Cu etch 150 - 5.00 l - ready to use

NB Technologies GmbH

Cu etch 150 is an alkaline etchant for Cu and is used for the wet-chemical removal of Cu layers.

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Produktnummer: nbtcue150rtu5

Hersteller: NB Technologies GmbH

Produktinformationen "Cu etch 150 - 5.00 l - ready to use"

Cu-Ätzmittel 150

Kupfer Ätzmittel

Allgemeine Informationen

Cu etch 150 ist ein alkalisches Ätzmittel für Cu und wird für die nasschemische Entfernung von Cu-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Ni, Au, Cr, Sn, Ti verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterfertigung oder die Mikrosystemtechnik.

Produkteigenschaften

Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden
Erhältlich in verschiedenen Reinheitsgraden
Kompatibel mit Resist Maskierung
Verwendung bei Raumtemperatur

Selektivität

Cu etch 150 ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien:

Resists: gängiger Novolak als Maskierung Resist (z.B. AZ^® Photoresist)
Metalle: kein Angriff auf Ni, Au, Cr, Sn, Ti, Pt, Ta
Metalle: greift Cu, TiW, Ag, Zn an
Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4

Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.

Ätzrate

Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei 100 bis 150 nm/min (bei RT). Die gemischte Ätzlösung ist nicht langzeitstabil (Mischung aus zwei Komponenten), kann aber je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat.

Weitere Informationen

MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Cu etch 150 englisch
Sicherheitsdatenblatt Cu etch 150 deutsch

TDS:
Technisches Datenblatt Cu etch 150 englisch
Technisches Datenblatt Cu etch 150 deutsch

Anwendungshinweise:
Nasschemisches Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Nasschemisches Ätzen von Metallen englisch
Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch

Weitere Informationen zur Verarbeitung

Resist compatible:	yes
Selectivity (attacked):	Ag, Cu, TiW, Zn
Selectivity (no attack on):	Au, Cr, Ni, Pt, Sn, Ta, Ti
Semiconductor materials:	Si, SiO2, Si3N4

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Cu etch 100 - 5.00 l - ready to use

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Bottle size: 5.00 l

Cu-Ätzmittel 100 Kupfer Ätzmittel Allgemeine Informationen Cu etch 100 ist ein alkalisches Ätzmittel für Cu und wird für die nasschemische Entfernung von Cu-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Ni, Au, Cr, Sn, Ti verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterfertigung oder die Mikrosystemtechnik. Produkteigenschaften Hohe Ätzrate und Unterätzungsrate mit Cu als Opferschicht Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden Erhältlich in verschiedenen Reinheitsgraden Kompatibel mit Resist masking Verwendung bei Raumtemperatur Selektivität Cu etch 100 ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien: Resists: gängiger Novolak als Maskierung Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Ni, Au, Cr, Sn, Ti, Pt, Ta Metalle: greift Cu, TiW, Ag, Zn an Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei 3 bis 3,5 µm/min (bei RT). Die gemischte Ätzlösung ist auf Dauer nicht stabil (Mischung aus zwei Komponenten), kann aber je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Cu etch 100 englisch Sicherheitsdatenblatt Cu etch 100 deutsch TDS: Technisches Datenblatt Cu etch 100 englisch Technisches Datenblatt Cu etch 100 deutsch Anwendungshinweise: Nasschemisches Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasschemisches von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

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Cu etch 200 UBM - 5.00 l

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Cu-Ätzmittel 200 UBM Kupfer Ätzmittel Allgemeine Informationen Cu etch 200 UBM ist ein leicht alkalisches Ätzmittel für Cu und wird für die nasschemische Entfernung von Cu-Keimschichten mit Selektivität für Metalle wie Ni, Au, Cr, Sn, Ti, Al verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterfertigung oder die Mikrosystemtechnik, insbesondere für die Entfernung von Keimschichten nach der Beschichtung der Under-Bump-Metallisierung (UBM). Produkteigenschaften Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden Sehr geringer Dimensionsverlust In verschiedenen Reinheitsgraden erhältlich Kompatibel mit Resist Maskierung Verwendung bei Raumtemperatur Selektivität Cu etch 200 UBM ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien: Resists: gängiger Novolak als Maskierung Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Ni, Au, Cr, Sn, Ti, Al, Pt Metalle: Angriff auf Cu, Ag Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei 200 bis 250 nm/min (bei RT). Die Ätzlösung ist zeitlich stabil und kann je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Cu etch 200 englisch Sicherheitsdatenblatt Cu etch 200 deutsch TDS: Technisches Datenblatt Cu etch 200 englisch Technisches Datenblatt Cu etch 200 deutsch Anwendungshinweise: Nasschemisches Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasschemisches Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

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TechniEtch™ ACI2 Gold Ätzmittel Allgemeine Informationen TechniEtch™ ACI2 ist ein hochwirksames und selektives Gold-Ätzmittel Stripper. TechniEtch™ ACI2 ist ein Gold-Ätzmittel auf Jodbasis, das spezielle Zusätze enthält, die die Stabilität und die Fähigkeit zur Metallbeladung im Vergleich zu herkömmlichen Lösungen auf I2/I3-Basis erheblich verbessern. Produkteigenschaften Hohe Ätzrate bei Raumtemperatur Niedrige Oberflächenspannung für verbesserte Benetzungseigenschaften Hohe Stabilität auch bei Metallverunreinigungen (Cu, Ni...). Beladung und Badlebensdauer unabhängig vom Cu-Verunreinigungsgrad der Lösung (bis zu 1 g/l) Erhöhte Beladungskapazität im Vergleich zu Standardlösungen auf I2/KI-Basis. Bessere Prozesskontrolle/Zuverlässigkeit. Geringe Toxizität im Vergleich zu Cyanid- und HF/HNO3-basierten Lösungen Selektivität TechniEtch™ ACI2 ist kompatibel/etwas selektiv für folgende Materialien: Metalle: kein Angriff auf Ni, Al, Ti, TiN Metalle: Angriff auf Au, Cu, Sn, Pt, W Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Kompatibilität sind Herstellerinformationen und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniEtch™ ACI2 (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniEtch™ ACI2 (VLSI) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniEtch™ ACI2 (VLSI) englisch Technische Daten: Spezifikationen TechniEtch™ ACI2 (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasses Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

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TechniEtch Al80 - 2,50 l - MOS

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TechniEtch Al80 Aluminium Ätzmittel Allgemeine Informationen TechniEtch Al80 ist eine gebrauchsfertige Ätzmischung auf Basis von Phosphorsäure, Salpetersäure und Essigsäure zum Ätzen von Aluminium. Unser Aluminiumätzmittel TechniEtch Al80 hat die Zusammensetzung H3PO4: HNO3: CH3COOH* : H2O=80% : 5% : 5% : 10% wird in MOS-Qualität geliefert. Produkt-Eigenschaften Hohe Ätzrate bei Raumtemperatur. Hohe Stabilität auch bei Metallverunreinigungen Beladung und Badlebensdauer hängen hauptsächlich von der Prozesstemperatur, dem Werkzeug und dem Extraktionsfluss ab Selektivität TechniEtch Al80 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien: Metalle: kein Angriff auf Au, Pt Metalle: Angriff auf Al Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerinformationen und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Al80 (MOS) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Al80 (MOS) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniEtch Al80 (MOS) englisch Technische Daten: Technische Daten TechniEtch Al80 (MOS) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasses Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

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TechniEtch™ CN10 Kupfer und Nickel Ätzmittel Allgemeine Informationen TechniEtch™CN10 ist ein Kupfer- und Nickelätzmittel, das eine Mischung aus Salpeter- und Phosphorsäure ist. Der Ätzprozess sollte mit einem Zusatz von 8-16 % Wasserstoffperoxid (30 %) durchgeführt werden. Bei 25° C beträgt die Ätzrate ca. 0,3-0,4 µm pro Minute. Ohne die Zugabe von Wasserstoffperoxid ist die Ätzrate deutlich geringer und weniger homogen. TechniEtch CN10 (90 s RT Cu-Kernentfernung) Produkteigenschaften Bessere Prozesskontrollierbarkeit/-zuverlässigkeit Hohe Stabilität auch bei Metallverunreinigungen Selektivität TechniEtch™CN10 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien: Metalle: kein Angriff auf Ti, TiN Metalle: Angriff auf Cu, Ni Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerinformationen und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniEtch™ CN10 (MOS) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniEtch™ CN10 (MOS) deutsch TDS: TF Technisches Datenblatt TechniEtch™ CN10 (MOS) englisch MC Technisches Datenblatt TechniEtch™ CN10 (MOS) englisch Mischen TechniEtch™ CN10 (MOS) englisch Technische Daten: Technische Daten TechniEtch™ CN10 (MOS) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasses Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

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TiW Etch 200 - 5.00 l

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TiW etch 200 Titan-Wolfram Ätzmittel Allgemeine Informationen TiW etch 200 wird als Ätzmittel für Titan verwendet - für die nasschemische Strukturierung von TiW-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Au, Pt, Ni, Cr. Übliche Anwendungen finden sich im Bereich der Halbleiter- oder Mikrosystemtechnik zum Ätzen von Haftschichten oder Diffusionsbarrieren. Produkteigenschaften Geringe Unterätzung (im Bereich der Schichtdicke), minimale Strukturgröße < 1µm Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden Kompatibel mit Resist masking Selektivität TiW etch 200 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien: Resists: gängige Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Au, Pt, Ni, Cr Metalle: greift TiW, Cu an Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei etwa 5 nm/min (bei Raumtemperatur). Die gemischte Ätzlösung ist über einen längeren Zeitraum stabil und kann je nach Anwendungsbedarf mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TiW etch 200 DE Sicherheitsdatenblatt TiW etch 200 DE TDS: Technisches Datenblatt TiW etch 200 DE Technisches Datenblatt TiW etch 200 DE Anwendungshinweise: Nasses Ätzen Nasschemisches Ätzen Nasses Ätzen von Metallen Nasschemisches Ätzen von Metallen Weitere Informationen zur Verarbeitung

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Wasserstoffperoxid H2O2 Allgemeine Informationen H2O2 ist ein Bestandteil der Piranha-etch, RCA-1 und RCA-2 Ätzlösungen, sowie Ätzlösungen für verschiedene III/V-Halbleiter. H2O2 (30%) ist in VLSI-Qualität erhältlich, was den üblichen Reinheitsgraden entspricht, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Hydrogen Peroxide 30% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Wasserstoffperoxid 30% (VLSI) deutsch Technische Daten: Technische Daten Wasserstoffperoxid 30 % (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung