CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
Prime CZ-Si wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
32,00 €*
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| Bis 9 |
26,00 €*
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| Bis 24 |
20,00 €*
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| Bis 49 |
14,00 €*
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| Bis 99 |
13,50 €*
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| Bis 299 |
13,20 €*
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| Ab 300 |
12,80 €*
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Lagerbestand:
361
Produktnummer:
WSD40525250B5314SNN1
Produktinformationen "CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped"
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 5 - 10 Ohm cm