CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
Prime CZ-Si wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 24 |
79,70 €*
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| Bis 49 |
66,90 €*
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| Ab 50 |
54,70 €*
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Lagerbestand:
2
Produktnummer:
MWCTI100BBYYYCCZZZ01
Produktinformationen "CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped"
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 10 - 20 Ohm cm, Flats: 2