CZ-Si wafer 1 inch 275 um (100) SSP B-doped
Dummy CZ-Si wafer 275 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 49 |
4,00 €*
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| Bis 99 |
3,50 €*
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| Bis 199 |
3,00 €*
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| Ab 200 |
2,70 €*
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Produktnummer:
WSV10275250B1324XNN1
Produktinformationen "CZ-Si wafer 1 inch 275 um (100) SSP B-doped"
Dummy CZ-Si wafer 1 inch, thickness = 275 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 20 Ohm cm, no flat, units of 25 wafers, not particle specified (packaging leaves back particles which need to be cleaned before being used in particle-critical applications)
| Diameter (round): | 1 inch |
|---|---|
| Material: | CZ-Si |
| Orientation: | 100 |
| Quality: | Dummy |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| Surface: | 1-side polished |
| Thickness: | 201 - 300 µm |