CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
Prime CZ-Si wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
30,00 €*
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| Bis 9 |
24,00 €*
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| Bis 24 |
18,00 €*
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| Bis 49 |
13,20 €*
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| Bis 99 |
12,80 €*
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| Bis 199 |
12,20 €*
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| Bis 499 |
11,80 €*
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| Ab 500 |
11,20 €*
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Lagerbestand:
121
Produktnummer:
WSD40525205B1324SNN2
Produktinformationen "CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped"
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, 1 - 20 Ohm cm, Laser-marking on polished side: MC02-XXX (xxx = 000 ... 999)