CZ-Si wafer 1 inch 625 um (100) SSP B-doped
Prime CZ-Si wafer 625 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 49 |
6,20 €*
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| Bis 99 |
5,50 €*
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| Bis 199 |
4,50 €*
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| Bis 999 |
4,30 €*
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| Bis 9999 |
3,80 €*
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| Ab 10000 |
2,90 €*
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Produktnummer:
WSD10625250B1324XNN1
Produktinformationen "CZ-Si wafer 1 inch 625 um (100) SSP B-doped"
Prime CZ-Si wafer 1 inch, thickness = 625 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 20 Ohm cm, no Flat
| Diameter (round): | 1 inch |
|---|---|
| Material: | CZ-Si |
| Orientation: | 100 |
| Quality: | Prime |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| Surface: | 1-side polished |
| Thickness: | 501 - 700 µm |