CZ-Si wafer 4 inch 325 um (100) SSP B-doped
Prime CZ-Si wafer 325 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
38,00 €*
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| Bis 9 |
27,20 €*
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| Bis 24 |
21,60 €*
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| Bis 49 |
16,00 €*
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| Bis 99 |
15,00 €*
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| Bis 299 |
14,50 €*
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| Ab 300 |
14,00 €*
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Lagerbestand:
99
Produktnummer:
WSD40325250B1314SNN1
Produktinformationen "CZ-Si wafer 4 inch 325 um (100) SSP B-doped"
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 325 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm