspotenzial ermöglicht laterale Strukturgrößen bis hinunter zu 300 nm und eröffnet ein vergleichsweise großes und stabiles Prozessfenster bei niedrigeren Auflösungsanforderungen. Diese Resists können mit NaOH, KOH oder TMAH entwickelt werden Developer.
900 nm Resist Linien mit dem AZ® ECI 3027 bei ca. 2,7 µm Resist Schichtdicke.
Produkt-Eigenschaften
Sehr hohe Auflösung
Optimierte Resist -Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 2 - 3,5 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich der AZ® 351B auf NaOH-Basis in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten
Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3027 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3027 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ MIR 701 Fotolack (11 CPS) - 3.785 l
1007011
AZ® MIR 701 (11CPS)
Hohe Auflösung und Temperaturstabilität
Allgemeine Informationen
AZ® 701 MIR Serie für 0,7 - 3,0 µm Resist Schichtdicke (g-, h- und I-Linie) Als thermisch stabiles (Erweichungspunkt > 130°C), hochauflösendes Positiv Resist ist das AZ® 701 MIR (11CPS) besonders für das trockenchemische Ätzen von feinen bis sehr feinen Strukturen optimiert. Dieses Resist kann leicht weiter verdünnt werden, um noch bessere Auflösungen zu erreichen, zum Beispiel bei Anwendungen der Laser-Interferenz-Lithografie. Wir verkaufen dieses Resist in zwei verschiedenen Viskositäten von 11CPS, 14CPS und 29CPS. Es kann mit herkömmlichem NaOH, KOH oder TMAH verwendet werden Developer.
300 nm Resist Linien, die mit dem AZ® 701 MIR
1.2µm Struktur nach 130°C Hardbake
Produkteigenschaften
Sehr hohe Auflösung, für 0,5 µm und 0,35 µm Technologieknoten
Hohe thermische Stabilität
Hervorragender Prozessspielraum sowohl für Linien-/Raum- als auch für Ganzkontaktanwendungen
Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich AZ® MIR 701 (11CPS): ca. 0,6 - 1,0 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, ist die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für Resist Filmdicken und Auflösungen < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) eine geeignete Developer.
Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung und sehr dünne Resist Schichten - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 oder AZ® Remover 920.
Ausdünnung/Randstreifenentfernung
Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (11CPS) Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (11CPS) Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® MIR 701 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ MIR 701 Photoresist (14 CPS) - 3.785 l
10070114
Bottle size:
3.785 l
AZ® MIR 701 (14CPS)
Hohe Auflösung und Temperaturstabilität
Allgemeine Informationen
AZ® 701 MIR Serie für 0,7 - 3,0 µm Resist Schichtdicke (g-, h- und I-Linie)
Als thermisch stabiles (Erweichungspunkt > 130°C), hochauflösendes Positiv Resist ist das AZ® 701 MIR (14CPS) besonders für das trockenchemische Ätzen von feinen bis sehr feinen Strukturen optimiert. Dieses Resist kann leicht weiter verdünnt werden, um noch bessere Auflösungen zu erreichen, zum Beispiel bei Anwendungen der Laser-Interferenz-Lithografie. Wir verkaufen dieses Resist in drei verschiedenen Viskositäten von 11CPS, 14CPS und 29CPS. Es kann mit herkömmlichem NaOH, KOH oder TMAH verwendet werden Developer.
300 nm Resist Linien, die mit dem AZ® 701 MIR
1.2µm Struktur nach 130°C Hardbake
Produkteigenschaften
Sehr hohe Auflösung, für 0,5 µm und 0,35 µm Technologieknoten
Hohe thermische Stabilität
Hervorragender Prozessspielraum sowohl für Linien-/Raum- als auch für Ganzkontaktanwendungen
Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich AZ® MIR 701 (14CPS): ca. 0,6 - 1,1 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, ist die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für Resist Filmdicken und Auflösungen < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) eine geeignete Developer.
Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung und sehr dünne Resist Schichten - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 oder AZ® Remover 920.
Ausdünnung/Randstreifenentfernung
Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (14CPS) Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (14CPS) Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® MIR 701 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ MIR 701 Photoresist (29 CPS) - 3.785 l
10070129
Bottle size:
3.785 l
AZ® MIR 701 (29CPS)
Hohe Auflösung und Temperaturstabilität
Allgemeine Informationen
AZ® 701 MIR Serie für 0,7 - 3,0 µm Resist Schichtdicke (g-, h- und I-Linie) Als thermisch stabiles (Erweichungspunkt > 130°C), hochauflösendes Positiv Resist ist das AZ® 701 MIR (29CPS) besonders für das trockenchemische Ätzen von feinen bis sehr feinen Strukturen optimiert. Dieses Resist kann leicht weiter verdünnt werden, um noch bessere Auflösungen zu erreichen, zum Beispiel bei Anwendungen der Laser-Interferenz-Lithografie. Wir verkaufen dieses Resist in zwei verschiedenen Viskositäten von 11CPS, 14CPS und 29CPS. Es kann mit herkömmlichem NaOH, KOH oder TMAH verwendet werden Developer.
300 nm Resist Linien, die mit dem AZ® 701 MIR
1.2µm Struktur nach 130°C Hardbake
Produkteigenschaften
Sehr hohe Auflösung, für 0,5 µm und 0,35 µm Technologieknoten
Hohe thermische Stabilität
Hervorragender Prozessspielraum sowohl für Linien-/Raum- als auch für Ganzkontaktanwendungen
Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich AZ® MIR 701 (29CPS): ca. 1,2 - 2,5 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, ist die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für Resist Filmdicken und Auflösungen < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) eine geeignete Developer.
Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung und sehr dünne Resist Schichten - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 oder AZ® Remover 920.
Ausdünnung/Randstreifenentfernung
Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (29CPS) Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (29CPS) Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Merkblatt AZ® MIR 701 (29CPS) englisch
Technisches Datenblatt AZ® MIR 701 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ TFP-650F5 (15CP) Photoresist - 3.785 l
34000511
AZ® TFP 650
Flat Panel Display Fotolack
Allgemeine Informationen
Die AZ® TFP 650 F5 Resist eignet sich für Spin-Coat- und Extrusions-Coat-Anwendungen mit hervorragenden Haftungsanforderungen und/oder rauen Ätzbedingungen. Sie wurde entwickelt, um die Anforderungen der Flachbildschirmindustrie zu erfüllen. Sie sind speziell für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert, darunter Spin Coat, Extrusion Coat und Roller Coat. Diese produktionserprobten Photoresists können mit einer Vielzahl von Developer und Entfernern verwendet werden und sind so formuliert, dass sie mit den darunter liegenden Schichten kompatibel sind.
Produkt-Eigenschaften
Sehr hohe Fotogeschwindigkeit
Geringer Verlust des dunklen Films
Optimierte Resist Haftung
Leichtes Entfernen nach dem Hardbake
Hohe Beständigkeit gegen scharfe Ätzmittel
Kompatibel mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1 - 2 µm
Developer
Wir empfehlen den TMAH-basierten AZ® 726 MIF oder AZ® 326 MIF (dieser enthält Tenside).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Folien können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir NMP-freie wie AZ® 920 Remover oder TechniStrip P1316 als Remover.
Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten
Wir empfehlen für das Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® TFP 650 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® TFP 650 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® TFP 650 englisch
Informationen AZ® TFP 650 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 1518 Photoresist - 3.785 l
1A001518
Bottle size:
3.785 l
AZ® 1518
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich.
Die erhöhte Resist Schichtdicke des AZ® 1518 verbessert die Stabilität der Resist Maske für Nassätzprozesse.
Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 1,8 µm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 1,5 - 3,0 µm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden.
Produkteigenschaften
Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Hohe Entwicklungsrate
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1,5 µm - 3,0 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
Entwickler
AZ Developer - 5.00 l
1000001
AZ® Developer
Anorganisch Developer
Allgemeine Informationen
AZ® Developer ist für einen minimalen Al-Angriff optimiert. Es ist eine geruchlose, wässrige, anorganische, alkalische Lösung, die mit Batch- und Inline-Entwicklungsprozessen kompatibel ist. Sie wird in der Regel 1:1 in DI-H2O verdünnt angewendet, um einen hohen Kontrast zu erzielen, oder unverdünnt, um eine hohe Entwicklungsrate zu erreichen. Der Dunkelabtrag von AZ® Developer ist im Vergleich zu anderen Developer etwas höher. AZ® Developer kann in Kombination mit den meisten AZ® Fotolacken verwendet werden (d.h. AZ® 1500, AZ® ECI3000 und AZ® 4500 oder AZ® PL177). AZ® Developer weist von allen AZ® Developer - Typen die niedrigste Aluminium-Ätzrate auf (sie ist mehr oder weniger gleich Null!) und ist ideal für Metallebenen.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® Developer deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® Developer englisch
Anwendungshinweise:
Entwicklung von Fotolack englisch
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 400 K Developer - 5,00 l
1000400
AZ® 400K Developer
Anorganisch Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 400K MIC basiert auf gepufferter KOH und wird in der Regel in einer Verdünnung von 1:3 bis 1:4 (1 Teil Konzentrat und 4 Teile VE-Wasser) verwendet. Es eignet sich besonders für unsere dickeren Resist Typen, wie AZ® 4562, AZ® 10XT und AZ® 40XT. Zusätzlich zum Konzentrat ist jetzt auch eine vorverdünnte AZ® 400K 1:4 Version erhältlich, andere Verdünnungsverhältnisse auf Anfrage.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 400K Developer englisch
Informationen AZ® 400K Developer englisch
Anwendungshinweise:
Entwicklung von Fotolack english
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 351 B Developer - 5.00 l
1000351
AZ® 351B Developer
Anorganisch Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 351B Developer basiert auf gepuffertem NaOH und wird normalerweise in einer 1:3 bis 1:4 Verdünnung (1 Teil Konzentrat und 4 Teile VE-Wasser) verwendet. die 1:3-Verdünnung ist die Hochgeschwindigkeitslösung, während die 1:4-Verdünnung für eine Hochkontrastlösung verwendet wird. Es kann besonders für unsere dünneren Resist Typen verwendet werden, wie z.B. AZ® 1500 Serie Resists oder Bildumkehrresists wie AZ® 5200E Resist Serie.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 351B Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 351B Entwickler deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 351B Developer englisch
Anwendungshinweise:
Entwicklung von Fotolack english
Entwicklung von Fotolack deutsch
KOH 44% - 2,50 l - VLSI
TKOV1025
KOH
Kaliumhydroxid
Allgemeine Informationen
KOH wird hauptsächlich zum anisotropen Ätzen von Silizium verwendet.
Wir liefern KOH (44 %) in VLSI-Qualität, also in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt KOH Solution 44% (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt KOH Solution 44% (VLSI) deutsch
Specs:
Technische Daten KOH Solution 44% (VLSI)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TMAH 25% - 2,50 l - VLSI - EVE/EUD!
TTMV1025
TMAH
Tetramethylammoniumhydroxid
Allgemeine Informationen
TMAH wird hauptsächlich für das anisotrope Ätzen von Silizium verwendet, wenn eine metallionenfreie Verarbeitung erforderlich ist.
TMAH(25%) ist in VLSI-Qualität erhältlich, was den üblichen Reinheitsgraden entspricht, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TMAH 25 % (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt TMAH 25 % (VLSI) deutsch
Specs:
Technische Daten TMAH 25 % (VLSI)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Remover
AZ 100 Remover - 5,00 l
1000100
AZ® 100 Remover
Universal Fotolack Stripper
Allgemeine Informationen
AZ®100 Remover basiert auf Lösungsmittel und Amin (alkalisch). AZ®100 Remover wird zum Fotolack Abbeizen mit geringem Angriff auf Aluminium verwendet. Die geringe Gefährdung wird durch die Verwendung von Ethanol-Amin erreicht.
Die niedrige Verdampfungsrate ermöglicht den Einsatz bei erhöhten Temperaturen (bis zu 80°C), die hohe Effizienz (>3000 Wafer pro Liter) hilft Kosten zu sparen. Wenn ein Angriff auf Aluminium kein Problem darstellt, kann es sogar mit Wasser verdünnt werden.
AZ®100 Remover ist nicht kompatibel mit AZ® nLof 2070 (AZ® nLof 2000 Serie) und anderen stark vernetzten Resistenzen.
Produkteigenschaften
Dichte (bei 25°C): 0.955 kg/l
Farbe (Alpha): max. 20
Flammpunkt (AP): 72°C
Normalität (potentiometrisch): 3.1 mol/l
Siedebereich: 159-194°C
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 100 Remover englisch
Anwendungshinweise:
Fotolack entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch