Fluorwasserstoffsäure EVE 10% - 2,50 l - VLSI - EVE/EUD!
TECHNIC France
Hydrofluoric Acid is mainly used for etching glasses, quartz and SiO2 films.
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Produktnummer:
TAHV1025
Hersteller:
TECHNIC France
Produktinformationen "Fluorwasserstoffsäure EVE 10% - 2,50 l - VLSI - EVE/EUD!"
Fluorwasserstoffsäure
HF
Allgemeine Informationen
Flusssäure wird hauptsächlich zum Ätzen von Gläsern, Quarz und SiO2-Filmen sowie (gemischt mit HNO3) zum isotropen Ätzen von Silizium verwendet. Wir liefern Flusssäure (1 %, 10 % und 50 %) in VLSI-Qualität, d.h. in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 1% (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 1% (VLSI) deutsch
Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 10% (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt Hydrofluoric Acid 10% (VLSI) deutsch
Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 50% (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt Hydrofluoric Acid 50% (VLSI) deutsch
Technische Daten:
Technische Daten Fluorwasserstoffsäure 1% (VLSI)
Spezifikationen Flusssäure 10% (VLSI)
Specs Flusssäure 50% (VLSI)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
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BOE 7:1 (87,5 : 12,5) - 2.50 l - VLSI - EVE/EUD!
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BOE 7:1
Gepufferte Oxidätzung
Allgemeine Informationen
BOE wird hauptsächlich zum Ätzen von Gläsern, Quarz und SiO2-Filmen verwendet.
Wir liefern BOE 7:1=gepufferte Flusssäure (HF : NH4F=12,5 : 87,5%) in VLSI-Qualität, was den üblichen Reinheitsgraden entspricht, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden.
HINWEIS:
BOE muss über +12,5°C gelagert und transportiert werden. Unterhalb dieser kritischen Temperatur von 12,5°C bildet das Material Partikel (kleine Kristalle). Da diese Kristalle eine höhere Dichte haben, sammeln sie sich am Boden der Flasche an und werden erst dann wieder vollständig aufgelöst, wenn das Material einige Tage lang bei Temperaturen von 30 - 35°C gelagert wird. Nach dieser Prozedur sollten die Kristalle wieder vollständig aufgelöst sein und die BOE kann dann ohne Einschränkungen verwendet werden.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt BOE 7:1 (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt BOE 7:1 (VLSI) deutsch
Specs:
Technische Daten BOE 7:1 (VLSI)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
Essigsäure 100 % - 2,50 l - VLSI
TESV1025
Essigsäure
CH3COOH
Allgemeine Informationen
Essigsäure ist als Tensid und Puffer ein häufig verwendetes Additiv für verschiedene Ätzmischungen.
Wir liefern Essigsäure (99 %) in VLSI-Qualität, also in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Essigsäure (VLSI) 100 % englisch
Sicherheitsdatenblatt Essigsäure (VLSI) 100 % deutsch
Datenblätter:
Specs Essigsäure (VLSI) 100 %
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisch Ätzen deutsch
Phosphorsäure 85% - 2,50 l - (VLSI)
TPHV1025
Phosphorsäure
H3PO4
Allgemeine Informationen
Phosphorsäure, gemischt mit HNO3, ist ein Bestandteil vieler Ätzmischungen, z.B. für Aluminium und viele andere Metalle.
Wir liefern Phosphorsäure (85%) in VLSI-Qualität, d.h. in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Phosphoric Acid 85% (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt Phosphorsäure 85% (VLSI) deutsch
Technische Daten:
Technische Daten Phosphorsäure 85% (VLSI)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
Salpetersäure 69,5% - 2,50 l - (VLSI) - PERSO+EVE/EUD!
TSAV1025
Salpetersäure
HNO3
Allgemeine Informationen
Salpetersäure ist das Oxidationsmittel vieler Ätzmischungen für z.B. Silber, Kupfer, Aluminium, Silizium, Germanium und (zusammen mit HCl als Königswasser) Gold.
Wir liefern Salpetersäure (69%) in VLSI-Qualität, den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Salpetersäure 69,5% (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt Salpetersäure 69,5% (VLSI) deutsch
Technische Daten:
Technische Daten Salpetersäure 69,5% (VLSI)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen deutsch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
Salzsäure 37% - 2,50 l - VLSI - EVE/EUD!
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Salzsäure (Hydrochloric Acid)
HCI
Allgemeine Informationen
Salzsäure ist ein Bestandteil verschiedener Ätzmischungen für z.B. ITO, Silber und (zusammen mit HNO3 als Königswasser) Gold. HCl eignet sich zum Entfernen von Oxidschichten auf vielen Metallen.
Unsere Salzsäure (37%) ist in VLSI-Qualität erhältlich, also in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden.
HINWEIS:
HCl (Chlorwasserstoff), ist ein Gas, das sich sehr gut in Wasser löst und in gelöster Form Salzsäure bildet. Mit einer molaren Masse von 36 g / mol ist Chlorwasserstoff ein sehr kleines Molekül, was bedeutet, dass es sehr gut durch Polymere diffundieren kann. Aus Gründen der Reinheit wird die Salzsäure in HD-PE-Polymerflaschen abgefüllt. Um die Flaschen vor Partikeln und Verunreinigungen zu schützen, werden diese Flaschen (die für die Verwendung in Reinräumen vorgesehen sind) in Plastikbeutel verpackt. Im Laufe der Lagerung diffundiert der Chlorwasserstoff jedoch durch die Wand der Flasche, die aus Polymer besteht, und sammelt sich in dem Folienbeutel. Dort befindet sich Luft, die nicht nur Kohlendioxid, sondern auch Wasserdampf enthält und mit dem Chlorwasserstoff reagieren kann, wodurch sich entweder ein weißer Staub oder feine Tröpfchen im Folienbeutel befinden können. Das passiert während der Lagerung, auch wenn die Flaschen nicht das geringste Leck haben. Dieser weiße Staub oder die möglichen feinen Tröpfchen sind der Grund dafür, dass die 37%ige Chlorwasserstoffsäure, anders als z.B. Schwefelsäure desselben Reinheitsgrades, nicht 3 Jahre, sondern nur 1 Jahr "haltbar" ist. Es ist also nicht der Grund, dass die Säure ihre Reinheit oder ihre Eigenschaften nicht beibehalten würde, sondern das Etikett und auch die Flaschen oder Folienbeutel werden im Laufe der Lagerung zunehmend von dem oben beschriebenen Problem betroffen.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Salzsäure 37% (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt Salzsäure 37% (VLSI) deutsch
Specs:
Technische Daten Salzsäure 37% (VLSI)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
Schwefelsäure 96% - 2,50 l - VLSI - PERSO+EVE/EUD!
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Schwefelsäure
H2SO4
Allgemeine Informationen
Ein Gemisch aus Schwefelsäure und H2O2 ist ein leistungsfähiges Stripper für organische Verunreinigungen oder Rückstände auf Substraten.
Wir liefern Schwefelsäure (96%) in VLSI-Qualität, das sind die üblichen Reinheitsgrade, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Sulfuric Acid 96% (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt Sulfuric Acid 96% (VLSI) deutsch
Specs:
Technische Daten Sulfuric Acid 96% (VLSI)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen deutsch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
Hydrogen peroxide 30% - 2.50 l - VLSI - PERSO+EVE/EUD!
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Wasserstoffperoxid
H2O2
Allgemeine Informationen
H2O2 ist ein Bestandteil der Piranha-etch, RCA-1 und RCA-2 Ätzlösungen, sowie Ätzlösungen für verschiedene III/V-Halbleiter.
H2O2 (30%) ist in VLSI-Qualität erhältlich, was den üblichen Reinheitsgraden entspricht, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Hydrogen Peroxide 30% (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt Wasserstoffperoxid 30% (VLSI) deutsch
Technische Daten:
Technische Daten Wasserstoffperoxid 30 % (VLSI)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung