CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
Prime CZ-Si wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
34,00 €*
|
| Bis 9 |
26,00 €*
|
| Bis 24 |
20,00 €*
|
| Bis 49 |
14,60 €*
|
| Bis 99 |
13,60 €*
|
| Bis 199 |
12,80 €*
|
| Bis 499 |
12,20 €*
|
| Ab 500 |
12,00 €*
|
Schicken Sie uns eine Anfrage bei Fragen zu Artikeln, zur Abnahmemenge, Lieferzeit oder bei einer Musteranfragen!
Lagerbestand:
45
Produktnummer:
WSD40525250B1314SNN4
Produktinformationen "CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped"
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm