CZ-Si wafer 4 inch 0525 µm (110), SSP,B-doped
Prime CZ-Si wafer 525 µm 110
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
54,00 €*
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| Bis 9 |
43,20 €*
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| Bis 24 |
37,60 €*
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| Bis 49 |
32,00 €*
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| Bis 99 |
28,00 €*
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| Bis 199 |
25,00 €*
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| Ab 200 |
23,00 €*
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Lagerbestand:
114
Produktnummer:
WSE40525250B1314SNN1
Produktinformationen "CZ-Si wafer 4 inch 0525 µm (110), SSP,B-doped"
Prime CZ-Si-Wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (110), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 2 SEMI Flats (Primary Flat @ [111], S Flat @ [111] 109.5° CW from PF)