FZ Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP
Prime Si + SiO2 (wet) (300 nm) wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
74,00 €*
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| Bis 9 |
69,20 €*
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| Bis 24 |
63,60 €*
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| Bis 49 |
58,00 €*
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| Bis 99 |
54,00 €*
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| Ab 100 |
50,00 €*
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Produktnummer:
WWD40525250X1618S301
Produktinformationen "FZ Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP"
Prime FZ Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, TTV < 10 µm, intrinsic (undoped) 1000 - 100000 Ohm cm, 300 nm thermal SiO2 dry/wet/dry
| Diameter (round): | 4 inch |
|---|---|
| Material: | Si + SiO2 (wet) (300 nm) |
| Orientation: | 100 |
| Quality: | Prime |
| Resistivity: | > 10000 Ohm cm |
| SiO2 thickness: | 201 - 300 nm |
| Surface: | 1-side polished |
| Thickness: | 501 - 700 µm |