CZ-Si wafer 2 inch 280 um (100) unpol. P-doped
Prime CZ-Si wafer 280 µm 100
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Produktnummer:
WSG20280250P1324SNN1
Produktinformationen "CZ-Si wafer 2 inch 280 um (100) unpol. P-doped"
Prime CZ-Si wafer 2 inch, thickness = 280 ± 25 µm, (100), unpolished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 1 - 20 Ohm cm
| Diameter (round): | 2 inch |
|---|---|
| Doping: | Phosphor |
| Material: | cz-si |
| Orientation: | 100 |
| Quality: | Prime |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| Surface: | unpolished |
| Thickness: | 201 - 300 µm |