Au etch 200 - 5.00 l

Cr-Ätzen 210 Chrom-Ätzmittel Allgemeine Informationen Cr-Ätz 210 ist ein alkalisches Ätzmittel für Cr. Das Ätzmittel wird für die nasschemische Strukturierung oder Entfernung von dünnen Cr-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Au, Sn, Pt, Cu, Ni, Ti, Ta verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterfertigung oder die Mikrosystemtechnik, z. B. zum Entfernen oder Strukturieren einer Cr-Barriere- oder Adhäsionsschicht in einem Plating-Seed-Stack. Produkteigenschaften Geringer Unterschnitt (im Bereich der Schichtdicke), minimale Strukturgröße < 1µm Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden In verschiedenen Reinheitsgraden erhältlich Kompatibel mit Resist Maske Einsatz bei Raumtemperatur Steigerung der Ätzrate durch Erhöhung der Temperatur auf bis zu 40°C Selektivität Cr Etch 210 ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien: Fotolacke: gängiger Novolak als Maske Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Au, Sn, Pt, Cu, Ni, Ti, Ta Metalle: greift Cr an Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Kompatibilität sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen beträgt die Ätzrate etwa 10 bis 15 nm/min bei 40 °C (bei Raumtemperatur entsprechend niedriger). Eine gesputterte 30nm Cr-Schicht wird in etwa 180 Sekunden geätzt. Die gemischte Ätzlösung ist langzeitstabil und kann je nach Anwendungsbedarf mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Cr etch 210 deutsch Sicherheitsdatenblatt Cr etch 210 deutsch TDS: Technisches Datenblatt Cr etch 210 englisch Technisches Merkblatt Cr etch 210 deutsch Anwendungshinweise: Nasschemisches Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasschemisches Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

AX 100 Aktivator Allgemeine Informationen AX 100 ist eine saure Lösung zur Aktivierung und Vorbehandlung von Keimschichten und metallischen Oberflächen für die Galvanik, auf denen eine direkte Metallisierung Probleme hinsichtlich der Haftfestigkeit verursachen kann. Dies gilt z.B. für die galvanische Abscheidung von Au auf Ni-Oberflächen oder die direkte galvanische Abscheidung auf Ti- oder TiW-Schichten. AX 100 aktiviert metallische Oberflächen vor der galvanischen Abscheidung und ermöglicht eine bessere Haftfestigkeit von galvanischen Schichten auf metallischen Oberflächen, die zur Oxidation neigen. Häufige Anwendungsgebiete sind die Halbleiterfertigung und die Mikrosystemtechnik. Produkteigenschaften Geringer oder kein Ätzangriff auf metallischen Oberflächen Kompatibel mit vielen Materialien, z. B. mit den in der Galvanikindustrie üblichen Metallen Kompatibel mit Resist Maskierung Keine giftige Substanz und leicht zu handhaben Mäßige Betriebstemperatur von etwa 40°C Selektivität AX 100 ist mit den folgenden Materialien kompatibel/selektiv: Resists: gängige Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Ni, Ti, TiW, Ta, Cu Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Kompatibilität sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AX 100 englisch Sicherheitsdatenblatt AX 100 deutsch TDS: Technisches Datenblatt AX 100 englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen zur Verarbeitung

Cu-Ätzmittel 100 Kupfer Ätzmittel Allgemeine Informationen Cu etch 100 ist ein alkalisches Ätzmittel für Cu und wird für die nasschemische Entfernung von Cu-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Ni, Au, Cr, Sn, Ti verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterfertigung oder die Mikrosystemtechnik. Produkteigenschaften Hohe Ätzrate und Unterätzungsrate mit Cu als Opferschicht Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden Erhältlich in verschiedenen Reinheitsgraden Kompatibel mit Resist masking Verwendung bei Raumtemperatur Selektivität Cu etch 100 ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien: Resists: gängiger Novolak als Maskierung Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Ni, Au, Cr, Sn, Ti, Pt, Ta Metalle: greift Cu, TiW, Ag, Zn an Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei 3 bis 3,5 µm/min (bei RT). Die gemischte Ätzlösung ist auf Dauer nicht stabil (Mischung aus zwei Komponenten), kann aber je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Cu etch 100 englisch Sicherheitsdatenblatt Cu etch 100 deutsch TDS: Technisches Datenblatt Cu etch 100 englisch Technisches Datenblatt Cu etch 100 deutsch Anwendungshinweise: Nasschemisches Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasschemisches von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Cu-Ätzmittel 150 Kupfer Ätzmittel Allgemeine Informationen Cu etch 150 ist ein alkalisches Ätzmittel für Cu und wird für die nasschemische Entfernung von Cu-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Ni, Au, Cr, Sn, Ti verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterfertigung oder die Mikrosystemtechnik. Produkteigenschaften Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden Erhältlich in verschiedenen Reinheitsgraden Kompatibel mit Resist Maskierung Verwendung bei Raumtemperatur Selektivität Cu etch 150 ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien: Resists: gängiger Novolak als Maskierung Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Ni, Au, Cr, Sn, Ti, Pt, Ta Metalle: greift Cu, TiW, Ag, Zn an Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei 100 bis 150 nm/min (bei RT). Die gemischte Ätzlösung ist nicht langzeitstabil (Mischung aus zwei Komponenten), kann aber je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Cu etch 150 englisch Sicherheitsdatenblatt Cu etch 150 deutsch TDS: Technisches Datenblatt Cu etch 150 englisch Technisches Datenblatt Cu etch 150 deutsch Anwendungshinweise: Nasschemisches Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasschemisches Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Cu-Ätzmittel 200 UBM Kupfer Ätzmittel Allgemeine Informationen Cu etch 200 UBM ist ein leicht alkalisches Ätzmittel für Cu und wird für die nasschemische Entfernung von Cu-Keimschichten mit Selektivität für Metalle wie Ni, Au, Cr, Sn, Ti, Al verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterfertigung oder die Mikrosystemtechnik, insbesondere für die Entfernung von Keimschichten nach der Beschichtung der Under-Bump-Metallisierung (UBM). Produkteigenschaften Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden Sehr geringer Dimensionsverlust In verschiedenen Reinheitsgraden erhältlich Kompatibel mit Resist Maskierung Verwendung bei Raumtemperatur Selektivität Cu etch 200 UBM ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien: Resists: gängiger Novolak als Maskierung Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Ni, Au, Cr, Sn, Ti, Al, Pt Metalle: Angriff auf Cu, Ag Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei 200 bis 250 nm/min (bei RT). Die Ätzlösung ist zeitlich stabil und kann je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Cu etch 200 englisch Sicherheitsdatenblatt Cu etch 200 deutsch TDS: Technisches Datenblatt Cu etch 200 englisch Technisches Datenblatt Cu etch 200 deutsch Anwendungshinweise: Nasschemisches Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasschemisches Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

TiW etch 100 Titan-Wolfram Ätzmittel Allgemeine Informationen TiW etch 100 wird als Ätzmittel für Titan verwendet - für die nasschemische Strukturierung von TiW-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Au, Pt, Ni, Cr, Sn. Übliche Anwendungen finden sich im Bereich der Halbleiter- oder Mikrosystemtechnik zum Ätzen von Haftschichten oder Diffusionsbarrieren. Produkteigenschaften Geringe Unterätzung (im Bereich der Schichtdicke), minimale Strukturgröße < 1µm Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden Kompatibel mit Resist masking Selektivität TiW etch 100 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien: Resists: gängige Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Au, Pt, Ni, Cr, Sn Metalle: Angriff auf TiW, Cu Cu-Angriff bei längerer Einwirkung Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerinformationen und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei etwa 1nm/s (bei Raumtemperatur). Die gemischte Ätzlösung ist über einen längeren Zeitraum stabil und kann je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TiW etch 100 englisch Sicherheitsdatenblatt TiW etch 100 deutsch TDS: Technisches Datenblatt TiW etch 100 englisch Technisches Datenblatt TiW etch 100 deutsch Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasses Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

TiW etch 200 Titan-Wolfram Ätzmittel Allgemeine Informationen TiW etch 200 wird als Ätzmittel für Titan verwendet - für die nasschemische Strukturierung von TiW-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Au, Pt, Ni, Cr. Übliche Anwendungen finden sich im Bereich der Halbleiter- oder Mikrosystemtechnik zum Ätzen von Haftschichten oder Diffusionsbarrieren. Produkteigenschaften Geringe Unterätzung (im Bereich der Schichtdicke), minimale Strukturgröße < 1µm Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden Kompatibel mit Resist masking Selektivität TiW etch 200 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien: Resists: gängige Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Au, Pt, Ni, Cr Metalle: greift TiW, Cu an Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei etwa 5 nm/min (bei Raumtemperatur). Die gemischte Ätzlösung ist über einen längeren Zeitraum stabil und kann je nach Anwendungsbedarf mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TiW etch 200 DE Sicherheitsdatenblatt TiW etch 200 DE TDS: Technisches Datenblatt TiW etch 200 DE Technisches Datenblatt TiW etch 200 DE Anwendungshinweise: Nasses Ätzen Nasschemisches Ätzen Nasses Ätzen von Metallen Nasschemisches Ätzen von Metallen Weitere Informationen zur Verarbeitung