CZ-Si wafer 1 inch 280 um (100) SSP B-doped
Prime CZ-Si wafer 280 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 49 |
6,00 €*
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| Bis 99 |
5,50 €*
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| Bis 199 |
5,00 €*
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| Bis 499 |
4,80 €*
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| Bis 999 |
4,40 €*
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| Ab 1000 |
4,00 €*
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Produktnummer:
WSD10280250B1051XNN1
Produktinformationen "CZ-Si wafer 1 inch 280 um (100) SSP B-doped"
Prime CZ-Si wafer 1 inch, thickness = 280 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 0.001 - 0.05 Ohm cm, no flat
| Diameter (round): | 1 inch |
|---|---|
| Material: | CZ-Si |
| Orientation: | 100 |
| Quality: | Prime |
| Resistivity: | 0 - 0.01 Ohm cm |
| Surface: | 1-side polished |
| Thickness: | 201 - 300 µm |