CZ-Si wafer 4 inch 525 um (111) SSP B-doped
Prime CZ-Si wafer 525 µm 111
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
34,00 €*
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| Bis 9 |
24,30 €*
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| Bis 24 |
18,70 €*
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| Bis 49 |
14,10 €*
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| Bis 99 |
13,30 €*
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| Bis 299 |
12,50 €*
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| Ab 300 |
12,00 €*
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Lagerbestand:
798
Produktnummer:
WSF40525250B1314SNN2
Produktinformationen "CZ-Si wafer 4 inch 525 um (111) SSP B-doped"
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (111), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm