CZ-Si wafer 4 inch 525 um (111) DSP B-doped
Prime CZ-Si wafer 525 µm 111
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
40,00 €*
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| Bis 9 |
29,20 €*
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| Bis 24 |
23,60 €*
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| Bis 49 |
18,00 €*
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| Bis 99 |
17,00 €*
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| Ab 100 |
16,00 €*
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Lagerbestand:
238
Produktnummer:
WSC40525250B1213SNN1
Produktinformationen "CZ-Si wafer 4 inch 525 um (111) DSP B-doped"
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (111), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 0.1 - 1 Ohm cm