CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP P-doped
Prime CZ-Si wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
32,00 €*
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| Bis 9 |
26,00 €*
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| Bis 24 |
20,00 €*
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| Bis 49 |
14,20 €*
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| Bis 99 |
13,60 €*
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| Bis 199 |
12,80 €*
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| Ab 200 |
12,40 €*
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Lagerbestand:
294
Produktnummer:
WSD40525250P1112SNN1
Produktinformationen "CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP P-doped"
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor), TTV < 10 µm, 0.01 - 0.1 Ohm cm