AZ TFP-650F5 (15CP) Photoresist - 3.785 l

AZ® 1505 Positive Dünnlacke für Nassätzung Allgemeine Informationen Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich. Die hohe Auflösung und Haftung der AZ® 1505 machen diese Resist zu einer häufig verwendeten Resist Maske für das Cr-Ätzen in der Fotomaskenproduktion. Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 500 nm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 400 - 800 nm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden. Produkteigenschaften Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Hohe Entwicklungsrate Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 0,4 - 0,8 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte **AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 1512 HS Positive Dünnlacke für Nassätzung Allgemeine Informationen Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich. Die sehr hohe photoaktive Wirkstoffkonzentration des AZ® 1512 HS maximiert den Resist Kontrast (sehr hohe Entwicklungsrate, minimierter Dunkelabtrag). Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 1,2 µm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 1,0 - 1,8 µm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden. Produkteigenschaften Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Hohe Entwicklungsrate Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 1,0 - 1,8 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir das TMAH-basierte AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 1514H Positive Dünnlacke für Nassätzung Allgemeine Informationen Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich. Ein spezielles Harz verbessert die Resist Haftung auf den meisten gängigen (metallischen) Substraten weiter. Resist Schichtdicke bei 4000 U/min ca. 1,4 µm, über Variationen der Schleuderdrehzahl sind ca. 1,1 - 2 µm erreichbar. Produkteigenschaften Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Hohe Entwicklungsrate Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 1,1 µm - 2,0 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte **AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 1518 Positive Dünnlacke für Nassätzung Allgemeine Informationen Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich. Die erhöhte Resist Schichtdicke des AZ® 1518 verbessert die Stabilität der Resist Maske für Nassätzprozesse. Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 1,8 µm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 1,5 - 3,0 µm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden. Produkteigenschaften Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Hohe Entwicklungsrate Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 1,5 µm - 3,0 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® ECI 3007 Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster Allgemeine Informationen Die AZ® ECI 3000 Serie ist eine moderne, hochmoderne Positivserie Resist. Sowohl das Auflösungspotenzial als auch die Prozessstabilität ermöglichen Strukturgrößen, die nahe am theoretischen Minimum liegen, das mit breitbandigen (nicht-DUV) Resists erreicht werden kann. AZ® ECI 3000 Resists sind aufgrund ihrer guten Haftung und thermischen Stabilität sowohl für nass- als auch für trockenchemische Prozesse geeignet. Die Resist sind in den drei Viskositätsklassen AZ® ECI 3007 (0,7 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® ECI 3012 (1,2 µm) und AZ® ECI 3027 (2,7 µm) erhältlich. Das sehr hohe Auflösungspotenzial ermöglicht laterale Strukturgrößen bis hinunter zu 300 nm und eröffnet ein vergleichsweise großes und stabiles Prozessfenster bei niedrigeren Auflösungsanforderungen. Diese Resists können mit NaOH, KOH oder TMAH entwickelt werden Developer. Produkteigenschaften Sehr hohe Auflösung Optimierte Resist -Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 0,5 - 1 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich der AZ® 351B auf NaOH-Basis in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3007 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3007 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® ECI 3012 Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster Allgemeine Informationen Die AZ® ECI 3000 Serie ist eine moderne, hochmoderne Positivserie Resist. Sowohl das Auflösungspotenzial als auch die Prozessstabilität ermöglichen Strukturgrößen, die nahe am theoretischen Minimum liegen, das mit breitbandigen (nicht-DUV) Resists erreicht werden kann. AZ® ECI 3000 Resists sind aufgrund ihrer guten Haftung und thermischen Stabilität sowohl für nass- als auch für trockenchemische Prozesse geeignet. Die Resist sind in den drei Viskositätsklassen AZ® ECI 3007 (0,7 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® ECI 3012 (1,2 µm) und AZ® ECI 3027 (2,7 µm) erhältlich. Das sehr hohe Auflösungspotenzial ermöglicht laterale Strukturgrößen bis hinunter zu 300 nm und eröffnet ein vergleichsweise großes und stabiles Prozessfenster bei niedrigeren Auflösungsanforderungen. Diese Resists können mit NaOH, KOH oder TMAH entwickelt werden Developer. *450 nm Resist Linien mit dem AZ® ECI 3012 bei einer Schichtdicke von ca. 1,2 µm. Produkt-Eigenschaften Sehr hohe Auflösung Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Steile Resist Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation -Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrig-alkalisch) g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 0,9 - 1,5 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack englisch Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie deutsch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® ECI 3027 Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster Allgemeine Informationen Die AZ® ECI 3000 Serie ist eine moderne, hochmoderne Positivserie Resist. Sowohl das Auflösungspotenzial als auch die Prozessstabilität ermöglichen Strukturgrößen, die nahe am theoretischen Minimum liegen, das mit breitbandigen (nicht-DUV) Resists erreicht werden kann. AZ® ECI 3000 Resists sind aufgrund ihrer guten Haftung und thermischen Stabilität sowohl für nass- als auch für trockenchemische Prozesse geeignet. Die Resist sind in den drei Viskositätsklassen AZ® ECI 3007 (0,7 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® ECI 3012 (1,2 µm) und AZ® ECI 3027 (2,7 µm) erhältlich. Das sehr hohe Auflösungspotenzial ermöglicht laterale Strukturgrößen bis hinunter zu 300 nm und eröffnet ein vergleichsweise großes und stabiles Prozessfenster bei niedrigeren Auflösungsanforderungen. Diese Resists können mit NaOH, KOH oder TMAH entwickelt werden Developer. 900 nm Resist Linien mit dem AZ® ECI 3027 bei ca. 2,7 µm Resist Schichtdicke. Produkt-Eigenschaften Sehr hohe Auflösung Optimierte Resist -Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 2 - 3,5 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich der AZ® 351B auf NaOH-Basis in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3027 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3027 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® MIR 701 (11CPS) Hohe Auflösung und Temperaturstabilität Allgemeine Informationen AZ® 701 MIR Serie für 0,7 - 3,0 µm Resist Schichtdicke (g-, h- und I-Linie) Als thermisch stabiles (Erweichungspunkt > 130°C), hochauflösendes Positiv Resist ist das AZ® 701 MIR (11CPS) besonders für das trockenchemische Ätzen von feinen bis sehr feinen Strukturen optimiert. Dieses Resist kann leicht weiter verdünnt werden, um noch bessere Auflösungen zu erreichen, zum Beispiel bei Anwendungen der Laser-Interferenz-Lithografie. Wir verkaufen dieses Resist in zwei verschiedenen Viskositäten von 11CPS, 14CPS und 29CPS. Es kann mit herkömmlichem NaOH, KOH oder TMAH verwendet werden Developer. 300 nm Resist Linien, die mit dem AZ® 701 MIR 1.2µm Struktur nach 130°C Hardbake Produkteigenschaften Sehr hohe Auflösung, für 0,5 µm und 0,35 µm Technologieknoten Hohe thermische Stabilität Hervorragender Prozessspielraum sowohl für Linien-/Raum- als auch für Ganzkontaktanwendungen Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich AZ® MIR 701 (11CPS): ca. 0,6 - 1,0 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, ist die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für Resist Filmdicken und Auflösungen < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) eine geeignete Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung und sehr dünne Resist Schichten - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 oder AZ® Remover 920. Ausdünnung/Randstreifenentfernung Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (11CPS) Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (11CPS) Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® MIR 701 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® MIR 701 (14CPS) Hohe Auflösung und Temperaturstabilität Allgemeine Informationen AZ® 701 MIR Serie für 0,7 - 3,0 µm Resist Schichtdicke (g-, h- und I-Linie) Als thermisch stabiles (Erweichungspunkt > 130°C), hochauflösendes Positiv Resist ist das AZ® 701 MIR (14CPS) besonders für das trockenchemische Ätzen von feinen bis sehr feinen Strukturen optimiert. Dieses Resist kann leicht weiter verdünnt werden, um noch bessere Auflösungen zu erreichen, zum Beispiel bei Anwendungen der Laser-Interferenz-Lithografie. Wir verkaufen dieses Resist in drei verschiedenen Viskositäten von 11CPS, 14CPS und 29CPS. Es kann mit herkömmlichem NaOH, KOH oder TMAH verwendet werden Developer. 300 nm Resist Linien, die mit dem AZ® 701 MIR 1.2µm Struktur nach 130°C Hardbake Produkteigenschaften Sehr hohe Auflösung, für 0,5 µm und 0,35 µm Technologieknoten Hohe thermische Stabilität Hervorragender Prozessspielraum sowohl für Linien-/Raum- als auch für Ganzkontaktanwendungen Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich AZ® MIR 701 (14CPS): ca. 0,6 - 1,1 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, ist die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für Resist Filmdicken und Auflösungen < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) eine geeignete Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung und sehr dünne Resist Schichten - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 oder AZ® Remover 920. Ausdünnung/Randstreifenentfernung Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (14CPS) Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (14CPS) Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® MIR 701 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® MIR 701 (29CPS) Hohe Auflösung und Temperaturstabilität Allgemeine Informationen AZ® 701 MIR Serie für 0,7 - 3,0 µm Resist Schichtdicke (g-, h- und I-Linie) Als thermisch stabiles (Erweichungspunkt > 130°C), hochauflösendes Positiv Resist ist das AZ® 701 MIR (29CPS) besonders für das trockenchemische Ätzen von feinen bis sehr feinen Strukturen optimiert. Dieses Resist kann leicht weiter verdünnt werden, um noch bessere Auflösungen zu erreichen, zum Beispiel bei Anwendungen der Laser-Interferenz-Lithografie. Wir verkaufen dieses Resist in zwei verschiedenen Viskositäten von 11CPS, 14CPS und 29CPS. Es kann mit herkömmlichem NaOH, KOH oder TMAH verwendet werden Developer. 300 nm Resist Linien, die mit dem AZ® 701 MIR 1.2µm Struktur nach 130°C Hardbake Produkteigenschaften Sehr hohe Auflösung, für 0,5 µm und 0,35 µm Technologieknoten Hohe thermische Stabilität Hervorragender Prozessspielraum sowohl für Linien-/Raum- als auch für Ganzkontaktanwendungen Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich AZ® MIR 701 (29CPS): ca. 1,2 - 2,5 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, ist die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für Resist Filmdicken und Auflösungen < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) eine geeignete Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung und sehr dünne Resist Schichten - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 oder AZ® Remover 920. Ausdünnung/Randstreifenentfernung Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (29CPS) Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (29CPS) Fotolack deutsch TDS: Technisches Merkblatt AZ® MIR 701 (29CPS) englisch Technisches Datenblatt AZ® MIR 701 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® TFP 650 Flat Panel Display Fotolack Allgemeine Informationen Die AZ® TFP 650 F5 Resist eignet sich für Spin-Coat- und Extrusions-Coat-Anwendungen mit hervorragenden Haftungsanforderungen und/oder rauen Ätzbedingungen. Sie wurde entwickelt, um die Anforderungen der Flachbildschirmindustrie zu erfüllen. Sie sind speziell für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert, darunter Spin Coat, Extrusion Coat und Roller Coat. Diese produktionserprobten Photoresists können mit einer Vielzahl von Developer und Entfernern verwendet werden und sind so formuliert, dass sie mit den darunter liegenden Schichten kompatibel sind. Produkt-Eigenschaften Sehr hohe Fotogeschwindigkeit Geringer Verlust des dunklen Films Optimierte Resist Haftung Leichtes Entfernen nach dem Hardbake Hohe Beständigkeit gegen scharfe Ätzmittel Kompatibel mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 1 - 2 µm Developer Wir empfehlen den TMAH-basierten AZ® 726 MIF oder AZ® 326 MIF (dieser enthält Tenside). Entferner Für nicht vernetzte Resist Folien können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir NMP-freie wie AZ® 920 Remover oder TechniStrip P1316 als Remover. Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten Wir empfehlen für das Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® TFP 650 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® TFP 650 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® TFP 650 englisch Informationen AZ® TFP 650 englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung