CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
Prime CZ-Si wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
34,00 €*
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| Bis 9 |
26,00 €*
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| Bis 24 |
20,00 €*
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| Bis 49 |
14,60 €*
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| Bis 99 |
13,60 €*
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| Bis 199 |
12,80 €*
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| Bis 499 |
12,20 €*
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| Ab 500 |
11,80 €*
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Lagerbestand:
194
Produktnummer:
WSD40525250B1314SNN5
Produktinformationen "CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped"
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, Bow/Warp < 30 µm Laser-marking: B0001-xxxMSCC (xxx = 000 - 999, MS = vendor code, CC = check code), top of characters towards edge, Font SEMI OCR, height 1.0 +/- 0.025 mm, width 0.5 +/- 0.025 mm, spacing 0.875 +/- 0.025 mm, dot matrix density (W x H) 5x9, distance to edge 1.1 +/- 0.3 mm, laser mark depth < 50 µm, on front side in the middle of the long flat